海特高新概念题材|海特高新所属行业地域板块

充电桩：充电桩是为电动汽车充电的充电设施，是由桩体、电气模块、计量模块等部分组成。

快充：伴随着快充技术的不断成熟，越来越多的消费电子厂商发布快充产品。同时，随着电动车渗透率的快速提升，缩短充电时间是提升电动车使用体验的主要诉求之一，国内外整车厂争相布局800V快充。

eVTOL：eVTOL（电动垂直起降飞行器）是通用航空领域重要的新型技术，其中飞行汽车为一种形态。

光通信：近几年，我国光器件及光模块行业紧跟国家发展战略部署，产业高歌猛进，市场持续升温，呈现高增长态势。其中，光模块作为数据中心的重要组成部分，未来几年将保持较高速度扩张，尤其是超高速的光模块需求增加为光模块厂商提供了机遇。

5G：狭义上来说，5G是指第五代移动通信技术的无线接入网技术。从广义上来看，还泛指包括无线接入网、核心网及相关支撑系统的完整的技术体系。

半导体：半导体设备和材料处于产业链上游，是推动技术进步的关键环节。半导体设备和材料应用于集成电路(IC)、LED、MEMS、分立器件等领域，其中以IC领域的占比和技术难度最高。

低空经济：低空经济是以低空飞行活动为核心，以无人驾驶飞行、低空智联网等技术组成的新质生产力与空域、市场等要素相互作用，带动低空基础设施、低空飞行器制造、低空运营服务和低空飞行保障等领域发展的综合性经济形态

激光雷达：激光雷达是一种通过发射激光来测量物体与传感器之间精确距离的主动测量装置，目前被广泛应用于自动驾驶、无人机、3D绘图、物联网和智慧城市等高科技领域。

航天军工：军工行业主要涉及武器装备的科研、生产、配套等环节，整体产业体系强大。军工企业是指承担国防科研生产任务，从事为国家武装力量提供各种武器装备研制和生产经营活动，并具有独立法人资格的企业。

太空互联网：卫星互联网是基于卫星通信的互联网，通过一定数量的卫星形成规模组网，从而辐射全球，构建具备实时信息处理的大卫星系统，是一种能够完成向地面和空中终端提供宽带互联网接入等通信服务的新型网络。卫星互联网产业链主要由卫星制造、发射服务、地面设备制造、卫星服务四个主要环节构成。

航空航天：航空航天是一门高度综合的现代技术，涉及到许多的学科门类，它包括了航空和航天两个大的分支。航空是指飞行器在地球大气层内的航行活动，航天是指飞行器在地球大气层外宇宙空间的航行活动。商业航天是指采用市场化机制运营的航天活动，包括卫星制造、发射服务、卫星运营及应用、地面设备制造与服务、太空旅游、太空资源开发等多个领域。本概念板块选取公司业务、产品等与航天航空或商业航天相关的予以入选。

军民融合：军民融合是实现国防工业建设与社会经济建设紧密结合协同发展，军转民和民参军是构成军民融合的两大产业模式。

碳化硅：碳化硅（SiC），一种第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁场高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高等性质，碳化硅电力电子器件可广泛用于国民经济的各个领域。

芯片：芯片是集成了许多晶体管、电容、电阻、电感等元器件以及相关的电路，用来实现某种特定的功能，具有高度集成和小型化的特点。

运输设备：(1)运输设备主要包括铁路、船舶、航空、轨道交通制造等。 (2)当前，我国船舶工业正加快转型升级。在十三五期间，除了包括化解造船产能过剩外，还将进一步推进船舶企业的兼并重组，推进中国船舶制造品质升级，并以此为契机促进国内船舶企业做大做强。 (3)中国铁路总公司数据显示，2016年前10个月，全国铁路固定资产投资完成6234.49亿元，相比于去年同期的5678.85亿元，同比增长9.8%。另外，2016年11月28日，国家发改委印发《关于京津冀地区城际铁路网规划的批复》。这是11月份批复的第8个铁路建设项目，发改委全月已累计批复铁路项目4829.95亿元。

空客：选取上市公司中有业务或者产品进入到空客产业链的公司予以入选。

第三代半导体：第三代半导体（也称为宽能隙半导体材料）是指以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石、氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体材料。

集成电路：集成电路产业包括设计、制造、封装测试三个环节，是整个电子行业的基础。近年来，半导体集成电路产业呈现出芯片供应短缺，更新速度加快，细分市场竞争激烈等特点。

通用航空：通用航空是指使用民用航空器从事公共航空运输以外的民用航空活动，包括从事工业、农业、林业、渔业和建筑业的作业飞行以及医疗卫生、抢险救灾、气象探测、海洋监测、科学实验、教育训练、文化体育等方面的飞行活动。

大飞机：航空发动机产业在全球制造业中占有举足轻重的地位。国家制造强国建设战略咨询委员会公布的权威报告预测，未来十年，全球市场对航空发动机产品需求旺盛。同期，我国国内干线客机对大型发动机累计需求将超6000台，总价值超500亿美元。随着低空空域的开放，对通用飞机的航空发动机需求也将随之放量。

砷化镓：砷化镓属于III-V族化合物半导体。根据电阻的不同，砷化镓材料可以分为半导体型和半绝缘型。由于砷化镓的电子迁移率是硅的6~7倍，因此它高频性能十分优异。

氮化镓：氮化镓（GaN、Gallium nitride）是氮和镓的化合物，属于第三代半导体材料。GaN材料的优势主要是成本低，易于大规模产业化。