碳化硅概念股票|碳化硅板块龙头股资金流向(实时)

东尼电子：公司半导体行业产品为碳化硅半导体材料。公司主要生产导电型碳化硅衬底材料，为半导体器件制造的关键原材料，可广泛应用于功率器件，需求有望随着器件市场规模的增长而取得快速增长，根据Yole数据，2021年全球导电型碳化硅衬底市场规模为3.80亿美元，预计2027年将增长至21.6亿美元。

瑞纳智能：公司全资子公司合肥高纳半导体科技有限责任公司主要从事第三代半导体SiC单晶生长和设备研发、SiC衬底加工、SiC外延生产销售。公司重点研发和生产第三代半导体材料碳化硅晶体，目前有8英寸电阻炉和电感炉10台。公司将继续加快碳化硅晶体的研制工作，力争尽快实现小规模量产，同时进行衬底加工生产线的建设及其研发、验证和小规模量产。公司在碳化硅制程相关设备成立了专门的研发团队，为未来市场化布局核心技术和竞争力。

中兵红箭：红宇专汽为军民结合型企业，是河南省企业技术中心、工程研究中心、工程技术研究中心，高新技术企业、河南省技术创新示范企业、河南省创新型试点企业、获得河南省“AAA”级信誉企业认证。主要从事冷藏保温汽车（军用及民用）、爆破器材运输车（军用及民用）、医疗废物转运车、军用各类方舱等系列产品的研发、制造与销售，其爆破器材运输车市场占有率位居全国第一，冷藏保温车市场占有率位居全国前列。先后制定/修订国家标准和专用汽车行业标准几十项，部分领域内有一定话语权。另，2021年6月12日公司在互动平台披露：红宇专汽有生产疫苗冷链运输车。另外，公司的无人机消防专用车完成样机定型。

英唐智控：2021年9月30日公司在互动平台披露：公司子公司上海芯石研发团队在功率半导体器件方面具有丰富的研发经验，上海芯石已形成了与产品性能密切相关的IP共计63项，其中碳化硅产品领域5项，并成功开发了600V、1200V、1700V、3300V 的SiC-SBD产品。研发的第三代半导体产品中，已经通过代工方式实现了SiC-SBD产品的小批量销售，SiC-MOSFET目前研发工作已经进行进入尾声，已准备开展产线的投片验证工作,同时也正在开展对另一项重要的第三代半导体材料GaN相应器件产品的研发。2021年12月3日公司在互动平台披露：根据公司2021年7月9日披露的《关于公司与HuLu公司签订＜合作协议＞的公告》，出于公司长远发展需要，为加速实现公司在第三代半导体领域的产能规划，公司拟与合作伙伴合作建设一条月产能5000片的6英寸碳化硅生产线。

力合科创：2023年9月13日公司在互动平台披露，公司在半导体领域孵化了力合微、芯邦科技、瑞波光电等多个代表性企业，涵盖了通信芯片、存储芯片、激光芯片等细分赛道。力合微专注于电力线通信（PLC）技术和芯片的研发和生产；芯邦科技聚焦于存储控制芯片以及智能家居控制芯片的开发与应用；瑞波光电从事高端大功率半导体激光芯片的研发和生产。2022年11月17日公司在互动平台披露，公司在半导体领域孵化了芯海科技、基本半导体、博雅科技、芯邦科技等科技企业。其中，芯海科技是集感知、计算、控制、连接于一体的全信号链集成电路设计企业；基本半导体致力于碳化硅功率器件的研发与产业化；博雅科技致力于存储类芯片的设计研发；芯邦科技是移动储存和智能家居领域控制芯片的领军企业。

蓝海华腾：2023年3月3日公司在互动易平台披露：公司有与基本半导体相关公司合作碳化硅项目，主要是针对碳化硅芯片及模块在电机控制器的相关应用及测试研究，以期共同完成碳化硅模块在新能源汽车上的推广。

