IGBT概念股票|IGBT板块龙头股资金流向(实时)

骄成超声：公司已经推出超声波铝线键合机、超声波铜线键合机、超声波端子焊接机、超声波 Pin 针焊接机、超声波扫描显微镜等超声波应用解决方案，上述产品目前主要应用在功率半导体封测工序，已经实现国内多家客户订单导入。在该领域，公司与上汽英飞凌、中车时代、振华科技、宏微科技、士兰微、芯联集成、长飞半导体等行业内知名企业保持良好合作。报告期内，公司第三代超声波扫描显微镜结合AI智能算法，借助人工智能算法实现优秀的特征提取能力，可以自适应提取并识别缺陷、自动计算缺陷尺寸（如自动计算空洞率）、筛选合格或不合格产品，有效解决传统检测方式的局限性，提升了检测缺陷的准确性和效率。另外，公司可应用于半导体晶圆、2.5D/3D封装、面板级封装等产品检测的先进超声波扫描显微镜，已成功获得国内知名客户验证性订单。公司的超声波扫描显微镜广泛应用于半导体晶圆、芯片、2.5D/3D封装、IGBT模块/SiC器件、基板（陶瓷DBC/金属板AMB）和锂电池等产品的检测。

闻泰科技：公司在二极管/晶体管、ESD和中低压MOSFET等传统产品线保持一向稳健的市场表现，为公司贡献了稳定的现金流，有力支撑了公司在中高压MOSFET、IGBT、GaN、SiC和更多的模拟IC产品的研发。在三代半领域，公司实现了GaN产品D-M系列产品工业和消费领域的销售，同时E-M产品通过所有测试认证，于2024年开始销售，奠定了安世在GaN领域的行业地位；公司实现了SiC整流管的工业消费级的量产和MOSFET的工业消费级的测试验证，为2024年SiC工业和消费的量产打下了坚实的基础，SiC MOSFET产品线的建立，让公司进入三代半1200V高压市场，拓展新的增长空间。公司实现了IGBT模组平台和产品的测试认证，PMIC系列产品的测试认证并实现量产，这标志公司半导体业务的BCD平台和产品线正式进入市场，开拓了新的蓝海。此外，2023年荷兰政府批准公司半导体业务收购NOWI公司，将在IoT应用方面为公司带来新的增长空间。在投入研发的同时，公司通过与行业合作伙伴合作提升产品创新能力，发挥协同作用，推动技术能力升级，确保产品的长期稳定供应，为公司在三代半领域的持续发展拓展更大空间。

中微半导：功率器件又叫功率分立器件，是在电力控制电路和电源开关电路中必不可少的电子元器件，主要用于电子电力的开关、功率转换、功率放大、线路保护等。MOSFET和IGBT的推出，集高频、高压、大电流于一身，使功率器件的应用从单一的电力领域迅速渗透到消费电子、汽车电子、新能源、变频家电等各大领域。功率器件属于模拟电路，相对于数字电路，开发难度较大，需要有长期的技术积累。公司早在2013年第一款1350V沟槽型终止IGBT就实现量产。目前，公司推出新一代的SGTMOS、IGBT和CSPMOS，丰富了公司的产品系列，提升了公司一站式整体解决方案的能力。

高新发展：森未科技IGBT器件系列产品全面采用沟槽栅+场截止技术，覆盖600-1700V以及低、中、高频应用领域，对标全球IGBT龙头英飞凌的同类芯片产品。其中，模块提供多种封装形式，H类、D类、F类、B类等，可实现与国际主流厂商的PINTOPIN替换；单管提供TO-220F、TO-247、TO-247plus、TO-264等多种封装形式。产品应用于工业变频、高频感应加热、特种电源、新能源汽车、新能源发电市场。报告期，森未科技已成功发布多款第七代沟槽栅+场截止技术产品，具备更低损耗、更高性能、更高密度，成功应用在充电桩，光伏逆变器等市场；积极布局第三代功率半导体，成功发布SiCSBD产品，并向车用SiCMosfet系列产品延展。

