第三代半导体概念股票|第三代半导体板块龙头股资金流向(实时)

长飞光纤：在第三代半导体领域，长飞先进半导体位于武汉的生产基地主体建筑结构已在二零二四年六月封顶，目前已进入设备安装调试阶段，预计于二零二五年四月底实现量产通线，达产后每年可生产36万片6英寸碳化硅晶圆，可满足约144万辆新能源汽车的制造需求，产能国内领先。而在产品开发进度方面，该公司碳化硅MOSFET产品于二零二五年二月通过AEC-Q101车规认证，比导通电阻（Ronsp）及栅极电荷（Qg）均达到国内领先水平，具备极低的开关损耗和导通损耗，可显著提升逆变器及其他应用终端的性能，为后续车规级产品的市场拓展奠定了坚实的基础。

锴威特：公司目前拥有包括平面MOSFET、功率IC等800余款产品。公司平面MOSFET产品覆盖40V~1700V电压段，已形成低压、中压、高压全系列功率MOSFET产品系列，拥有近500款不同规格的产品；超结MOSFET已完成600~850V产品系列化；SGTMOS已建立40V~100V产品平台；公司在第三代半导体功率器件方面，已推出650V-3300VSiCMOSFET产品系列；功率IC方面，公司基于晶圆代工厂0.5um600VSOIBCD和0.18um40VBCD等工艺自主搭建了设计平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司针对高可靠功率电源模块及电机驱动模块提供各功率段的芯片解决方案能力。未来，公司还将进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖，并进一步促进功率IC和第三代半导体功率器件的产品系列化。

中超控股：2023年11月13日公司在互动平台披露，江苏能华微电子科技发展有限公司为公司参股公司江苏民营投资控股有限公司的参股公司，江苏能华已建立了GaN功率器件生产线。

拉普拉斯：2024年12月26日公司在互动平台披露：公司在半导体分立器件领域聚焦第三代半导体碳化硅设备，通过产品技术支持产业的发展。目前形成了氧化、退火、镀膜和钎焊炉设备等一系列产品，并开始逐步导入到下游行业内领先企业。在具体产品方面，公司持续对高温氧化设备和高温退火设备进行开发与优化，可适用于SiC基半导体器件生产工艺；公司LPCVD设备可满足氮化硅/氧化硅/多晶硅（Poly-Si）/非晶硅（α-Si）薄膜沉积技术的应用需求，并适用于半导体分立器件的生产。

天壕能源：2021年6月17日公司在互动平台披露，公司是福州紫荆海峡科技投资合伙企业（有限合伙）的有限合伙人，认购有限合伙份额2500万元人民币，占紫荆资本认缴出资额的2.27%，截至目前实缴份额2500万元人民币。福州紫荆海峡科技投资合伙企业（有限合伙）主要投资领域包括节能环保、先进制造、医疗健康等领域，并通过湖南华业天成创业投资合伙企业（有限合伙）间接持有英诺赛科（苏州）半导体有限公司的股权。

金宏气体：公司产品正硅酸乙酯作主要用于化学气相沉积法（简称LPCVD）构建半导体衬底表面的二氧化硅绝缘层，是第三代半导体材料和新兴半导体产业中重要的前驱体材料之一。

欧陆通：2023年7月24日公司在互动平台披露，公司电源适配器业务发展多年，布局覆盖3瓦-400瓦，产品品类及下游客户众多，应用领域广泛，目前公司已有多个电源适配器产品使用氮化镓技术，正在积极拓展海内外市场。

赛微电子：2026年2月27日公司在互动平台披露，聚能创芯于2023年完成融资后不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围；但这并不意味着公司不再关注GaN领域，公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。

银河微电：公司产品研发不断向系列化、前沿化发展，逐步开发了功率MOSFET、IGBT、宽禁带第三代半导体功率器件、IPM模块、ESD、TVS系列产品、功率整流桥、光电耦合器等市场空间广阔的器件类别，SiC/GaN等第三代半导体产品加速布局，高压整流、超低压降技术接近国际水平。

扬杰科技：公司持续增加对第三代半导体芯片行业的投入，加大在以SiC为代表的第三代半导体功率器件等产品的研发力度，以进一步满足公司后续战略发展需求。2024年公司在碳化硅尤其是SiCMOS市场份额持续增加，当前各类产品已广泛应用于AI服务器电源、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。2024年，公司联合相关公司参与了工信部《2024年大尺寸高质量氧化镓单晶衬底项目》，负责氧化镓SBD器件制备，是公司在技术实力与行业影响力方面双重提升的重要里程碑。车载模块方面，针对新能源汽车控制器应用，建设了全自动化车规功率模块产线，可年产三相桥HPD模块16.8万只。

