第三代半导体概念股票|第三代半导体板块龙头股资金流向(实时)

时代电气：在功率半导体领域，公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。公司生产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通和特高压输电核心器件由国外企业垄断的局面，目前正在解决我国新能源汽车、新能源发电装备的核心器件自主化问题。2024年，IGBT模块交付在轨交、电网领域市场份额大幅领先，占有率国内第一，电网市场中标7条线，首次斩获海外柔直项目大批量订单，新能源市场快速突破，根据NE时代统计数据，公司2024年新能源乘用车功率模块装机量达225.6万套，市占率约13.7%，仅次于比亚迪排名第二，新能源发电市场IGBT模块出货量增长迅速，7.5代超精细沟槽栅产品效率和出流能力达到国际领先水平，半导体三期项目宜兴产线成功投产。传感器业务轨交领域市占率持续领先，首次斩获电网订单。

科翔股份：2025年，公司半导体业务聚焦于板级封装（PLP）、MOS三极管、第三代半导体模块三项业务：其中PLP板级封装重点是依托公司内部的高阶HDI制造能力，在此基础上完成氮化镓、碳化硅多芯片合封，具备成本低、散热性能高的优势，主要面向电源芯片领域。

扬杰科技：公司持续增加对第三代半导体芯片行业的投入，加大在以SiC为代表的第三代半导体功率器件等产品的研发力度，以进一步满足公司后续战略发展需求。2025年，公司投资的SiC芯片工厂通过IDM模式实现650V/1200V/1700V的SiC MOS产品从第二代升级到第三代。公司在碳化硅尤其是SiC MOS市场份额持续增加，当前各类产品已广泛应用于AI数据中心、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。

拉普拉斯：2024年12月26日公司在互动平台披露：公司在半导体分立器件领域聚焦第三代半导体碳化硅设备，通过产品技术支持产业的发展。目前形成了氧化、退火、镀膜和钎焊炉设备等一系列产品，并开始逐步导入到下游行业内领先企业。在具体产品方面，公司持续对高温氧化设备和高温退火设备进行开发与优化，可适用于SiC基半导体器件生产工艺；公司LPCVD设备可满足氮化硅/氧化硅/多晶硅（Poly-Si）/非晶硅（α-Si）薄膜沉积技术的应用需求，并适用于半导体分立器件的生产。

天岳先进：公司致力于提供持续拓展且性能卓越的产品组合，探索并持续推进碳化硅产品在多元领域的应用拓展。依托前瞻性的技术布局和强大敏捷的创新能力，公司的产品已成功深入切入新能源与AI两大高增长赛道，这不仅将驱动业绩实现爆发式增长，更将助力公司完成下游应用场景的多元化拓展，进而巩固行业引领地位，把握新一轮发展机遇。公司在碳化硅衬底产品矩阵上超前布局。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先，是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户积极向8英寸转型。2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。2024年11月，我们推出业内首款12英寸碳化硅衬底。12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。

蔚蓝锂芯：2020年2月26日公司在互动平台披露，子公司淮安光电是行业内极少数具有从衬底切磨抛、PSS、外延片到芯片的完整产业链的公司，公司主要产品为蓝绿光LED芯片，即在蓝宝石衬底上生长制造氮化镓发光二极管，公司在LED芯片相关领域有专利技术。

奥海科技：公司构建从元件模块、硬件系统、软件控制到产品应用的自下而上电力电子技术基础架构，打造硬件（电路设计、磁性元器件设计与选型、磁集成、PCBA和组装制造工艺等）、软件（驱动、控制算法、数据通信、远程监控、AUTOSAR BSW/ASW、APP开发、AI大语言模型功能应用等）、结构(外观、内部堆叠、密封、机械应力、散热等设计)、第三代半导体功率器件（GaN HEMT和SiC MOSFET）、材料（新型复合磁材、新型散热材料、电磁干扰吸波材料、塑料类再生材料）等共性技术平台，形成软硬件集成开发优势，在多物理场仿真技术、高频磁性器件和高频驱动技术、EMI的分析与设计、PFC、电路拓扑、集成式平面变压器（6层）、大功率电机驱动与控制（300kW及以上）、高度集成动力域控制、域网络通信（CANFD、车载以太网等）、汽车功能安全认证、智能运维、AI大语言模型辅助电源高效开发、AI人机交互功能模块等方面已形成领先技术和系列产品，并申报和获授权多项专利。

