第三代半导体概念股票|第三代半导体板块龙头股资金流向(实时)

天通股份：公司专注于晶体材料专用设备的研发与制造，产品线涵盖从晶体生长到加工的全系列应用设备。这些设备广泛应用于光伏、蓝宝石、压电晶体以及新兴的半导体行业。具体产品包括晶体生长炉、截断机、开方机、硅片研磨机和抛光机等关键设备。公司在晶体材料设备领域的核心竞争力体现在光伏和蓝宝石等晶体的生长设备以及相应的切磨抛加工设备上。近年来，公司将研发重点放在了光伏设备上。推出了最新一代RCZ单晶炉，适用于生产低氧含量的N型电池片，满足了高效太阳能电池的需求。

天富能源：公司积极布局第三代半导体碳化硅新材料产业，2020年参与北京天科合达半导体股份有限公司增资扩股，并在2021年持续加大了投资力度，目前公司已持有北京天科合达9.09%的股份，成为该公司第二大股东。2024年深圳第三代半导体材料产业园落成揭牌。该产业园是由北京天科合达半导体股份有限公司、深圳市重大产业投资集团等各方共同投资建立，将进一步补强深圳第三代半导体“虚拟全产业链（VIDM）”。公司新材料产业将具备一定规模，形成与新能源产业协同发展的格局。

长飞光纤：在第三代半导体领域，长飞先进半导体位于武汉的生产基地主体建筑结构已在二零二四年六月封顶，目前已进入设备安装调试阶段，预计于二零二五年四月底实现量产通线，达产后每年可生产36万片6英寸碳化硅晶圆，可满足约144万辆新能源汽车的制造需求，产能国内领先。而在产品开发进度方面，该公司碳化硅MOSFET产品于二零二五年二月通过AEC-Q101车规认证，比导通电阻（Ronsp）及栅极电荷（Qg）均达到国内领先水平，具备极低的开关损耗和导通损耗，可显著提升逆变器及其他应用终端的性能，为后续车规级产品的市场拓展奠定了坚实的基础。

东尼电子：公司主要生产导电型碳化硅衬底材料，为半导体器件制造的关键原材料，可广泛应用于功率器件，需求有望随着器件市场规模的增长而取得快速增长。2024年，公司半导体业务主要进行高规格6英寸和8英寸衬底的研发验证工作，小规模生产供货，导致营收下降，而在新工艺参数调试过程中，虽加严成本管控，亏损收窄，但毛利情况仍不理想。审慎起见，2024年度东尼半导体对其存货计提存货跌价损失约1.71亿元。

新莱应材：在泛半导体领域，国内半导体行业正处于飞速发展时期，公司产品可以覆盖半导体产业除设计之外的全制程，经过多年持续努力，公司产品通过了美国排名前二的半导体应用设备厂商的认证并成为其一级供应商，填补了国内超高纯应用材料的空白，依托国家政策，在稳定超高纯应用材料产品品质的同时，对更多产品进行研发，覆盖于半导体制程设备和厂务端所需的真空系统和气体管路系统。在迎接半导体行业第三次浪潮向我国转移的关键时刻，公司积极配合泛半导体下游产商，如半导体芯片厂、LCD/LED面板厂、光伏太阳能厂等，从上游开始，关注半导体高洁净度、高精密化、高集成性的行业趋势，服务于本土化进程，最终实现国内半导体生产最终产品的自主化、国产化，提高我国半导体产业在全球的话语权和竞争力。

英诺激光：2024年，公司的半导体业务持续显著增长，业务布局逐渐成熟。公司已连续多年向SHI公司批量供应碳化硅退火制程的紫外激光器，应用于硅基半导体检测制程的深紫外激光器和应用于FC-BGA先进封装的ABF载板超精密钻孔设备已完成送样或接受客户打样，新立项的“高功率薄片超快激光器关键技术与产业化”项目正在有序开展。

和而泰：2022年6月，浙江铖昌科技股份有限公司（股票简称：铖昌科技）正式登陆深交所主板。2019年10月18日公司在互动易平台披露：公司子公司铖昌科技产品优势在于：其主要产品是相控阵核心芯片，具体来说是相阵里面的PA、LA、移相控制多功能芯片等。从产品工艺方面来讲，现有主要涵盖的是氮化镓、砷化镓，硅基等，对铖昌来讲都是很成熟的，也是大量在出货的。铖昌科技具备核心技术优势，拥有较强的军工资质，已经进入快速发展期，铖昌科技与主要客户合作关系稳定，在手订单不断增加。2022年9月5日公司在互动易平台披露：铖昌科技的产品已应用于探测、遥感、通信、导航等领域，同时应用于星载、机载、舰载、车载和地面相控阵雷达中，亦可应用至卫星互联网、5G毫米波通信等场景。并拥有相关技术研发能力且自主可控。2024年4月8日公司在互动易平台披露：铖昌科技对于5G毫米波通信应用进行了毫米波束赋形芯片的研发，相关产品已经多轮迭代开发。

