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氮化镓概念股票|氮化镓板块龙头股资金流向(实时)

 
 板块概念股龙头股DDX数据(输入板块代码或拼音查询): 概念板块列表
 
氮化镓 ( 板块 994583 )
6060.2 -1.22 %
BBD: -7.40亿   成交额:217.66亿  开盘:6159.62  最低:6022.21  最高:6159.62  振幅:2.28%  更新时间:2025-11-04
DDX: -0.093   DDY: -0.14   特大单差: -4.1   大单差: 0.7   中单差: 2.2   小单差: 1.2   单数比:0.929  通吃率: -3.40%
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氮化镓概念股介绍
龙头公司介绍(入选板块理由)

京泉华:公司依托模型化设计平台以磁性元器件生产为基础,以电源产品同步开发为特色,形成了性能更可靠、质量更稳定、技术更先进的产品线,公司电源产品在氮化镓快充系列产品、无线充电器、模式二充电控制器、大功率电源等多个品类中形成了完整的产品族系列和迭代产品技术储备。公司电源类产品按照产品特性可分为电源适配器、充电器和定制电源,其中智能电源是定制电源产品系列中的技术含量高的产品。电源具体产品也包括:智能电源、氮化镓电源、电源适配器、裸板电源、LED电源、模块电源、医疗电源、工控电源、通信电源、光伏逆变电源、数字电源等多个系列。

海陆重工:2023年11月27日公司在互动平台披露,公司参股企业江苏能华微电子科技发展有限公司主营业务为设计、生产和销售以氮化镓(GaN)为代表的化合物半导体高性能晶圆、器件。

帝奥微:公司致力于大功率充电器(65W)氮化镓控制器的研发,降低开关损耗,提高系统效率,达到大功率小体积充电器的最优性价比,与在研的氮化镓同步整流产品一起为客户提供大功率快充的氮化镓整体解决方案。

ST易事特:2023年3月31日公司在互动平台披露,在第三代半导体领域,公司牵头筹建了广东省宽禁带半导体材料及器件创新中心并在2016年投资成立东莞南方半导体科技有限公司,现持有其4.67%股份,该参股公司主要承担国家第三代半导体产业南方基地、广东省第三代半导体材料及器件制造业创新中心建设任务。此外,公司也承担了2019年广东省科技厅第三代半导体重大专项中SiC功率器件应用技术研发及产业化课题,将第三代半导体氮化镓、碳化硅功率器件进行实际应用,逐步对公司现有产品的功率器件进行替代升级,实现更好效能。

中超控股:公司持有江苏民营投资控股有限公司5.21%的股权。另,2022年8月9日公司在互动平台披露,公司参股公司江苏民营投资控股有限公司通过旗下基金投资上海伟测半导体科技股份有限公司,上海伟测半导体科技股份有限公司IPO已于2022年5月26日获上交所科创板上市委审核通过。2021年12月2日公司在互动平台披露,江苏民营投资控股有限公司目前注册资本为100亿元,公司认缴金额为5亿元。苏民投及其相关控股企业投资的华绿生物、虹软科技、确成股份、上能电气等多家企业已成功上市。2020年9月公司在互动平台披露,公司参股子公司江苏民营投资控股有限公司参股了江苏能华微电子科技发展有限公司。

气派科技:公司5GMIMO基站微波射频功放塑封封装产品已于2020年大批量出货,2020年,公司基于5G基站的建立和高频化的技术要求,重点突破5G宏基站超大功率超高频异结构GaN功放塑封封装关键技术,目前已完成封装产线全线贯通和样品制造以及产品认证,处于小批量生产阶段,具备大批量生产能力。2023年,完成了客户新增6个型号的方案的验证,客户已在做相关可靠性和电性能验证,公司将持续跟进客户。