长电科技：在功率及能源应用领域，公司与头部用户紧密合作，持续投入资源和技术创新。公司扩大第三代半导体功率器件及模块产能，不断拓展TOLL、TO263-7、TO247-4开尔文封装形式，开发底部、顶部和双面散热等新型散热结构，应用银烧结和DBC等先进工艺。公司聚焦垂直供电模块VCORE，其通过垂直集成技术极大提升功率密度和热管理效率，减少电能损耗，在AIGC服务器电源中炙手可热。公司已在VCORE模块的封装材料、结构、热管理、制造工艺以及技术服务等方面积累了丰富经验。

晶方科技：公司是全球将晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）专注应用在以影像传感器为代表的传感器领域的先行者与引领者。公司为全球12英寸晶圆级芯片尺寸封装技术的开发者，同时具备8英寸、12英寸的晶圆级芯片尺寸封装技术与规模量产能力。通过整合收购的智瑞达科技资产与技术，并将之与公司既有封装技术的有效融合，具备了从晶圆级到芯片级及模块制造的量产服务能力。通过并购荷兰ANTERYON公司，将光学设计与组件制造能力与公司的业务技术协同整合，形成了光学器件设计制造与一体化的异质集成能力。通过并购整合以色列VisIC公司，有效布局氮化镓功率模块的设计与开发技术能力，为把握三代半导体在新能源汽车领域的产业发展机遇进行技术与产业布局。

新洁能：第三代SiCMOSFET产品平台完成工艺平台开发，相关产品处于可靠性验证阶段。同时，公司还规划有和传统硅基IGBT/超结MOSFET驱动完全兼容的SiC产品，相关产品已完成工艺设计、产品设计，处于工程验证阶段。已开发完成1200V和650VSiC二极管平台搭建，新增产品20余款，相关产品进入量产阶段，并批量供货给多家行业龙头客户。开发SiC功率模块产品5款，相关产品处于客户验证阶段。100V/200VGaN产品开发中。

斯达半导：公司主营业务是以IGBT、SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位于浙江嘉兴，在上海、浙江、重庆和欧洲均设有子公司，并在国内和欧洲均设有研发中心。公司长期致力于为高能效、绿色化和智能化应用提供全面的半导体及系统解决方案，产品组合覆盖IGBT、SiCMOSFET、GaNHEMT、快恢复二极管等功率半导体器件以及汽车级与工业级MCU、栅极驱动IC芯片等，广泛应用于新能源、新能源汽车、工业控制与电源、白色家电、AI服务器电源、数据中心、机器人及低空/高空飞行器等领域。

必易微：公司持续推进数字隔离芯片的研发布局，推出150Mbps标准数字隔离器以及40Mbps通用数字隔离器，涵盖2/4/6通道系列产品，并打造“隔离+”系列产品，能够与栅极驱动芯片、接口芯片、运算放大器等形成隔离驱动、隔离接口、隔离采样等芯片方案。2025年，公司成功开发全系列SiC隔离栅极驱动芯片，为高性能、高可靠性系统构建重磅驱动解决方案；并推出全系列隔离栅极驱动产品，涵盖光耦兼容型单通道驱动器、逻辑输入型单通道驱动器及双通道驱动器，可广泛应用于光伏逆变器、不间断电源、电机驱动控制、工业电源等高可靠性工业系统，目前已进入多家客户导入阶段。

三超新材：金刚石砂轮除了传统的用于磁性材料、蓝宝石、光学玻璃等加工的产品外，还包括专用于精密刀具加工的精密金刚石砂轮，和专用于包括第三代半导体碳化硅在内的半导体芯片加工过程中的减薄砂轮、倒角砂轮和CMP-Disk，以及封装过程中使用到的树脂软刀、金属软刀、电镀软刀、硬刀（划片刀）等。2025年报披露，江苏三晶第三代半导体精密制造装备及材料产业化项目，目前基建主体施工已完成并验收合格，争取年内完成全部基建具备搬迁条件，并实现部分搬迁，强化江苏三晶的研发及规模化制造能力，更好满足客户不断升级的核心需求。

