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IGBT概念股票|IGBT板块龙头股资金流向(实时)

 
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IGBT ( 板块 994563 )
10533.92 +1.33 %
BBD: 11.20亿   成交额:186.64亿  开盘:10348.25  最低:10309.94  最高:10533.92  振幅:2.17%  更新时间:2025-08-04
DDX: 0.129   DDY: -0.047   特大单差: 0.3   大单差: 5.7   中单差: -1.1   小单差: -4.9   单数比:0.96  通吃率: 6.00%
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IGBT概念股介绍
龙头公司介绍(入选板块理由)

福赛科技:公司的控股子公司福赛宏仁作为嵌件成型领域的高新技术企业,专注于汽车电驱与电控系统产品的技术研发与制造。截至目前产品已配套日产、宝马、丰田、本田、奇瑞、比亚迪、长城、沃尔沃等主机厂,主要服务于日立Astemo、汇川联合动力、爱信中国、富士电机、田村制造所、Sanken电气、比亚迪、瑞迪微电子、臻驱科技等Tier1客户。产品涵盖IGBT CASE、汇流排(Busbar)、SIC模块侧框、电流传感器、泵体、电抗器等,广泛应用于新能源电驱系统、混动控制单元及车载电源模块。福赛宏仁拥有完善的研发与制造体系,配备智能化生产线,客户网络覆盖中国、日本、墨西哥及泰国等全球主要汽车市场。

英搏尔:2022年7月6日公司在互动易平台披露:公司与英飞凌经过长达两年的测试合作,率先成熟使用英飞凌最新推出的 750 V车规级分立式IGBT EDT2器件。该产品符合车规级半导体分立器件应力测试标准AECQ101,相比650V的IGBT分立器件具有更高的电流密度、超低饱和压降和出色的并联性能,进一步提高了公司现有方案的可靠性,增强驱动系统产品的竞争力。

骄成超声:公司已经推出超声波铝线键合机、超声波铜线键合机、超声波端子焊接机、超声波 Pin 针焊接机、超声波扫描显微镜等超声波应用解决方案,上述产品目前主要应用在功率半导体封测工序,已经实现国内多家客户订单导入。在该领域,公司与上汽英飞凌、中车时代、振华科技、宏微科技、士兰微、芯联集成、长飞半导体等行业内知名企业保持良好合作。报告期内,公司第三代超声波扫描显微镜结合AI智能算法,借助人工智能算法实现优秀的特征提取能力,可以自适应提取并识别缺陷、自动计算缺陷尺寸(如自动计算空洞率)、筛选合格或不合格产品,有效解决传统检测方式的局限性,提升了检测缺陷的准确性和效率。另外,公司可应用于半导体晶圆、2.5D/3D封装、面板级封装等产品检测的先进超声波扫描显微镜,已成功获得国内知名客户验证性订单。公司的超声波扫描显微镜广泛应用于半导体晶圆、芯片、2.5D/3D封装、IGBT模块/SiC器件、基板(陶瓷DBC/金属板AMB)和锂电池等产品的检测。

*ST华微:公司是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的IDM型国家级高新技术企业。公司拥有4英寸、5英寸、6英寸与8英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线,芯片加工能力每年322万片,封装资源每年24亿支,模块每年1亿颗。公司拥有188项专利,核心技术国内领先,达到国际同行业先进水平。目前已形成以IPM和PM模块、宽禁带半导体、IGBT、MOS、FRD、SBD、SCR及BJT等为营销主线的系列产品,覆盖了功率半导体器件的全部范围,广泛应用于清洁能源、汽车电子、轨道交通、智能制造、智能家居等战略性新兴领域。

天龙股份:在汽车电子业务方面,公司成熟掌握了精密模具开发、高复杂度的多次镶嵌注塑成型工艺和自动化装配技术,并成功开发了如定制化IGBT功能承载模块,传统塑胶中集成了160多个金属元器件,全自动化生产,与车规级半导体相配套。公司生产的汽车电子类产品主要应用于新能源汽车电子智能网联化系统及三电系统领域,如ECU载体、电磁阀、传感器组件、各类功能性电机刷架,包括天窗刷架、摇窗刷架、座椅刷架等、连接器(鱼眼类)、电子水泵组件、BDU底座、IGBT功能承载模块等产品。

黄山谷捷:公司是一家专业从事功率半导体模块散热基板研发、生产和销售的国家高新技术企业,系车规级功率半导体模块散热基板行业的领先企业。公司产品主要应用于新能源汽车领域,是新能源汽车电机控制器用功率半导体模块的重要组成部件,同时,公司产品在新能源发电、储能等领域亦有广泛应用前景。公司主要产品包括铜针式散热基板、铜平底散热基板,两者均应用于功率半导体模块的散热系统。公司主要通过下游车规级功率模块制造商间接为新能源整车提供零部件支持。近年来,随着新能源整车企业向产业链上游延伸,公司也直接向整车企业旗下的车规级功率半导体厂商直接供货。公司产品直接应用于新能源汽车电机控制器用功率半导体模块,主要为IGBT功率模块。