海特高新:在高性能集成电路设计与制造领域,已建成由国家发改委立项建设的国内首条6吋化合物半导体生产线,芯片制程涵盖GaAs(砷化镓),GaN(氮化镓),SiC(碳化硅),应用覆盖微波射频及电力电子领域,经过多年发展,已经构建了化合物半导体产业链中最核心的芯片制造能力。公司在5G基站功放芯片,GaN(氮化镓)快充芯片,SiC(碳化硅)充电桩芯片性能上处于国内领先地位,并发布了自动驾驶汽车激光雷达5G毫米波芯片工艺制程,发布了适用于新能源充电桩高效电能转换的SiC(碳化硅)功率芯片制程。公司取得了IATF16949汽车行业质量管理体系认证证书,标志着公司化合物半导体芯片成功获得进入汽车领域的绿色通行证,进一步夯实了产品推广应用基础,为公司参与汽车行业市场竞争提供了有力保障。在科装领域,公司立足核心装备自主可控,突破关键技术瓶颈,攻克诸多卡脖子技术,定制芯片数百款,承担了众多国家级重大科研项目,为航空航天、卫星通讯等核心装备研制及量产提供必要技术支撑,公司的研发实力及芯片制造能力处于行业一流地位。

奥海科技:2023年9月5日公司在互动易平台披露:公司拥有各主流功率氮化镓充电器。

聚灿光电:公司从事化合物光电半导体材料的研发、生产和销售业务,主要产品为GaN基蓝绿光LED外延片、芯片,2025年公司主要产品将增加GaAs基红黄光LED外延片、芯片。公司产品位于LED产业链上游,技术门槛和附加值均较高,所生产的产品应用领域为照明、背光、显示,主要为通用照明、植物照明、车载照明、手机背光、车载背光、屏幕显示、可穿戴设备、医疗美容等中高端应用领域。公司在深耕GaN基蓝绿光芯片基础上,进军GaAs基红黄光芯片领域,完成从单色系到全色系的圆满蜕变。2025年,公司将继续秉承 “聚焦资源、做强主业”的发展战略,坚持“调结构、提性能、创效益、铸品牌”的经营策略,稳健经营,坚定信心,踔厉奋发,勇毅前行,深耕LED外延片、芯片主业。

海能实业:在信号适配器产品领域,公司拥有各类信号(包含HDMI、DP、USB-C)转换、分配、切换、矩阵、延长产品的技术开发能力,能够提供完整的信号类产品解决方案。公司拥有自主开发算法的能力,能够使用MCU开发USB-C的系列化产品。公司研究开发了系列化音视频矩阵产品,产品功能模块化,具备电源供电模块、信号接入模块、信号输出模块等,且产品可以通过应用程序实现远程控制。在电源产品领域,公司具备业界领先的电源类产品研发制造技术,已经形成PC电源/墙充/无线充/车载充电器/排插/移动电源/车载逆变器系列化产品,并率先推出了氮化镓(GaN)PD300W电源产品系列/PC钛金1300W系列产品。

国星光电:2023年8月27日公司在互动平台披露,公司三代半产品主要分为氮化镓与碳化硅。目前氮化镓主要瞄准墙插快充、LED驱动市场,已在多家客户产品上得以应用,碳化硅主要瞄准充电桩、储能等领域,客户验证周期相对较长,目前出货量正稳步增长中。2022年9月1日公司在互动平台披露,第三代半导体是公司前瞻布局的重要方向之一,一方面,公司积极拓展第三代半导体新赛道,近期公司收购了专业从事半导体分立器件及集成电路研究、开发、生产、销售的风华芯电,以实现公司在半导体领域补链强链,提升自身实力巩固领先优势;另一方面,经过持续的技术创新和潜心研发,公司在第三代半导体领域已成功推出SiC功率分立器件、SiC功率模块和GaN器件三大类产品线路,可为市场提供高品质、高可靠性,多样化的半导体封测业务支持。目前,公司已建立三代半功率器件试产线,小批量产。

