碳化硅概念股票|碳化硅板块龙头股资金流向(实时)

赛微电子：2024年3月17日公司在互动平台披露，聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平；聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围；但这并不意味着公司不再关注GaN领域，公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。2022年7月31日公司在互动平台披露，公司在碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）材料及制造方面同样具有技术储备，但在8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）方面的技术储备与竞争力方面更为突出。

凯龙高科：江苏观蓝致力于高端碳化硅新材料的研发和产业化，有实用新型专利17项。积极拓展重结晶碳化硅DPF车用市场，已给凯龙高科批量供货、获得了上汽大通和常柴股份定点通知，并小批供货。江苏观蓝基于在碳化硅领域积累的多年经验和先发优势，积极向铝/碳化硅刹车盘下游产品研发拓展。与湖南大学签订了技术开发（委托）合同，就铝/碳化硅刹车盘展开产业化合作，目前小试实验已经正式启动。铝/碳化硅刹车盘具有密度低、摩擦系数稳定、磨损量小、重量轻、耐高温的特点。

伟创电气：2025年5月22日公司在互动平台披露：公司结合碳化硅材料功率器件的特性，成功开发了一款碳化硅驱动器来应对市场中产品体积小，高防护等级、散热好和开关频率高等应用场合需求，可运用于电动汽车/充电桩、光伏/氢能、轨道交通、智能电网等领域。目前有小批量出货。

华润微：2024年上半年，碳化硅和氮化镓功率器件销售收入同比保持快速增长。在碳化硅方面，SiC MOS G2和SiC JBS G3均已完成产品系列化，全面覆盖650V、1200V、1700V电压平台产品。其中SiC MOS G2 Rsp水平达到国际领先品牌主流产品水平，SiC JBS G3功率密度水平达到国际领先，得到客户的高度认可。车规级SiC MOS和SiC模块研发工作进展顺利，多款单管、半桥、全桥车规模块产品出样，并配合主流车厂进行测试认证，实现批量供货。同时Trench结构的SiC产品研发工作正在快速推进，碳化硅产品品牌影响力进一步提升。公司持续开展氮化镓D-mode产品G2圆片及封装平台优化、产品系列化工作，产品覆盖手机快充应用以及1200W以下功率电源应用。G3平台多款产品已导入量产。氮化镓E-mode产品研发取得突破性进展，产品平台涵盖40V、100V、150V、650V，代表产品已进入可靠性评价及优化阶段。

三安光电：湖南三安系国内为数不多的碳化硅产业链垂直整合制造平台，产业链包括晶体生长—衬底制备—外延生长—芯片制程—封装测试，产品已广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、AI及数据中心服务器等领域。目前，湖南三安已拥有6吋碳化硅配套产能16,000片/月，8吋碳化硅衬底、外延产能1,000片/月，8吋碳化硅芯片产线正在建设中，拥有硅基氮化镓产能2,000片/月。2025年3月28日公司在互动平台披露：车载充电机、空调压缩机用SiCMOSFET已实现小批量出货，主驱逆变器用SiCMOSFET已在重点新能源汽车客户处导入可靠性验证。

京运通：该业务为高端装备的研发、生产和销售，主要产品包括光伏设备和半导体设备。光伏设备包括单晶硅生长炉、金刚线开方机、金刚线切片机等，主要用于生产光伏硅棒和硅片。半导体设备包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备、金刚石生长炉等，主要用于生产半导体相关材料。截至2024年12月末，乐山二期的单晶炉等核心生产设备已安装、调试完毕并达到预定可使用状态，公司高端装备生产的金刚石炉、半导体切片机等均已完成交付，钛单晶区熔炉等设备已完成基础研发工作，大尺寸碳化硅生长工艺也在持续提升中。

东微半导：公司积极布局基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域。2023年末，公司已开发出SiC二极管，并发明具有自主知识产权的Si2CMOSFET。其中，Si2CMOSFET已通过客户的验证并实现小批量供货，应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代，市场前景广阔。报告期内，公司研究开发的基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET完成自主设计流片和可靠性评估工作，同时，基于15V驱动平台的SiCMOSFET已经进入内部验证阶段。公司致力于发展全球客户，目前在欧洲市场进展良好，产品送测认证至电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。

露笑科技：碳化硅是第三代化合物半导体材料。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。公司碳化硅业务主要为6英寸导电型碳化硅衬底片的生产、销售。公司已完成具有完全自主知识产权碳化硅晶体生长炉开发和定型工作，结合多年生长技术积淀，开发出晶体生长自动化控制软件，生长重复性高。公司根据晶体生长热力学、动力学及流体力学的基本原理，结合计算机辅助计算，设计并优化了晶体生长温场结构，晶体生长稳定性大幅提升。公司已研发出籽晶固定技术，晶体缺陷密度大幅降低，晶体质量稳步提高。2022年3月22日公司在互动易平台披露：公司生产的6英寸碳化硅衬底片可广泛应用于新能源汽车、5G 通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。

燕东微：公司为了应对激烈的市场竞争，不断加大新产品研发力度，逐步实现从面向消费类电子市场为主调整为面向新能源、工业、汽车等新领域为主，具体情况如下：8英寸生产线：2023年IGBT和FRD等新工艺平台产品通过了国内头部车企客户的可靠性认证，实现了稳定量产，公司产品正式进入车规级市场。MOS、BCD等工艺平台持续稳定量产，良率保持在98%以上；12英寸生产线：2023年内完成首款高密度功率器件产品的可靠性认证，良率持续提升；第二款产品完成样品开发并提交客户可靠性验证，正在小批量流水；6英寸SiC生产线：本年度SiC基业务板块稳步发展，1200VSiCMOS器件产品已产出合格样品，各项参数合格，提交客户验证。