利欧股份：2020年8月，公司及全资子公司福建平潭元初投资有限公司（简称“平潭元初”）与上海众挺智能科技有限公司（简称“众挺智能”）签署了《合资协议书》，各方将就IGBT芯片及模组生产项目以合资公司的形式开展合作。本项目产品包括DISCRETE、IPM、PIM等封装的工业级、车规级IGBT及使用碳化硅及氮化镓材料的IGBT（最前沿的IGBT半导体材料技术），还可根据客户需求定制各类工业级及车规级IGBT，重点应用于高端制造、新能源（风电、光伏发电）、轨道交通、新能源汽车、国防军工等领域。本项目一期工程计划投资3条生产线，预计投资额为4.5亿元人民币。第一条生产线预计在合资公司设备到厂后6个月实现量产。

京运通：新材料业务为单晶硅产品的研发、生产和销售，主要产品包括光伏级的直拉单晶硅棒及硅片，半导体级的区熔单晶硅棒及硅片。其中，光伏级单晶硅片包括G12、G12R、M10、G10等多种规格，下游客户主要是行业内主流的电池及组件企业；半导体级区熔单晶硅棒及硅片包括5吋以下、6吋、8吋等规格，区熔单晶硅产品可满足IGBT、可控硅等大功率电子器件的应用需求。2024年，公司销售光伏单晶硅片约21.44亿片，截至2024年底，公司乐山二期项目主体框架建设工作已完成，核心生产设备已安装、调试完毕并达到预定可使用状态。公司8吋区熔单晶生产工艺及综合效能不断提升，成功使用国产原料拉制8吋区熔单晶，初步完成原料国产化替代。

振华科技：2021年8月5日公司在互动平台披露，公司的IGBT产品从2019年开始向客户供货，现已完成31款型号的研发，受客户产品试验认证等影响，目前仍处于小批量供货阶段。公司暂时没有计划开发车规级IGBT产品，公司IGBT产品目前应用领域为特种行业。2022年5月9日公司在互动平台披露，公司IGBT芯片可应用于新能源车。

华润微：2024年上半年，IGBT产品线在工业（含光伏）、汽车电子领域销售占比超过70%。充电桩市场头部客户稳定供货，并且导入多个新客户。车规产品批量供应给汽车电子动力总成、热管理、OBC等应用领域Tier1厂家。加快平台迭代升级与产品开发，依托公司先进的微沟槽工艺推出650VR版全系列产品，产品性能达到国际主流产品水平，完成市场端批量供应。在行业内率先推出750V高性能产品，实现光储市场批量交付。

福赛科技：公司的控股子公司福赛宏仁作为嵌件成型领域的高新技术企业，专注于汽车电驱与电控系统产品的技术研发与制造。截至目前产品已配套日产、宝马、丰田、本田、奇瑞、比亚迪、长城、沃尔沃等主机厂，主要服务于日立Astemo、汇川联合动力、爱信中国、富士电机、田村制造所、Sanken电气、比亚迪、瑞迪微电子、臻驱科技等Tier1客户。产品涵盖IGBT CASE、汇流排（Busbar）、SIC模块侧框、电流传感器、泵体、电抗器等，广泛应用于新能源电驱系统、混动控制单元及车载电源模块。福赛宏仁拥有完善的研发与制造体系，配备智能化生产线，客户网络覆盖中国、日本、墨西哥及泰国等全球主要汽车市场。

斯达半导：公司主营业务是以IGBT和SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位于浙江嘉兴，在上海、重庆、欧洲设有子公司，并在国内和欧洲均设有研发中心。公司长期致力于IGBT、快恢复二极管、MOSFET等功率芯片的设计和工艺及IGBT、SiC MOSFET等功率模块的设计、制造和测试，公司的产品广泛应用于工业控制和电源、新能源、新能源汽车、白色家电等领域。IGBT被称为电力电子行业里的“CPU”，广泛应用于新能源、新能源汽车、电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子等领域。2023年，公司生产的应用于主电机控制器的车规级IGBT模块持续放量，合计配套超过200万套新能源汽车主电机控制器。公司在车用空调，充电桩，电子助力转向等新能源汽车半导体器件份额进一步提高。

