捷捷微电概念题材|捷捷微电所属行业地域板块

充电桩：充电桩是为电动汽车充电的充电设施，是由桩体、电气模块、计量模块等部分组成。

逆变器：（1）逆变器是指将直流电变成频率、幅值可调的交流电的电力电子设备，主要分为组串式、集中式、微型逆变器三种； （2）我国光伏逆变器行业产业链具备资金密集、技术壁垒高等特点，其产业链上游参与者以提供相关电子元器件的供应商为主，中游参与者为光伏逆变器厂商，下游为终端用户；

江苏：暂无该板块的介绍！

融资融券：融资融券是指，投资者向具有融资融券业务资格的证券公司提交保证金，借入资金买入上市证券（融资交易），或借入上市证券并卖出（融券交易）的行为。

中盘：选取每日收市后既不属于大盘，也不属于小盘的作为中盘的次日成份股予以调入。

5G：狭义上来说，5G是指第五代移动通信技术的无线接入网技术。从广义上来看，还泛指包括无线接入网、核心网及相关支撑系统的完整的技术体系。

华为：选取与华为有业务合作的上市公司，或者上市公司产品进入华为供应链体系的予以入选。

新能源车：（1）新能源汽车是指采用新型动力系统，完全或主要依靠新型能源驱动的汽车，包括插电式混合动力(含增程式)汽车、纯电动汽车和燃料电池电动汽车等。（2）新能源汽车产业链覆盖范围广泛，从上游环节来看，涵盖锂矿等资源的开采，以及电芯生产所需的正极材料、负极材料、电解液、隔膜等关键电池材料；中游聚焦于关键的电池、电机、电控系统，以及智能驾驶、网联化系统配套的各类零部件制造；下游则延伸至整车的生产制造，以及后续市场的服务环节，包括售后、充换电、金融等相关业务。

专精特新：专精特新“小巨人”企业是指，具有“专业化、精细化、特色化、高新化”特征的工业中小企业，也是相关行业内专注于细分市场、创新能力强、市场占有率高、掌握关键核心技术、质量效益优的“排头兵”企业。

氮化镓：氮化镓（GaN、Gallium nitride）是氮和镓的化合物，属于第三代半导体材料。GaN材料的优势主要是成本低，易于大规模产业化。

中芯国际：选取上市公司业务中有与中芯国际有来往的企业予以入选。

电子设备：(1)电子设备包括计算机、通信和其他电子设备制造业等。 (2)中国电子元件“十二五”规划:2011年7月12日电子元件协会发布《中国电子元件“十二五”规划》。未来五年，我国电子元件行业销售收入总额达到1.88万亿元，年均增长10%。规划提出，到2015年，我国电子元件行业销售收入总额达到1.88万亿元，占我国电子信息产业收入的20%。电子元件总产量超过2.8万亿只，年均增长5.7%，满足国内70%的市场需求，电子元件出口总额达到860亿美元，年均增长10%。 (3)国务院电子产业规划：国务院正式发布《电子信息产业调整和振兴规划》，提出目标：产业发展对GDP增长的贡献不低于0.7个百分点，三年新增就业岗位超过150万个，软件和信息服务收入比重将从12%提高到15%。三大任务：确保计算机、电子元器件、视听产品等骨干产业稳定增长；突破集成电路、新型显示器件、软件等核心产业的关键技术；在通信设备、信息服务、信息技术应用等领域培育新的增长点。七大举措：落实扩大内需措施、加大国家投入、加强政策扶持、完善投融资环境、支持优势企业并购重组、进一步开拓国际市场、强化自主创新能力建设。 (4)“十三五”规划纲要中指出，实施国家大数据战略。把大数据作为基础性战略资源，全面实施促进大数据发展行动，加快推动数据资源共享开放和开发应用，助力产业转型升级和社会治理创新。全面推进重点领域大数据高效采集、有效整合，深化政府数据和社会数据关联分析、融合利用，提高宏观调控、市场监管、社会治理和公共服务精准性和有效性。

汽车电子：汽车电子是车体汽车电子控制装置和车载汽车电子控制装置的总称。车体汽车电子控制装置，包括发动机控制系统、底盘控制系统和车身电子控制系统（车身电子ECU）。汽车电子最重要的作用是提高汽车的安全性、舒适性、经济性和娱乐性。用传感器、微处理器MPU、执行器、数十甚至上百个电子元器件及其零部件组成的电控系统。

第三代半导体：第三代半导体（也称为宽能隙半导体材料）是指以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石、氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体材料。

半导体：半导体设备和材料处于产业链上游，是推动技术进步的关键环节。半导体设备和材料应用于集成电路(IC)、LED、MEMS、分立器件等领域，其中以IC领域的占比和技术难度最高。

深证成指：（1）深证成指定位兼具价值尺度与投资标的功能，从深圳证券交易所挂牌上市的所有股票中抽取具有市场代表性的500家上市公司。

小米：本概念板块选取上市公司的业务中与小米有合作关系的予以入选。

芯片：芯片是集成了许多晶体管、电容、电阻、电感等元器件以及相关的电路，用来实现某种特定的功能，具有高度集成和小型化的特点。

IGBT：IGBT是指绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor），是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。它是电力电子器件中技术最为先进、市场前景广阔的电子元器件。