民德电子：2020年6月，公司控股收购广微集成技术（深圳）有限公司，进入功率半导体设计行业。广微集成公司是国内功率半导体设计企业中较少可提供45V-150V全系列MOS场效应二极管（MFER）产品的企业，且是国内少数在12英寸晶圆厂成功量产分离栅低压场效应晶体管（SGT-MOSFET）的企业。广微集成公司新产品、新技术储备丰富。此外，公司致力于构建功率半导体smartIDM生态圈，先后投资布局功率半导体上游核心环节：晶圆原材料（晶睿电子）、晶圆代工（广芯微电子）、超薄背道代工（芯微泰克），为公司功率半导体产业长远发展构建深厚的护城河。广芯微电子以晶圆加工正面工艺为主，配备基本的常规背道工艺；芯微泰克将专注于背道工艺，在背道工艺的技术种类、工艺配置、硬件条件等方面都更为专业全面，为功率器件设计公司和晶圆厂客户提供定制化的背面代工服务。后续，广芯微电子和芯微泰克将联合为广大设计公司提供高性能硅基及碳化硅功率半导体器件定制化代工+超薄片制程全套解决方案。

银河微电：公司在研的高可靠度第三代半导体光耦产品开发项目，进入小批量试验阶段。拟达到目标：1.氮化镓材料的芯片测试技术研究，形成测试工艺规范；2.研究并掌握车规级光耦的塑封技术，满足车规级产品可靠性需求；3.开发实现高可靠度第三代半导体BL817H系列产品达到2KK/月产能；4.全线成品率>98%；5.产品满足现有UL/VDE认证要求。另，2022年9月7日，公司在投资者互动平台表示，公司车规级生产线的中的功率器件包括功率二极管和功率三极管，其中，功率二极管部分包括碳化硅二极管，功率三极管部分包括碳化硅MOSFET。

锴威特：在第三代半导体器件方面，公司SiC功率器件产品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD（肖特基势垒二极管），SiC MOSFET导通电阻小，开关损耗低，工作温度范围宽，阈值电压一致性好，可广泛用于新能源汽车及配套、工业照明、大功率电源、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。SiC SBD可广泛用于新能源汽车及配套、大功率电源、逆变器、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。公司加大SiCMOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，2023年与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700V SiC MOSFET的生产工艺平台，其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。

赛微电子：2024年3月17日公司在互动平台披露，聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平；聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围；但这并不意味着公司不再关注GaN领域，公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。2022年7月31日公司在互动平台披露，公司在碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）材料及制造方面同样具有技术储备，但在8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）方面的技术储备与竞争力方面更为突出。

露笑科技：碳化硅是第三代化合物半导体材料。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。公司碳化硅业务主要为 6 英寸导电型碳化硅衬底片的生产、销售。2023年报披露，公司已完成具有完全自主知识产权碳化硅晶体生长炉开发和定型工作，结合多年生长技术积淀，开发出晶体生长自动化控制软件，生长重复性高。公司根据晶体生长热力学、动力学及流体力学的基本原理，结合计算机辅助计算，设计并优化了晶体生长温场结构，晶体生长稳定性大幅提升。公司已研发出籽晶固定技术，晶体缺陷密度大幅降低，晶体质量稳步提高。2022年3月22日公司在互动易平台披露：公司生产的6英寸碳化硅衬底片可广泛应用于新能源汽车、5G 通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。

台基股份：公司具有自主可控的功率半导体产品设计和制造技术，建有完整的晶圆制程、芯片制程、封装测试一体化产线。公司拥有半导体技术专利61项（其中发明专利13项）和多项专有技术，近几年主持和参与起草30余项国际标准、国家标准和行业标准。公司被授予三个省级科研平台和一个省级专家工作站，长期保持与科研院所和高校开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司大功率半导体器件技术质量水平在国内同业保持领先，大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。

派瑞股份：2022年8月12日公司在互动易平台回复“公司碳化硅产业做的怎么样”，答“公司项目相关产品的研发工作正常进行中”。

新洁能：截至2023年12月31日，本公司对常州臻晶半导体有限公司（简称“常州臻晶”）持股比例9.2038%，根据投资协议，公司对常州臻晶已提名并派驻董事，能够对常州臻晶产生重大影响。常州臻晶主营第三代半导体碳化硅（SiC）液相法晶体研发、生产和销售。