东微半导:2023年,公司转换TGBT(创新型 IGBT产品)竞争策略,加大TGBT大功率产品研发投入力度,积极拓展除微型逆变器及储能之外的其他光储、电站应用场景,并配合终端IGBT模块厂商进行电站、新能源汽车主驱的客户导入、产品验证工作,获得最终客户的好评。公司E系列高速TGBT产品被批量应用于60kHz频率电源系统,实现高速IGBT领域的国产替代。L系列TGBT实现了极低的Vcesat,对国外的超低VcesatIGBT实现了替代。此外,公司TGBT产品在300KW以上的大功率储能应用领域亦进入认证阶段。公司研发的基于TGBT技术的高速大电流功率器件600/650VHybrid-FET开发成功,出货量迅速增加,其高性能得到了市场的认可。公司1200V第二代TGBT技术在效率与成本方面都得到了进一步提升,开发出1200V100A、140A和150A单管产品,可以替换国际领先的1200V产品。

芯联集成:功率控制包含IGBT、MOSFET(包含SiC)芯片及模组:中低压MOSFET产品覆盖车载、工控、消费多个领域,电压平台覆盖12V~200V,高压MOSFET多次外延及深沟槽工艺两个平台,产品应用于OBC、充电桩、光伏等领域。持续推动IGBT晶圆产品产能上量至8万片/月,8英寸产线总产能上量至17万片/月;12英寸晶圆产品设计产能1万片/月(等效8英寸产能2.25万片/月);SiCMOSFET已大规模进入量产,出货至年底已上量5000片/月以上,3年时间已开发三代产品,第二代芯片产品进入量产,助力国产新能源汽车快速发展。

维科精密:公司IGBT功率模块部件产品系IGBT功率模块中的框架及盖板(不含芯片),为多个功率模块或功率电子模块的功率器件提供物理防护、提供电气绝缘和大电流传输功能,达到车规级标准,搭载芯片后可直接应用于新能源电驱控制器逆变器、IGBT功率模块和驱动电桥,实现电能和机械能的转换。

宏微科技:1000V/1200VM7U芯片已完成开发和认证,并形成量产。与之对应的FRD芯片也通过新的终端设计,通过了HV-H3TRB可靠性测试,贴合风光储领域对器件抗潮能力的要求。针对风电应用场景,重点开发了1700VIGBT&FRD芯片,已经通过了国内主流厂商的整机测试并开始小批量。公司正在积极拓展新能源产品线,以满足不同应用领域需求。

科威尔:公司在功率半导体领域围绕着装备的国产化和自动化进行布局,一方面不断丰富功率模块的各类测试设备,匹配功率模块研发和产线测试需求;另一方面借助自动化的配套能力提升公司产品竞争力,向封测装备领域延展。功率半导体测试及智能制造装备产品线包括IGBT动态测试系统、IGBT静态测试系统、功率器件热特性测试系统以及自动化测试工作站、自动化封测产线整体解决方案等。

利欧股份:2020年8月,公司及全资子公司福建平潭元初投资有限公司(简称“平潭元初”)与上海众挺智能科技有限公司(简称“众挺智能”)签署了《合资协议书》,各方将就IGBT芯片及模组生产项目以合资公司的形式开展合作。本项目产品包括DISCRETE、IPM、PIM等封装的工业级、车规级IGBT及使用碳化硅及氮化镓材料的IGBT(最前沿的IGBT半导体材料技术),还可根据客户需求定制各类工业级及车规级IGBT,重点应用于高端制造、新能源(风电、光伏发电)、轨道交通、新能源汽车、国防军工等领域。本项目一期工程计划投资3条生产线,预计投资额为4.5亿元人民币。第一条生产线预计在合资公司设备到厂后6个月实现量产。

振华科技:2021年8月5日公司在互动平台披露,公司的IGBT产品从2019年开始向客户供货,现已完成31款型号的研发,受客户产品试验认证等影响,目前仍处于小批量供货阶段。公司暂时没有计划开发车规级IGBT产品,公司IGBT产品目前应用领域为特种行业。2022年5月9日公司在互动平台披露,公司IGBT芯片可应用于新能源车。

科瑞技术:2023年2月7日公司在互动平台披露:公司目前主要开发了IGBT功率半导体相关的晶圆、辅料及相关工装的贴装及组装设备,公司将持续积累相关应用技术、积极拓展半导体相关设备的业务。

澄天伟业:公司围绕功率半导体产业链关键环节,依托自身在封装材料设计、生产与实验室验证方面的技术积累,持续深化在半导体封装材料领域的布局,构建从产品设计、材料开发到制造交付的一体化能力体系。2024年,公司已实现引线框架的自主设计与量产落地,产品可覆盖MOSFET、IGBT、SiC及功率模块的封装需求。同时,公司已完成铜针式散热底板产品的技术研发与产线筹备,具备批量交付前的小批量生产能力,为后续扩展碳化硅功率模块等第三代半导体器件的封装材料打下基础。公司通过IATF16949认证,公司封装材料产品,面向新能源汽车、数字能源等关键应用领域,未来将在产品可靠性、散热效率与系统集成方向持续发力,打造具备技术壁垒与平台化能力的核心业务板块。