东微半导：2023年，公司转换TGBT(创新型 IGBT产品)竞争策略，加大TGBT大功率产品研发投入力度，积极拓展除微型逆变器及储能之外的其他光储、电站应用场景，并配合终端IGBT模块厂商进行电站、新能源汽车主驱的客户导入、产品验证工作，获得最终客户的好评。公司E系列高速TGBT产品被批量应用于60kHz频率电源系统，实现高速IGBT领域的国产替代。L系列TGBT实现了极低的Vcesat，对国外的超低VcesatIGBT实现了替代。此外，公司TGBT产品在300KW以上的大功率储能应用领域亦进入认证阶段。公司研发的基于TGBT技术的高速大电流功率器件600/650VHybrid-FET开发成功，出货量迅速增加，其高性能得到了市场的认可。公司1200V第二代TGBT技术在效率与成本方面都得到了进一步提升，开发出1200V100A、140A和150A单管产品，可以替换国际领先的1200V产品。

长电科技：在汽车电子领域，公司设有专门的汽车电子事业中心，通过整合集团车规市场，销售，技术，生产等优势资源，搭建汽车芯片封装整体解决方案平台，站在客户视角，充分理解客户，满足客户需求，以此规划和运营汽车电子业务，依托多年持续耕耘的封装技术，积极与Tire1/OEM厂商建立战略伙伴关系，并制定多样化产品路线图，为客户提供更多样，更有价格竞争力的车规芯片封测解决方案，持续扩大业务版图，实现在汽车电子领域的迅速拓展，产品类型已覆盖智能座舱、智能网联、ADAS、传感器和功率器件等多个应用领域。公司已加入国际AEC汽车电子委员会，是中国大陆第一家进入的封测企业。公司海内外六大生产基地工厂全部通过IATF16949认证（汽车行业质量管理体系认证）。本报告期，公司于上海临港成立合资公司长电汽车电子，并进一步联合产业基金二期、上海国资经营公司、上海基金二期等向长电汽车电子增资至48亿元，在上海临港新片区加速打造大规模高度自动化的生产车规芯片成品的先进封装基地。

燕东微：公司为了应对激烈的市场竞争，不断加大新产品研发力度，逐步实现从面向消费类电子市场为主调整为面向新能源、工业、汽车等新领域为主，具体情况如下：8英寸生产线：2023年IGBT和FRD等新工艺平台产品通过了国内头部车企客户的可靠性认证，实现了稳定量产，公司产品正式进入车规级市场。MOS、BCD等工艺平台持续稳定量产，良率保持在98%以上；12英寸生产线：2023年内完成首款高密度功率器件产品的可靠性认证，良率持续提升；第二款产品完成样品开发并提交客户可靠性验证，正在小批量流水；6英寸SiC生产线：本年度SiC基业务板块稳步发展，1200VSiCMOS器件产品已产出合格样品，各项参数合格，提交客户验证。

科威尔：公司在功率半导体领域围绕着装备的国产化和自动化进行布局，一方面不断丰富功率模块的各类测试设备，匹配功率模块研发和产线测试需求；另一方面借助自动化的配套能力提升公司产品竞争力，向封测装备领域延展。功率半导体测试及智能制造装备产品线包括IGBT动态测试系统、IGBT静态测试系统、功率器件热特性测试系统以及自动化测试工作站、自动化封测产线整体解决方案等。

士兰微：2023年，公司IGBT（包括IGBT器件和PIM模块）的营业收入已达到14亿元，较去年同期增长140%以上。基于公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块，已在比亚迪、吉利、零跑、广汽、汇川、东风、长安等国内外多家客户实现批量供货；公司用于汽车的IGBT器件（单管）、MOSFET器件（单管）已实现大批量出货，公司用于光伏的IGBT器件（成品）、逆变控制模块、SiC MOS器件也实现批量出货。同时，公司应用于汽车主驱的IGBT和FRD芯片已在国内外多家模块封装厂批量销售，并在进一步拓展客户和持续放量过程中。公司已完成第Ⅲ代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。基于公司自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块，已通过部分客户测试，已在2024年一季度开始实现批量生产和交付，预计全年应用于汽车主驱的碳化硅PIM模块的销售额将达到10亿元人民币。公司正在加快汽车级IGBT芯片、SiC-MOSFET芯片和汽车级功率模块（PIM）产能的建设。

