碳化硅概念股票|碳化硅板块龙头股资金流向(实时)

芯朋微：公司新品类产品（DC-DC、Driver、Digital PMIC、PowerDevice、Power Module）营收同比大幅增长39%，其中服务器应用领域营收同比增长超4倍。2025年，公司重磅推出12款面向AI计算能源领域的核心新品，首家完成服务器一次电源、二次电源到三次电源的全链路布局，其中面向800V HVDC系统的1700VSiC辅源、隔离驱动、SiC/GaN驱动等芯片、兆赫兹开环DCX控制器、全集成数字硬开关全桥控制器、8/12/16多相VRM、70/90A Cu-Clip DrMOS、EFuse、PoL等高性能功率产品可满足高算力服务器对电源转换效率、稳定性及小型化的要求。

麦格米特：2021年11月30日公司在互动平台披露：公司对外投资企业上海瞻芯电子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司。2023年11月15日公司在互动平台披露：上海瞻芯电子科技有限公司目前是国内碳化硅器件领先企业，可为公司电力电子产品的碳化硅器件应用提供支撑。

伟创电气：2025年5月22日公司在互动平台披露：公司结合碳化硅材料功率器件的特性，成功开发了一款碳化硅驱动器来应对市场中产品体积小，高防护等级、散热好和开关频率高等应用场合需求，可运用于电动汽车/充电桩、光伏/氢能、轨道交通、智能电网等领域。目前有小批量出货。

ST东尼：公司碳化硅半导体行业的主要产品为碳化硅单晶晶锭和碳化硅单晶衬底，是半导体器件制造的关键原材料，可广泛应用于功率器件。公司正在进一步改善产品品质和良率，以顺应碳化硅衬底材料国产替代及大尺寸衬底前瞻布局的趋势。随着国内碳化硅行业技术持续突破和制造成本逐步下降，碳化硅器件的应用领域将得到进一步拓展，市场空间将持续扩大。

民德电子：公司持有晶睿电子21.3712%的股权。作为国家级专精特新“小巨人”企业，晶睿电子自成立以来，以硅基外延片为基本盘，不断向高附加值产品延展，提升企业价值。晶睿电子目前已是广芯微电子外延片核心供应商之一，与广芯微电子协同开发了多款新品，适用于高效功率变换的250V多层外延超结MOS器件，已进入工程批工艺攻关与良率提升阶段，面向新能源核心场景的650V多层外延超结MOS器件在进行第二轮流片工艺验证与性能优化。2025年，晶睿电子持续提升高附加值产品产能，MEMS传感器用双抛片、SiC外延片、SOI等高价值产品产销量较上年度均有提升。

珂玛科技：公司在2025年7月完成收购苏州铠欣半导体科技有限公司73%股权。苏州铠欣系一家从事化学气相沉积（CVD）碳化硅涂层和CVD碳化硅块体陶瓷零部件研发、生产和销售的高科技企业，公司依托自主研发，在CVD碳化硅陶瓷零部件相关技术与工艺方面有丰富积累和持续研发能力，目前产品已经在Si外延、SiC外延、GaN外延等领域实现规模化应用，碳化硅刻蚀环、碳化硅喷淋头、12吋Si外延用碳化硅涂层石墨基座等先进产品的开发已取得良好进展。苏州铠欣的苏州一期工厂项目于2025年末建成投产。该项目聚焦硅外延用石墨基座的碳化硅涂层加工、炉管晶舟等碳化硅陶瓷套件的碳化硅涂层加工，以及刻蚀用聚焦环、边缘环等核心零部件的精加工及表面处理业务。

天岳先进：公司致力于提供持续拓展且性能卓越的产品组合，探索并持续推进碳化硅产品在多元领域的应用拓展。依托前瞻性的技术布局和强大敏捷的创新能力，公司的产品已成功深入切入新能源与AI两大高增长赛道，这不仅将驱动业绩实现爆发式增长，更将助力公司完成下游应用场景的多元化拓展，进而巩固行业引领地位，把握新一轮发展机遇。公司在碳化硅衬底产品矩阵上超前布局。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先，是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户积极向8英寸转型。2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。2024年11月，我们推出业内首款12英寸碳化硅衬底。12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。

英唐智控：2025年11月4日公司在互动平台披露，公司目前代理的碳化硅产品覆盖MOSFET、MOS以及二极管等多个品类，同时，公司间接持股的芯片设计公司上海芯石，已获取碳化硅领域的IP，并成功开发出相关产品。

宏微科技：SiCMOSFET芯片：公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品，可靠性正在评估中；自研SiCSBD芯片：自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入，构建以SiC、GaN为核心，兼顾第四代半导体的多元化技术体系，加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入，并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。