银河微电：公司专注于核心技术的积累与新产品的开发，扎实推进多个研发项目，取得了从芯片设计（6英寸平面芯片、RFID芯片、HVIC芯片、LVIC芯片、外延FRD、高压TVS等）到新封装开发（CLIPPDFN、DFN8080、DFN3333、倒装LED封装等）、从质量等级提升（消除封装分层、提升车规级可靠性能力）到集成器件开发（RFID、IPM）、从传统半导体器件到第三代功率器件（SiC、GaN）等成果的实现，不断提升公司的技术创新能力。公司在保持和提升在传统领域的优势的同时，紧跟市场方向，积极拓展汽车电子、清洁能源、安防、5G通讯、物联网、人工智能等新兴市场，抓住需求增长的机遇，全力推进替代进口战略，加快渗透，扩大对下游优质客户的覆盖，为公司未来的快速发展奠定坚实基础。

中恒电气：2021年8月2日公司在互动平台披露，SiC、GaN等第三代半导体器件的应用有助于电源产品转换效率和功率密度的提升，因此公司在多款产品中应用了相关器件，推进产品转化效率的提升、减少能耗。2020年3月公司在互动平台披露：氮化镓功率器件相比传统硅基半导体能够带来低损耗和高开关频率，公司现阶段主要开展了氮化镓功率器件在超高效电源模块上的应用研究，目前已完成样机开发工作并实现小额销售。公司会根据市场发展情况，积极推进相关产品市场化工作。

英唐智控：2021年9月30日公司在互动平台披露：公司子公司上海芯石研发团队在功率半导体器件方面具有丰富的研发经验，上海芯石已形成了与产品性能密切相关的IP共计63项，其中碳化硅产品领域5项，并成功开发了600V、1200V、1700V、3300V 的SiC-SBD产品。研发的第三代半导体产品中，已经通过代工方式实现了SiC-SBD产品的小批量销售，SiC-MOSFET目前研发工作已经进行进入尾声，已准备开展产线的投片验证工作,同时也正在开展对另一项重要的第三代半导体材料GaN相应器件产品的研发。2021年12月3日公司在互动平台披露：根据公司2021年7月9日披露的《关于公司与HuLu公司签订＜合作协议＞的公告》，出于公司长远发展需要，为加速实现公司在第三代半导体领域的产能规划，公司拟与合作伙伴合作建设一条月产能5000片的6英寸碳化硅生产线。

晶升股份：公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于6-8英寸碳化硅单晶衬底，具有结构设计模块化、占地小、高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行等特点。公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS等）、光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。

金宏气体：公司产品正硅酸乙酯作主要用于化学气相沉积法（简称LPCVD）构建半导体衬底表面的二氧化硅绝缘层，是第三代半导体材料和新兴半导体产业中重要的前驱体材料之一。

兆驰股份：兆驰半导体是全行业唯一一家全年满产满销及扣非后较大幅度盈利的芯片厂。2023年内，垂直一体化协同策略持续深入，战略重心倾向高附加值产品，最终实现由“规模”向“规模＆价值”的高质量可持续发展。产能方面，氮化镓芯片扩产项目在2023年4月开始放量，于6月底已经实现产量100万片（4寸片），后续通过提升生产效率，截止12月底，氮化镓产量为105万片（4寸片），公司氮化镓芯片产能居行业第二，产销量居全行业第一；报告期内，砷化镓芯片产量为5万片（4寸片）。LED芯片的扩产为公司提升MiniRGB、MiniBLU、高端照明等高附加值市场份额提供源动力。2023年期间，公司量产MiniRGB芯片尺寸主要为04*08mil（100*200μm）、03*07mil（88*175μm）、03*06mil（70*160μm）、02*06mil（50*150μm），量产的芯片尺寸最终将到02*04mil（50*100μm）。截至目前，公司MiniRGB芯片单月出货量为10000KK组。2023年下半年，公司提升了应用在普通照明市场的LED芯片产品价格，并基于产能释放提升高附加值产品占比，如MiniRGB芯片、背光领域芯片、高毛利照明的产品结构占比。2023年期间，兆驰半导体成功进入三星供应链体系。

晶盛机电：碳化硅产业链装备领域，公司开发了碳化硅长晶及加工设备（研磨、切割、减薄、倒角、抛光、清洗及检测），满足碳化硅衬底规模化产能建设需求的同时，在技术、工艺以及成本方面构筑壁垒，强化公司在碳化硅衬底领域的核心竞争力。基于产业链核心设备的国产化突破，在检测、离子注入、激活、氧化、减薄、退火等工艺环节积极布局产品体系，以高标准研发目标，逐步实现产品产业化市场突破，6-8英寸碳化硅外延设备实现国产替代并市占率领先。公司碳化硅设备客户包括瀚天天成、东莞天域、芯联集成、士兰微等行业头部企业。在蓝宝石产业链装备领域，公司开发了长晶、切片、研磨、抛光等系列设备，实现设备、工艺的高度融合，促进联合创新，提升公司蓝宝石材料领域的综合竞争力。