瑞纳智能：公司全资子公司合肥高纳半导体科技有限责任公司主要从事第三代半导体SiC单晶生长和设备研发、SiC衬底加工、SiC外延生产销售。面向8英寸碳化硅衬底的长晶技术做了方向调整并优化研发的工艺路线，完成新设备（电阻式双温区长晶炉）的调试并投入使用。碳化硅粉料已获得权威第三方检测证明已完全符合相关标准和工艺需求，目前已批次投入使用。

路维光电：目前公司已实现180nm制程节点半导体掩膜版量产，150nm/130nm已通过客户验证并小批量量产，同时公司已掌握的半导体掩膜版制造技术可以覆盖第三代半导体相关产品，产品已全面应用于IC制造、IC器件、先进封装等领域，满足先进半导体芯片封装、半导体器件、MEMS传感器、射频芯片、硅基OLED等产品应用的需求，为我国半导体行业的发展提供关键的上游材料国产化配套支持。通过投资建设路芯半导体130-28nm半导体掩膜版项目，公司进一步完善在半导体领域的布局。该项目投产后，产品将覆盖MCU（微控制芯片）、SiPh（硅光子）、CIS（互补金属氧化物半导体图像传感器）、BCD（双极-互补-双扩散-金属氧化物半场效应管）、DDIC（显示驱动芯片）、MS/RF（混合射频信号）、Embd.NVM（嵌入式非易失存储器）、NOR/NANDFlash（非易失闪存）等半导体制造相关行业，进一步完善产业链供给、推动国产替代进程。

晶升股份：公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于6-8英寸碳化硅单晶衬底，具有结构设计模块化、占地小、高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行等特点。公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS等）、光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。

美畅股份：2020年9月4日公司在互动平台披露，金刚线在晶体硅切割领域技术成熟，也得到了普遍的运用，对于同样属于超硬材料的碳化硅，氮化镓的切片来讲金刚线在技术上具有很高的可行性，公司也正在积极探索金刚石线在高价值硬脆材料切割领域的应用。

天通股份：公司专注于晶体材料专用设备的研发与制造，产品线涵盖从晶体生长到加工的全系列应用设备。这些设备广泛应用于光伏、蓝宝石、压电晶体以及新兴的半导体行业。具体产品包括晶体生长炉、截断机、开方机、硅片研磨机和抛光机等关键设备。公司在晶体材料设备领域的核心竞争力体现在光伏和蓝宝石等晶体的生长设备以及相应的切磨抛加工设备上。近年来，公司将研发重点放在了光伏设备上。推出了最新一代RCZ单晶炉，适用于生产低氧含量的N型电池片，满足了高效太阳能电池的需求。

天富能源：公司积极布局第三代半导体碳化硅新材料产业，2020年参与北京天科合达半导体股份有限公司增资扩股，并在2021年持续加大了投资力度，目前公司已持有北京天科合达9.09%的股份，成为该公司第二大股东。2024年深圳第三代半导体材料产业园落成揭牌。该产业园是由北京天科合达半导体股份有限公司、深圳市重大产业投资集团等各方共同投资建立，将进一步补强深圳第三代半导体“虚拟全产业链（VIDM）”。公司新材料产业将具备一定规模，形成与新能源产业协同发展的格局。

智光电气：2022年内，公司间接持股的粤芯半导体完成B轮战略融资，用于粤芯三期项目建设，目前粤芯已完成股份制改造。另，2019年5月公司在互动平台上表示，粤芯半导体采购的是荷兰ASML的光刻机，已于2019年3月中旬搬进粤芯半导体主厂房，目前在做量产前的最后调试准备。光刻机等主设备的顺利进驻，为粤芯半导体量产计划提供了有力保障。2019年9月10日公司在互动平台披露：经了解，粤芯半导体联合中标工信部半导体、芯片、关键零部件等领域的产业技术基础公告服务平台建设项目，情况属实。此建设项目面向第三代半导体碳化硅芯片制造技术，开展“卡脖子”核心装备研制，重点解决高硬度材料的高平整度、低粗糙度高效加工技术等难题。粤芯半导体项目是国内第一座以虚拟IDM (irtuallDM)为营运策略的12英寸芯片厂，是广州第一条12英寸芯片生产线，已列为广东省、广州市重点建设项目。产品包括模拟芯片、图像传感器、电源管理芯片、功率分立器件等，满足物联网、汽车电子、工业控制、5G等应用的模拟芯片需求。