亚光科技:公司大力扩大芯片研发团队规模,形成设计、封装、测试全流程研发生产能力,集中突破砷化镓/氮化镓射频芯片关键技术,在芯片制造领域与国内流片厂深度合作,打造完整的新型半导体射频芯片产业链,在满足自用的基础上,逐渐扩大对外芯片设计、流片、测试和封装的整体芯片业务;并以5G/6G射频前端芯片和光通讯芯片为突破口,加快民品芯片设计服务拓展。2021年6月19日公司在互动平台披露:公司电子业务主要为军品,公司民品细分领域与其有所不同,主要集中在安防及专网通信领域。

南大光电:2023年报披露,公司主要研发项目包括低硅低氧TMA项目,项目目的:实现低硅低氧三甲基铝的研发和产业化,为第三代半导体AlGaN、AlN等外延片的生长提供核心原材料,服务于新能源汽车车载快充、5G射频功率放大器、紫外杀毒、手机快充和特高压输电等领域。项目进展:量产供应。

扬杰科技:公司持续增加对第三代半导体芯片行业的投入,加大在以SiC为代表的第三代半导体功率器件等产品的研发力度,以进一步满足公司后续战略发展需求。2024年公司在碳化硅尤其是SiCMOS市场份额持续增加,当前各类产品已广泛应用于AI服务器电源、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。2024年,公司联合相关公司参与了工信部《2024年大尺寸高质量氧化镓单晶衬底项目》,负责氧化镓SBD器件制备,是公司在技术实力与行业影响力方面双重提升的重要里程碑。车载模块方面,针对新能源汽车控制器应用,建设了全自动化车规功率模块产线,可年产三相桥HPD模块16.8万只。

三安光电:湖南三安系国内为数不多的碳化硅产业链垂直整合制造平台,产业链包括晶体生长—衬底制备—外延生长—芯片制程—封装测试,产品已广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、AI及数据中心服务器等领域。目前,湖南三安已拥有6吋碳化硅配套产能16,000片/月,8吋碳化硅衬底、外延产能1,000片/月,8吋碳化硅芯片产线正在建设中,拥有硅基氮化镓产能2,000片/月。2025年3月28日公司在互动平台披露:车载充电机、空调压缩机用SiCMOSFET已实现小批量出货,主驱逆变器用SiCMOSFET已在重点新能源汽车客户处导入可靠性验证。

安克创新:2022年9月6日公司在互动易平台披露:公司成立以来在充电领域不断积累技术优势,率先将氮化镓材料引入消费充电领域、推出可多设备兼容的PowerIQ智能快充技术等,用一代代创新的充电产品为更多的消费者带去便利和安全。

雷电微力:2024年10月11日公司在互动平台披露,公司在集成电路设计领域主要专注于化合物半导体技术,采用砷化镓、氮化镓高性能工艺线,特点是高频率、高性能、高集成度;在软件设计方面,公司的波束控制软件完全自主设计,具备成熟的架构,能够实现快速响应,并在波束切换、收发切换等关键指标具备较优的性能。

兆驰股份:兆驰半导体是全行业唯一一家全年满产满销及扣非后较大幅度盈利的芯片厂。2023年内,垂直一体化协同策略持续深入,战略重心倾向高附加值产品,最终实现由“规模”向“规模&价值”的高质量可持续发展。产能方面,氮化镓芯片扩产项目在2023年4月开始放量,于6月底已经实现产量100万片(4寸片),后续通过提升生产效率,截止12月底,氮化镓产量为105万片(4寸片),公司氮化镓芯片产能居行业第二,产销量居全行业第一;报告期内,砷化镓芯片产量为5万片(4寸片)。LED芯片的扩产为公司提升MiniRGB、MiniBLU、高端照明等高附加值市场份额提供源动力。2023年期间,公司量产MiniRGB芯片尺寸主要为04*08mil(100*200μm)、03*07mil(88*175μm)、03*06mil(70*160μm)、02*06mil(50*150μm),量产的芯片尺寸最终将到02*04mil(50*100μm)。截至目前,公司MiniRGB芯片单月出货量为10000KK组。2023年下半年,公司提升了应用在普通照明市场的LED芯片产品价格,并基于产能释放提升高附加值产品占比,如MiniRGB芯片、背光领域芯片、高毛利照明的产品结构占比。2023年期间,兆驰半导体成功进入三星供应链体系。

