氮化镓概念股票|氮化镓板块龙头股资金流向(实时)

中超控股：2023年11月13日公司在互动平台披露，江苏能华微电子科技发展有限公司为公司参股公司江苏民营投资控股有限公司的参股公司，江苏能华已建立了GaN功率器件生产线。

欧陆通：2023年7月24日公司在互动平台披露，公司电源适配器业务发展多年，布局覆盖3瓦-400瓦，产品品类及下游客户众多，应用领域广泛，目前公司已有多个电源适配器产品使用氮化镓技术，正在积极拓展海内外市场。

赛微电子：2026年2月27日公司在互动平台披露，聚能创芯于2023年完成融资后不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围；但这并不意味着公司不再关注GaN领域，公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。

扬杰科技：公司持续增加对第三代半导体芯片行业的投入，加大在以SiC为代表的第三代半导体功率器件等产品的研发力度，以进一步满足公司后续战略发展需求。2024年公司在碳化硅尤其是SiCMOS市场份额持续增加，当前各类产品已广泛应用于AI服务器电源、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。2024年，公司联合相关公司参与了工信部《2024年大尺寸高质量氧化镓单晶衬底项目》，负责氧化镓SBD器件制备，是公司在技术实力与行业影响力方面双重提升的重要里程碑。车载模块方面，针对新能源汽车控制器应用，建设了全自动化车规功率模块产线，可年产三相桥HPD模块16.8万只。

久立特材：2022年3月29日公司在互动平台披露，公司的下属全资子公司久立投资通过湖州诚镓间接参股了晶湛半导体，参股比例较小，对本公司整体影响有限。苏州晶湛半导体官网披露，晶湛半导体致力于为电力电子以及微显示等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案，也是目前国际上可供应300mm硅基氮化镓外延产品的先锋厂商，技术实力处于国际领军地位。

德龙激光：根据下游应用领域和技术路径的不同，公司精密激光加工设备主要分为半导体领域激光加工设备、显示领域激光加工设备、新型电子领域激光加工设备及新能源领域激光加工设备。公司主要产品情况具体如下：①半导体领域激光加工设备：包括：（1）碳化硅、氮化镓等各类半导体晶圆的切割、划片；（2）LED/MiniLED晶圆切割、裂片；（3）MicroLED激光剥离、激光巨量转移；（4）集成电路传统封装及先进封装应用：如硅隐切、玻璃通孔（TGV）、激光开槽（low-k）、晶圆打标、模组钻孔（TMV）、激光解键合、辅助焊接等。

和而泰：控股子公司铖昌科技作为T/R芯片研发和量产单位的民营企业代表之一，在技术及成本上具有双优势。2025年10月30日公司在互动平台披露，卫星互联网低轨卫星行业发展提速，随着卫星的批量发射和组网应用，该领域将成为铖昌科技营收新的增长点。铖昌科技保持在卫星地面终端领域的领先优势，与产业下游用户合作关系紧密，针对下一代低轨通信卫星以及地面配套设备新研发出多款产品。2025年7月15日公司在互动平台披露，铖昌科技主要向市场提供基于硅基、砷化镓、第三代半导体氮化镓工艺的系列化产品以及相关的技术解决方案。2025年5月15日公司在互动平台披露，铖昌科技作为国内少数能够提供相控阵T/R芯片完整解决方案的企业，目前产品已批量应用于探测、遥感、通信、导航等多个领域。2024年4月8日公司在互动平台披露，铖昌科技对于5G毫米波通信应用进行了毫米波束赋形芯片的研发，相关产品已经多轮迭代开发。

利亚德：2022年8月31日公司在互动平台披露，公司主要是基于参股公司Saphlux研发的第三代半导体做LED的应用开发。2024年4月16日公司在互动平台披露，半极性氮化镓材料被视为下一代氮化镓，据了解，Saphlux的半极性氮化镓材料尚需进一步研发，目前未进入大规模应用阶段。

捷捷微电：2025年1月13日公司在互动平台披露，公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利5件，此外，公司还有9个发明专利和2个实用新型专利尚在申请受理中。

帝奥微：公司致力于大功率充电器（65W）氮化镓控制器的研发，降低开关损耗，提高系统效率，达到大功率小体积充电器的最优性价比，与在研的氮化镓同步整流产品一起为客户提供大功率快充的氮化镓整体解决方案。

新洁能：公司第二代SiC MOSFET平台已全面进入量产，电压段覆盖650V/750V/900V/1200V平台，导通电阻覆盖13mohm~160mohm，新增产品型号20余款，相关产品已通过车规级AEC-Q101可靠性考核，并通过多家头部客户测试评估，实现批量供货，主要用于光伏储能、新能源汽车充电桩、汽车OBC、工业可靠性设备、工业电源、工业自动化、家用电器等领域。公司完成2.5代SiC MOSFET产品开发，新增750V/1200V/1700V电压平台，导通电阻涵盖13mohm~1ohm，新增产品型号10余款，相关产品已通过车规级AEC-Q101可靠性考核，并通过多家头部客户测试，处于小批量供货阶段。第三代SiC MOSFET产品平台完成工艺流程设计，相关产品处于开发阶段。100V/200V GaN 产品开发中。