中微半导:功率器件又叫功率分立器件,是在电力控制电路和电源开关电路中必不可少的电子元器件,主要用于电子电力的开关、功率转换、功率放大、线路保护等。MOSFET和IGBT的推出,集高频、高压、大电流于一身,使功率器件的应用从单一的电力领域迅速渗透到消费电子、汽车电子、新能源、变频家电等各大领域。功率器件属于模拟电路,相对于数字电路,开发难度较大,需要有长期的技术积累。公司早在2013年第一款1350V沟槽型终止IGBT就实现量产。目前,公司推出新一代的SGTMOS、IGBT和CSPMOS,丰富了公司的产品系列,提升了公司一站式整体解决方案的能力。

锋龙股份:2020年3月27日公司在互动平台披露:公司所拥有的专利名称为“一种用于 IGBT 并联均流电路的滤波电感”,主要应于逆变器产品的研发、生产。逆变器是把直流电能(电池、蓄电瓶)转变成定频定压或调频调压交流电的转换器,广泛应用于汽车、轮船和飞机等交通工具上,为交流电器提供电源,也可以在无电或停电情况下与其他发电设备一起为用户提供交流电源,还可以应用于消防应急电源、便携大容量移动电源上。 该专利技术,主要是采用两个磁芯串联产生较高的电感值,满足对大电感值的使用需求。通过磁芯的互感作用,实现了IGBT并联电路的均流,提高了IGBT的工作可靠性,避免器件损坏,从而提高可靠性,为大功率逆变器提供稳定输出保障。

扬杰科技:公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体硅片、芯片及器件设计、制造、封装测试等中高端领域的产业发展。公司主营产品主要分为三大板块,具体包括材料板块(单晶硅棒、硅片、外延片)、晶圆板块(5吋、6吋、8吋硅基及6吋碳化硅等各类电力电子器件芯片)及封装器件板块(MOSFET、IGBT、SiC系列产品、整流器件、保护器件、小信号及其他产品系列)。产品广泛应用于汽车电子、人工智能、清洁能源、5G通讯、智能安防、工业、消费类电子等诸多领域,为客户提供一站式产品、技术、服务解决方案。公司注册地址为江苏扬州维扬经济开发区。

钱江摩托:公司控股的无锡维赛公司主营大功率半导体功率器件与集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销。该公司开发和生产的主导产品为半导体功率器件和功率集成电路:高低压MOSFET、第五代大功率IGBT(600V—6500V)芯片及模块、光控大功率发射级关断晶闸管(ETO,4500V/4000A)等领域。

上汽集团:公司与奥迪签署合作谅解备忘录,共同开发面向中国市场的多款全新智能电动车型;与通用汽车整合优势资源,在上汽通用新设软件及数字化中心;与清陶能源成立合资公司,加快推进半固态及全固态电池的技术研发和产业化落地。公司还与OPPO、地平线等企业在“生态域”、大算力芯片等领域,继续深化战略合作,并与湖南大学、上海大学等共建“重点实验室”,在整车先进制造技术、智能网联汽车网络安全等领域深入开展校企合作。公司参与投资了上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司。

龙头公司介绍(入选板块理由)
行情数据
序号股票代码名称|自选股1|自2|自3|查股数据
1301529福赛科技 分时 日线 板块
2300681英搏尔 分时 日线 板块
3688392骄成超声 分时 日线 板块
4600360*ST华微 分时 日线 板块
5603266天龙股份 分时 日线 板块
6301581黄山谷捷 分时 日线 板块
7688261东微半导 分时 日线 板块
8688469芯联集成 分时 日线 板块
9301499维科精密 分时 日线 板块
10688711宏微科技 分时 日线 板块
11688551科威尔 分时 日线 板块
12002131利欧股份 分时 日线 板块
13000733振华科技 分时 日线 板块
14002957科瑞技术 分时 日线 板块
15300689澄天伟业 分时 日线 板块
16688380中微半导 分时 日线 板块
17002931锋龙股份 分时 日线 板块
18300373扬杰科技 分时 日线 板块
19000913钱江摩托 分时 日线 板块
20600104上汽集团 分时 日线 板块
序号股票代码名称|自选股1|自2|自3|查股数据
行情数据DDE数据资金单数单差数据特大(%)大单(%)小单(%)通吃率(%)主动率(%)
最新价涨幅换手率量比DDXDDYDDZ5日10日连续连增成交量(万元)BBD(万元)单数比买入卖出特大差大单差中单差小单差买入卖出买入卖出买入卖出通吃率1日通吃率5日通吃率10日通吃率20日主动率1日主动率5日主动率10日流通盘(万股)
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最新价涨幅换手率量比DDXDDYDDZ5日10日连续连增成交量(万元)BBD(万元)单数比买入卖出特大差大单差中单差小单差买入卖出买入卖出买入卖出通吃率1日通吃率5日通吃率10日通吃率20日主动率1日主动率5日主动率10日流通盘(万股)
IGBT概念板块解析(994563) IGBT龙头股概念股一览
    (1)IGBT是指绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor),是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。它是电力电子器件中技术最为先进、市场前景广阔的电子元器件;
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