欧陆通:2023年7月24日公司在互动平台披露,公司电源适配器业务发展多年,布局覆盖3瓦-400瓦,产品品类及下游客户众多,应用领域广泛,目前公司已有多个电源适配器产品使用氮化镓技术,正在积极拓展海内外市场。

*ST铖昌:公司主营业务为微波毫米波相控阵T/R芯片的研发、生产、销售和技术服务,主要向市场提供基于硅基、砷化镓以及第三代半导体氮化镓工艺的系列化产品以及相关的技术解决方案。公司作为国内少数能够提供T/R芯片完整解决方案的企业之一,产品涵盖整个固态微波产品链,包括GaAs/GaN功率放大器芯片、GaAs低噪声放大器芯片、GaAs收发前端芯片、收发多功能放大器芯片、幅相多功能芯片、模拟波束赋形芯片、数控移相器芯片、数控衰减器芯片、功分器芯片、限幅器芯片等十余类高性能微波毫米波相控阵芯片,频率可覆盖L波段至W波段。目前公司产品已批量应用于星载、地面、机载相控阵雷达及卫星通信等领域。随着下游装备小型化、轻量化、高集成、低成本的发展需求,作为相控阵天线系统核心元器件之一的T/R芯片,其性能则直接影响整机的各项关键指标,在集成度、功耗、效率等技术指标也提出了高要求。公司将会继续加大研发投入,满足客户产品高频化、高集成度、轻量化、多功能化的技术需求,并布局行业性前瞻技术研究,保持公司产品先进性水平。

龙头公司介绍(入选板块理由)
行情数据
序号股票代码名称|自选股1|自2|自3|查股数据
1002885京泉华 分时 日线 板块
2002255海陆重工 分时 日线 板块
3688381帝奥微 分时 日线 板块
4300376ST易事特 分时 日线 板块
5002471中超控股 分时 日线 板块
6688216气派科技 分时 日线 板块
7002023海特高新 分时 日线 板块
8002993奥海科技 分时 日线 板块
9300708聚灿光电 分时 日线 板块
10300787海能实业 分时 日线 板块
11002449国星光电 分时 日线 板块
12300123亚光科技 分时 日线 板块
13300346南大光电 分时 日线 板块
14300373扬杰科技 分时 日线 板块
15600703三安光电 分时 日线 板块
16300866安克创新 分时 日线 板块
17301050雷电微力 分时 日线 板块
18002429兆驰股份 分时 日线 板块
19300870欧陆通 分时 日线 板块
20001270*ST铖昌 分时 日线 板块
序号股票代码名称|自选股1|自2|自3|查股数据
行情数据DDE数据资金单数单差数据特大(%)大单(%)小单(%)通吃率(%)主动率(%)
最新价涨幅换手率量比DDXDDYDDZ5日10日连续连增成交量(万元)BBD(万元)单数比买入卖出特大差大单差中单差小单差买入卖出买入卖出买入卖出通吃率1日通吃率5日通吃率10日通吃率20日主动率1日主动率5日主动率10日流通盘(万股)
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最新价涨幅换手率量比DDXDDYDDZ5日10日连续连增成交量(万元)BBD(万元)单数比买入卖出特大差大单差中单差小单差买入卖出买入卖出买入卖出通吃率1日通吃率5日通吃率10日通吃率20日主动率1日主动率5日主动率10日流通盘(万股)
氮化镓概念板块解析(994583) 氮化镓龙头股概念股一览
氮化镓(GaN、Gallium nitride)是氮和镓的化合物,属于第三代半导体材料。GaN材料的优势主要是成本低,易于大规模产业化。
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