海特高新：在高性能集成电路设计与制造领域，已建成由国家发改委立项建设的国内首条6吋化合物半导体生产线，芯片制程涵盖GaAs（砷化镓），GaN（氮化镓），SiC（碳化硅），应用覆盖微波射频及电力电子领域，经过多年发展，已经构建了化合物半导体产业链中最核心的芯片制造能力。公司在5G基站功放芯片，GaN（氮化镓）快充芯片，SiC（碳化硅）充电桩芯片性能上处于国内领先地位，并发布了自动驾驶汽车激光雷达5G毫米波芯片工艺制程，发布了适用于新能源充电桩高效电能转换的SiC（碳化硅）功率芯片制程。公司取得了IATF16949汽车行业质量管理体系认证证书，标志着公司化合物半导体芯片成功获得进入汽车领域的绿色通行证，进一步夯实了产品推广应用基础，为公司参与汽车行业市场竞争提供了有力保障。在科装领域，公司立足核心装备自主可控，突破关键技术瓶颈，攻克诸多卡脖子技术，定制芯片数百款，承担了众多国家级重大科研项目，为航空航天、卫星通讯等核心装备研制及量产提供必要技术支撑，公司的研发实力及芯片制造能力处于行业一流地位。

立昂微：产品技术在多个创新领域有重大突破，技术水平进入全球第一梯队行列。整合并优化了化合物晶圆通用的铜柱工艺、开发了超突变结变容二极管工艺、超低噪声0.13μmpHEMT工艺、低轨卫星用射频芯片等新工艺和新器件。射频芯片产品开始进入低轨卫星终端客户，并实现大规模出货。开发了二维可寻址VCSEL工艺技术，配合客户打通瞬时功率超万瓦的VCSEL阵列芯片，能充分适应车载雷达的技术指标需求，将是国内首个进入量产的大功率VCSEL技术，成为行业内首家量产二维可寻址激光雷达VCSEL芯片的制造厂商。碳化硅基氮化镓芯片的开发按计划节点顺利推进。在射频和激光领域，积极推进了近20项新技术的开发，并及时支撑客户超过400套研发版的流片验证和磨合，有效支撑客户量产流片。

晶方科技：公司加强与以色列VisIC公司的协同整合，努力拓展车用高功率氮化镓技术，充分利用自身先进封装方面的产业和技术能力，为把握三代半导体在新能源汽车领域的产业发展机遇进行技术与产业布局。积极推进公司的市场拓展、技术研发及全球化生产与投资布局，在新加坡成立国际化平台，一方面对公司海外子公司与项目的投资架构进行规划调整，另一方面布局拓展海外市场、研发与生产中心，从而积极打造公司海外业务中心、研发工程中心与投融资平台，以此为基础在周边东南亚国家布局生产与制造基地，以更好贴近海外客户需求，推进工艺创新与项目开发，保持行业持续领先地位。

至纯科技：公司2022年8月22日在互动平台披露：公司湿法设备可覆盖晶圆制造各个工艺，可应用于第三代化合物半导体SIC碳化硅。截至目前国内几大头部碳化硅产品制造的客户已向公司订购SIC碳化硅相关湿法设备近40台。

中国西电：公司2023年1月20日在互动平台上披露：公司所属全资子公司西安西电电力系统有限公司，持有陕西半导体先导技术中心有限公司36%股权。2019年，为促进电力电子业务发展，经公司批准，同意由西电电力系统与陕西西安电子科大资产经营有限公司、西安高新产业投资有限公司和自然人共同出资设立陕西半导体先导技术中心有限公司。该公司注册资本5000万元，其中，西电电力系统出资2250万元，持股45%。

联动科技：公司半导体自动化测试系统主要覆盖功率半导体和模拟及数模混合集成电路测试系统领域。公司在功率半导体深耕20余年，具有深厚的技术储备和客户基础。经过多年发展，产品种类不断丰富，性能不断提升，目前已成为国内功率器件测试能力和功能模块覆盖面最广的供应商之一，测试产品覆盖功率二极管、MOSFET、IGBT、可控硅以及第三代半导体SiC、GaN等主流及功率模块，并凭借产品的性价比优势以及本土化销售及服务优势，陆续获得国内外知名半导体厂商的认可，与客户建立长期合作关系，品牌知名度和市场份额不断提高，现已占据领先的市场地位。公司模拟及数模混合集成电路测试系统在公司产品线中较新，且集成电路测试系统在客户端验证周期较长。公司自2015年规模销售以来逐步完善产品并拓展客户，目前仍处于产品开拓期。2023年，公司加大了新一代产品QT-8400系列测试系统的市场推广，该测试系统主要面向IGBT、第三代半导体碳化硅、氮化镓芯片和功率模块的电性能测试，下游应用主要集中在新能源、电动汽车、高铁等大功率应用领域。