汇川技术：2025年4月28日公司在互动平台披露：公司在碳化硅（SiC）功率器件领域已有产品布局，与国内外厂家均有深入的合作。汇川也非常重视SiC的国产化推进，当下正推进多家国内厂商的产品开发或验证。

天通股份：公司专注于晶体材料专用设备的研发与制造，产品线涵盖从晶体生长到加工的全系列应用设备。这些设备广泛应用于光伏、蓝宝石、压电晶体以及新兴的半导体行业。具体产品包括晶体生长炉、截断机、开方机、硅片研磨机和抛光机等关键设备。公司在晶体材料设备领域的核心竞争力体现在光伏和蓝宝石等晶体的生长设备以及相应的切磨抛加工设备上。近年来，公司将研发重点放在了光伏设备上。推出了最新一代RCZ单晶炉，适用于生产低氧含量的N型电池片，满足了高效太阳能电池的需求。

英唐智控：2021年9月30日公司在互动平台披露：公司子公司上海芯石研发团队在功率半导体器件方面具有丰富的研发经验，上海芯石已形成了与产品性能密切相关的IP共计63项，其中碳化硅产品领域5项，并成功开发了600V、1200V、1700V、3300V 的SiC-SBD产品。研发的第三代半导体产品中，已经通过代工方式实现了SiC-SBD产品的小批量销售，SiC-MOSFET目前研发工作已经进行进入尾声，已准备开展产线的投片验证工作,同时也正在开展对另一项重要的第三代半导体材料GaN相应器件产品的研发。2021年12月3日公司在互动平台披露：根据公司2021年7月9日披露的《关于公司与HuLu公司签订＜合作协议＞的公告》，出于公司长远发展需要，为加速实现公司在第三代半导体领域的产能规划，公司拟与合作伙伴合作建设一条月产能5000片的6英寸碳化硅生产线。

时代电气：在功率半导体领域，公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。公司生产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通和特高压输电核心器件由国外企业垄断的局面，目前正在解决我国新能源汽车、新能源发电装备的核心器件自主化问题。2024年，IGBT模块交付在轨交、电网领域市场份额大幅领先，占有率国内第一，电网市场中标7条线，首次斩获海外柔直项目大批量订单，新能源市场快速突破，根据NE时代统计数据，公司2024年新能源乘用车功率模块装机量达225.6万套，市占率约13.7%，仅次于比亚迪排名第二，新能源发电市场IGBT模块出货量增长迅速，7.5代超精细沟槽栅产品效率和出流能力达到国际领先水平，半导体三期项目宜兴产线成功投产。传感器业务轨交领域市占率持续领先，首次斩获电网订单。

新洁能：截至2023年12月31日，本公司对常州臻晶半导体有限公司（简称“常州臻晶”）持股比例9.2038%，根据投资协议，公司对常州臻晶已提名并派驻董事，能够对常州臻晶产生重大影响。常州臻晶主营第三代半导体碳化硅（SiC）液相法晶体研发、生产和销售。

芯朋微：2024年4月23日公司在互动平台披露：公司目前针对SiC器件结构和SiC材料等领域的研发已展现成效，陆续推出车规级的SiC器件和内置SiC电源芯片等产品，均适用于目前新能源汽车400v/800v电压等级应用。公司在功率器件方面技术积累较为深厚，已推出车规级1200V SiC MOSFET和1700v SiC电源芯片；公司集成GaN产品已在充电应用上量产，智能GaN工业类应用已在推广中。

天岳先进：公司致力于提供持续拓展且性能卓越的产品组合，探索并持续推进碳化硅产品在多元领域的应用拓展。依托前瞻性的技术布局和强大敏捷的创新能力，公司的产品已成功深入切入新能源与AI两大高增长赛道，这不仅将驱动业绩实现爆发式增长，更将助力公司完成下游应用场景的多元化拓展，进而巩固行业引领地位，把握新一轮发展机遇。公司在碳化硅衬底产品矩阵上超前布局。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先，是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户积极向8英寸转型。2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。2024年11月，我们推出业内首款12英寸碳化硅衬底。12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。

东尼电子：公司主要生产导电型碳化硅衬底材料，为半导体器件制造的关键原材料，可广泛应用于功率器件，需求有望随着器件市场规模的增长而取得快速增长。2024年，公司半导体业务主要进行高规格6英寸和8英寸衬底的研发验证工作，小规模生产供货，导致营收下降，而在新工艺参数调试过程中，虽加严成本管控，亏损收窄，但毛利情况仍不理想。审慎起见，2024年度东尼半导体对其存货计提存货跌价损失约1.71亿元。

台基股份：公司具有自主可控的功率半导体产品设计和制造技术，建有完整的晶圆制程、芯片制程、封装测试一体化产线。公司拥有半导体技术专利61项（其中发明专利13项）和多项专有技术，近几年主持和参与起草30余项国际标准、国家标准和行业标准。公司被授予三个省级科研平台和一个省级专家工作站，长期保持与科研院所和高校开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司大功率半导体器件技术质量水平在国内同业保持领先，大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。

中天火箭：2023年11月1日公司互动易披露：公司的碳化硅类产品主要包括应用于航空航天领域的陶瓷基复合材料产品，新能源/半导体用碳化硅涂层类产品等。目前，公司的碳化硅技术储备较为深厚，具备不同领域/复杂环境条件下产品的研制开发能力，处于国内先进水平。

中密控股：2021年8月3日公司在互动平台披露：公司有生产碳化硅，基本都使用在公司密封产品中。