*ST铖昌：公司主营业务为微波毫米波相控阵T/R芯片的研发、生产、销售和技术服务，主要向市场提供基于硅基、砷化镓以及第三代半导体氮化镓工艺的系列化产品以及相关的技术解决方案。公司作为国内少数能够提供T/R芯片完整解决方案的企业之一，产品涵盖整个固态微波产品链，包括GaAs/GaN功率放大器芯片、GaAs低噪声放大器芯片、GaAs收发前端芯片、收发多功能放大器芯片、幅相多功能芯片、模拟波束赋形芯片、数控移相器芯片、数控衰减器芯片、功分器芯片、限幅器芯片等十余类高性能微波毫米波相控阵芯片，频率可覆盖L波段至W波段。目前公司产品已批量应用于星载、地面、机载相控阵雷达及卫星通信等领域。随着下游装备小型化、轻量化、高集成、低成本的发展需求，作为相控阵天线系统核心元器件之一的T/R芯片，其性能则直接影响整机的各项关键指标，在集成度、功耗、效率等技术指标也提出了高要求。公司将会继续加大研发投入，满足客户产品高频化、高集成度、轻量化、多功能化的技术需求，并布局行业性前瞻技术研究，保持公司产品先进性水平。

海特高新：参股公司华芯科技建有国内首条6吋化合物半导体生产线，是经国家发改委立项并建设的具有国际先进水平的高性能集成电路制造生产线，开发了成熟稳定的砷化镓有源/无源、氮化镓功率芯片、射频功放芯片、光电感知芯片、碳化硅功率芯片六大工艺制程。产品应用涵盖5G移动通信、雷达探测、新能源汽车及充电桩、光伏、轨道交通、消费类电子、光纤通讯、3D感知等领域。参股公司华芯科技建有高性能集成电路生产线，积极把握高性能、多功能集成电路发展的重要机遇，持续加大技术研发投入，在氮化镓、砷化镓、碳化硅三个新材料芯片方向实现了技术突破，建立了快充芯片、功放芯片、光电感知芯片、新能源芯片等的制造能力。公司在碳化硅、氮化镓第三代半导体芯片制造领域，专利数量排在国内前列,是中国5G联合技术创新中心成员，参与了5G器件标准制定。公司在5G基站功放芯片，GaN（氮化镓）快充芯片，SiC（碳化硅）充电桩芯片性能上处于国内领先地位，并发布了自动驾驶汽车激光雷达5G毫米波芯片工艺制程。

兆驰股份：2025年11月16日公司在互动平台披露，公司已形成对砷化镓、磷化铟、氮化镓等材料体系的覆盖，产品广泛应用于车载照明、显示背光、智能终端、安防传感、光通讯五大核心领域。

海能实业：在信号适配器产品领域，公司拥有各类信号（包含HDMI、DP、USB-C）转换、分配、切换、矩阵、延长产品的技术开发能力，能够提供完整的信号类产品解决方案。公司拥有自主开发算法的能力，能够使用MCU开发USB-C的系列化产品。公司研究开发了系列化音视频矩阵产品，产品功能模块化，具备电源供电模块、信号接入模块、信号输出模块等，且产品可以通过应用程序实现远程控制。在电源产品领域，公司具备业界领先的电源类产品研发制造技术，已经形成PC电源/墙充/无线充/车载充电器/排插/移动电源/车载逆变器系列化产品，并率先推出了氮化镓（GaN）PD300W电源产品系列/PC钛金1300W系列产品。

雷电微力：2024年10月11日公司在互动平台披露，公司在集成电路设计领域主要专注于化合物半导体技术，采用砷化镓、氮化镓高性能工艺线，特点是高频率、高性能、高集成度；在软件设计方面，公司的波束控制软件完全自主设计，具备成熟的架构，能够实现快速响应，并在波束切换、收发切换等关键指标具备较优的性能。

国星光电：2025年9月29日公司在互动平台披露，子公司国星半导体拥有深厚技术积累与全链条布局。作为国家级专精特新“小巨人”企业，公司深耕碳化硅、氮化镓等第三代半导体领域十余年，公司关键技术获省技术发明奖一等奖，并协同“芯片+封装”垂直一体化优势，不断提升产品核心竞争力，目前主要产品已进入市场主流梯队。

新风光：2026年3月16日公司微信公众号披露，近日，公司与远山新材料科技有限公司在山东济宁签署战略合作框架协议。双方宣布正式建立全面战略合作伙伴关系，未来将围绕第三代半导体技术在高端电力电子装备领域的应用，开展从技术研发、产业配套到协同发展的全方位深度合作。根据协议，双方将在高压氮化镓功率器件领域展开深度技术交流，重点围绕新风光变频器、储能变频器（PCS）、SST等核心产品对高频、高压元器件的实际需求，共同探索定制化GaN器件及功率模块的研发路径。双方将共同打造“核心芯片+高端装备”的联合品牌效应，依托各自行业影响力，加速推动第三代半导体技术在新型电力系统中的国产化进程。

固高科技：2025年10月29日公司微信公众号披露，经过多年精心研发与严格测试，针对性地攻克氮化镓功率管在伺服驱动系统中的应用难题，全新的氮化镓驱动器产品-GSFDGaN正式发布，为广大电子工程师及相关行业带来了突破性的解决方案。

芯导科技：公司开发了高压GaN HEMT技术平台、低压GaN HEMT技术平台；高压平面型SiC MOS技术平台、SiC JBS结势垒技术平台；针对IGBT产品，公司开发了通用沟槽型IGBT技术平台、新能源用精细沟槽结构的IGBT技术平台。公司SiC产品，包含SiC SBD系列和SiC MOSFET系列。SiC SBD系列包含650V/1200V/1700V电压档，其中650V SBD产品已在PD客户端出货，1200V SBD产品已在多家大功率系统客户测试验证中，1700V SBD产品陆续产出。SiC MOSFET系列包含650V/1200V/1700V电压档，正在有序开发中，其中1200V产品在充电桩、逆变器等领域均有客户验证测试中，650V产品在PD快充、适配器等客户方案验证中。