锴威特：在功率器件方面，公司产品布局平面MOSFET、集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）、中低压沟槽型MOSFET、超结MOSFET和SiCMOSFET产品。公司功率器件产品以MOSFET为主，公司已同时具备Si基及SiC基功率器件的设计、研发能力，积累了多项具有原创性和先进性的核心技术，其中3项达到国际先进水平，1项达到国内领先水平。SiC基功率器件方面，公司是国内为数不多的具备650V-3300VSiCMOSFET设计能力的企业之一，产品已覆盖业内主流电压段。

德龙激光：在MEMS、RFID、第三代半导体功率芯片、存储芯片、LED、光学滤光片等市场得到广泛的应用。公司面向晶圆切割应用，推出覆盖硅/存储/砷化镓/碳化硅/玻璃晶圆的隐形切割设备，以及晶圆low-k层激光开槽等关键设备，全面支持晶圆加工环节的高精度微加工需求，满足先进封装与高端芯片制造对切割精度、效率与稳定性的严苛要求。激光剥离技术采用深紫外激光作用于氮化镓晶体和蓝宝石衬底结合面上，致使氮化镓材料分解气化，使得氮化镓晶粒与蓝宝石衬底分离。该技术主要针对蓝宝石衬底的Micro LED晶圆巨量转移工艺需求，公司开发出了激光剥离设备，应用于碳化硅晶圆和蓝宝石衬底的Micro LED晶圆等领域。

凯龙高科：公司发动机尾气后处理领域，拥有多种符合国家排放标准的产品，广泛应用于道路车辆、非道路移动机械、固定式动力装置、船舶等领域的尾气处理。公司尾气后处理系统系列产品，已批量供货给中国一汽、潍柴、上汽集团、福田汽车、庆铃五十铃、东风汽车等国内知名主机厂。公司的碳化硅载体、堇青石载体、催化剂、尿素供给模块等，已批量供货给上汽集团、中国一汽、东风股份、福田汽车、潍柴、全柴动力、庆铃五十铃等整车与发动机企业。

深圳华强：公司打造的中国本土最大的综合性电子元器件交易及服务平台，公司以此为基础开展CVC投资，投资的主要方向是电子产业链上游的半导体设计企业，2024年起，公司开始尝试投资下游具备高精尖技术特征的制造类企业和其他前沿应用领域。2025年，公司继续在电子产业链上下游广泛挖掘投资机会，并对一家专注机器人一体化关节模组研发、生产和销售的企业“脉塔智能”进行了投资，投后持有其10%股权。

赛微电子：2026年2月27日公司在互动平台披露，聚能创芯于2023年完成融资后不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围；但这并不意味着公司不再关注GaN领域，公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。

温州宏丰：2024年3月，公司将“碳化硅单晶研发项目”及“光储一体化能源利用项目”预计达到可使用状态的时间延期一年至2025年3月，项目原定的实施主体、实施地点、募集资金用途及投资规模等其他事项保持不变；将“年产1,000吨高端精密硬质合金棒型材智能制造项目”预计达到可使用状态的时间延期至2025年12月。

晶升股份：公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS等）、光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。

燕东微：6英寸SiC生产线已通线量产并具备交付能力，工艺平台包括：650V/1200VSiCSBD、1200VSiCMOS工艺平台。

银河微电：公司产品研发不断向系列化、前沿化发展，逐步开发了功率MOSFET、IGBT、宽禁带第三代半导体功率器件、IPM模块、ESD、TVS系列产品、功率整流桥、光电耦合器等市场空间广阔的器件类别，SiC/GaN等第三代半导体产品加速布局，高压整流、超低压降技术接近国际水平。

中瓷电子：子公司国联万众公司是较早开展GaN微波射频芯片、SiC电力电子器件的研究单位之一，现已掌握适用于高温的SiC欧姆接触制作方法、SiC器件非合金欧姆接触的制作方法、SiC肖特基接触的制备方法等多项核心技术，在生产GaN射频芯片、SiC器件产品上已拥有多项专利，其中，发明专利占比81%。碳化硅功率产品方面，公司研发生产的SiC电力电子产品已在头部车厂OBC应用实现批量供货，产品性能和可靠性得到用户认可，份额逐年增大。新能源汽车主驱应用也得到多家车企认可，通过性能和可靠性验证。同时，公司布局了风光储应用以及工业应用，产品获得用户认可，形成批量订单。预计未来在几方面应用会逐步扩大市场份额。国联万众是国内较早开展SiC功率半导体的研究生产单位之一，在生产的第三代半导体产品上已拥有多项专利，现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品，主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，未来拟攻关高压SiC功率模块领域，在智能电网、动力机车、轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额，实现对IGBT功率模块的部分替代。

中天火箭：2023年11月1日公司互动易披露：公司的碳化硅类产品主要包括应用于航空航天领域的陶瓷基复合材料产品，新能源/半导体用碳化硅涂层类产品等。目前，公司的碳化硅技术储备较为深厚，具备不同领域/复杂环境条件下产品的研制开发能力，处于国内先进水平。