三安光电：湖南三安系国内为数不多的碳化硅产业链垂直整合制造平台，产业链包括晶体生长—衬底制备—外延生长—芯片制程—封装测试，产品已广泛应用于光伏、储能、新能源汽车、充电桩等领域，已拥有碳化硅配套产能16,000片/月，硅基氮化镓产能2,000片/月，合作意向及客户超800家。2023年，湖南三安碳化硅技术持续突破，6吋碳化硅衬底已实现国际客户的批量出货，8吋衬底外延工艺调试完成并向重点海外客户送样验证。截至2023年末，二极管已推出适用于光伏领域的G5代系产品，累计出货超2亿颗。公司将根据市场趋势与时俱进，立足产品研发，推动产能加速释放，加快推出8吋碳化硅衬底外延、高效高可靠性碳化硅二极管及2000V/1700V/1200V/650V全系列碳化硅MOSFET产品，持续为客户提供高品质产品和高质量服务，为扩大公司效益贡献力量。

宏微科技：公司在研的碳化硅芯片开发项目，进展为：1款芯片设计开发阶段、2款产品客户测试中、1款产品完成产品设计和工艺验证。拟达到目标为：开发1200V20ASBD芯片、1200V40mΩ、13mΩSiCMOSFET芯片，并完成多种封装类型的分立器件及模块封装，实现产品批量交付。

京运通：公司半导体设备包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备、金刚石生长炉等，主要用于生产半导体相关材料。2023年度，公司半导体设备的研发和销售工作也在积极推进中，公司高端设备产品金刚石炉取得少量销售订单。2023年12月25日公司在互动平台披露：公司高端装备业务包括光伏设备和半导体设备，光伏设备包括软轴单晶硅炉、金刚线切片机等；半导体设备包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备等。公司生产的区熔单晶硅炉是“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项中硅单晶区熔设备研制的科研成果。

天富能源：公司积极布局第三代半导体碳化硅新材料产业，2020年参与北京天科合达半导体股份有限公司增资扩股，并在2021年持续加大了投资力度，目前公司已持有北京天科合达9.09%的股份，成为该公司第二大股东。2024年深圳第三代半导体材料产业园落成揭牌。该产业园是由北京天科合达半导体股份有限公司、深圳市重大产业投资集团等各方共同投资建立，将进一步补强深圳第三代半导体“虚拟全产业链（VIDM）”。公司新材料产业将具备一定规模，形成与新能源产业协同发展的格局。

中密控股：2021年8月3日公司在互动平台披露：公司有生产碳化硅，基本都使用在公司密封产品中。

海特高新：在高性能集成电路设计与制造领域，已建成由国家发改委立项建设的国内首条6吋化合物半导体生产线，芯片制程涵盖GaAs（砷化镓），GaN（氮化镓），SiC（碳化硅），应用覆盖微波射频及电力电子领域，经过多年发展，已经构建了化合物半导体产业链中最核心的芯片制造能力。公司在5G基站功放芯片，GaN（氮化镓）快充芯片，SiC（碳化硅）充电桩芯片性能上处于国内领先地位，并发布了自动驾驶汽车激光雷达5G毫米波芯片工艺制程，发布了适用于新能源充电桩高效电能转换的SiC（碳化硅）功率芯片制程。公司取得了IATF16949汽车行业质量管理体系认证证书，标志着公司化合物半导体芯片成功获得进入汽车领域的绿色通行证，进一步夯实了产品推广应用基础，为公司参与汽车行业市场竞争提供了有力保障。在科装领域，公司立足核心装备自主可控，突破关键技术瓶颈，攻克诸多卡脖子技术，定制芯片数百款，承担了众多国家级重大科研项目，为航空航天、卫星通讯等核心装备研制及量产提供必要技术支撑，公司的研发实力及芯片制造能力处于行业一流地位。