芯联集成：功率控制包含IGBT、MOSFET（包含SiC）芯片及模组：中低压MOSFET产品覆盖车载、工控、消费多个领域，电压平台覆盖12V~200V,高压MOSFET多次外延及深沟槽工艺两个平台，产品应用于OBC、充电桩、光伏等领域。持续推动IGBT晶圆产品产能上量至8万片/月，8英寸产线总产能上量至17万片/月；12英寸晶圆产品设计产能1万片/月（等效8英寸产能2.25万片/月）；SiCMOSFET已大规模进入量产，出货至年底已上量5000片/月以上，3年时间已开发三代产品，第二代芯片产品进入量产，助力国产新能源汽车快速发展。

时代电气：在功率半导体领域，公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。公司生产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通和特高压输电核心器件由国外企业垄断的局面，目前正在解决我国新能源汽车、新能源发电装备的核心器件自主化问题。2024年，IGBT模块交付在轨交、电网领域市场份额大幅领先，占有率国内第一，电网市场中标7条线，首次斩获海外柔直项目大批量订单，新能源市场快速突破，根据NE时代统计数据，公司2024年新能源乘用车功率模块装机量达225.6万套，市占率约13.7%，仅次于比亚迪排名第二，新能源发电市场IGBT模块出货量增长迅速，7.5代超精细沟槽栅产品效率和出流能力达到国际领先水平，半导体三期项目宜兴产线成功投产。传感器业务轨交领域市占率持续领先，首次斩获电网订单。

新洁能：相比于去年同期，2023年变动较大。随着整体经济环境的变化以及季节气温的回暖等，2023年内光伏储能海外市场的需求出现部分下滑，同时国内外IGBT产品供应商的产能增加，市场的供需关系发生一定变化。面对市场现状，公司一方面保持与阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源等头部客户的紧密合作，及时了解市场波动及客户需求情况，提供更具性价比的合作方案；另一方面加强新产品的开发，积极推动更多大电流单管IGBT和模块产品的放量进度，在保证光伏储能领域的国产IGBT单管龙头地位的同时，推动公司的IGBT模块产品在光伏储能领域的快速推广。预计2024年光伏储能需求会有所回暖，将有力支撑公司业绩的进一步向好。

捷捷微电：公司专业从事功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售，具备以先进的芯片技术和封装设计、制程及测试为核心竞争力的业务体系，业务模式以IDM模式为主。公司是集功率半导体器件、功率集成电路、新型元件的芯片研发和制造、器件研发和封测、芯片及器件销售和服务为一体的功率（电力）半导体器件制造商和品牌运营商。公司主营产品为各类电力电子器件和芯片，分别为：晶闸管器件和芯片、防护类器件和芯片（包括：TVS、放电管、ESD、集成放电管、贴片Y电容、压敏电阻等）、二极管器件和芯片（包括：整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管等）、厚膜组件、晶体管器件和芯片、MOSFET器件和芯片、IGBT器件及组件、碳化硅器件等。

扬杰科技：公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体硅片、芯片及器件设计、制造、封装测试等中高端领域的产业发展。公司主营产品主要分为三大板块，具体包括材料板块（单晶硅棒、硅片、外延片）、晶圆板块（5吋、6吋、8吋硅基及6吋碳化硅等各类电力电子器件芯片）及封装器件板块（MOSFET、IGBT、SiC系列产品、整流器件、保护器件、小信号及其他产品系列）。产品广泛应用于汽车电子、人工智能、清洁能源、5G通讯、智能安防、工业、消费类电子等诸多领域，为客户提供一站式产品、技术、服务解决方案。公司注册地址为江苏扬州维扬经济开发区。