京运通：该业务为高端装备的研发、生产和销售，主要产品包括光伏设备和半导体设备。光伏设备包括单晶硅生长炉、金刚线开方机、金刚线切片机等，主要用于生产光伏硅棒和硅片。半导体设备包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备、金刚石生长炉等，主要用于生产半导体相关材料。截至2024年12月末，乐山二期的单晶炉等核心生产设备已安装、调试完毕并达到预定可使用状态，公司高端装备生产的金刚石炉、半导体切片机等均已完成交付，钛单晶区熔炉等设备已完成基础研发工作，大尺寸碳化硅生长工艺也在持续提升中。

中瓷电子：氮化镓通信基站射频芯片与器件：在通信基站中主要用于移动通信基站发射链路，实现对通信射频信号的功率放大，根据应用场景不同，氮化镓通信基站射频芯片与器件分为大功率基站氮化镓射频芯片及器件和MIMO基站氮化镓射频芯片及器件。碳化硅功率模块及其应用：基于自有先进芯片技术，碳化硅功率系列产品在技术参数、制造成本等方面具有明显的竞争优势，中低压碳化硅功率产品主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，高压碳化硅功率产品瞄准智能电网、动力机车、轨道交通等应用领域，实现对硅基IGBT功率产品的覆盖与替代。

派瑞股份：2022年8月12日公司在互动易平台回复“公司碳化硅产业做的怎么样”，答“公司项目相关产品的研发工作正常进行中”。

蔚蓝锂芯：2020年2月26日公司在互动平台披露，子公司淮安光电是行业内极少数具有从衬底切磨抛、PSS、外延片到芯片的完整产业链的公司，公司主要产品为蓝绿光LED芯片，即在蓝宝石衬底上生长制造氮化镓发光二极管，公司在LED芯片相关领域有专利技术。

苏州固锝：2025年12月2日公司在互动平台披露，公司密切市场需求变化，并积极布局第三代半导体产品的规模化量产。

*ST华微：2023年，公司持续推进研发创新，努力攻克核心“卡脖子”技术，结合生产线智能化改造和数字化转型，提升发展新质生产力的能力。加强知识产权投入及保护力度，通过“国家知识产权示范企业”2023年度复审。截至2023年末，公司累计拥有有效专利167项，专利授权持续保持高增长态势。研发方面，完善了高压超级结技术、载流子存储沟槽IGBT技术、中压SGT MOS和SiC MOSFET产品技术、650V GaN HEMT产品技术，完成了900V～1500V高压JMA系列MOSFET开发、300V～500V中高压JMF(R)系列MOSFET产品开发、45V光伏Trench SBD开发、第二代高结温1200V快恢复二极管开发、模块用1800V单象限大触发双台面大方片可控硅开发、1200V～1600V高压二极管产品技术研发等。实现了具有自身特色的多元化功率半导体工艺平台的建设，进一步完善了产品结构，提升产品竞争力。

天箭科技：相控阵是公司新技术创新突破及未来发展的方向之一。公司技术团队结合第三代半导体材料的发展成果，自主研发了一种不同于传统T/R组件的新型相控阵产品，具有尺寸小、重量轻、免维护和低功耗的优点。基于以上优点，公司新型相控阵产品除了可运用于商用卫星领域，还可以应用于精确制导雷达、星载雷达及机载雷达等军事武器装备中，这将进一步扩展公司产品在军事领域中的应用，提高公司的行业地位。

英诺激光：2024年，公司的半导体业务持续显著增长，业务布局逐渐成熟。公司已连续多年向SHI公司批量供应碳化硅退火制程的紫外激光器，应用于硅基半导体检测制程的深紫外激光器和应用于FC-BGA先进封装的ABF载板超精密钻孔设备已完成送样或接受客户打样，新立项的“高功率薄片超快激光器关键技术与产业化”项目正在有序开展。

和而泰：控股子公司铖昌科技作为T/R芯片研发和量产单位的民营企业代表之一，在技术及成本上具有双优势。2025年10月30日公司在互动平台披露，卫星互联网低轨卫星行业发展提速，随着卫星的批量发射和组网应用，该领域将成为铖昌科技营收新的增长点。铖昌科技保持在卫星地面终端领域的领先优势，与产业下游用户合作关系紧密，针对下一代低轨通信卫星以及地面配套设备新研发出多款产品。2025年7月15日公司在互动平台披露，铖昌科技主要向市场提供基于硅基、砷化镓、第三代半导体氮化镓工艺的系列化产品以及相关的技术解决方案。2025年5月15日公司在互动平台披露，铖昌科技作为国内少数能够提供相控阵T/R芯片完整解决方案的企业，目前产品已批量应用于探测、遥感、通信、导航等多个领域。2024年4月8日公司在互动平台披露，铖昌科技对于5G毫米波通信应用进行了毫米波束赋形芯片的研发，相关产品已经多轮迭代开发。

智光电气：2022年内，公司间接持股的粤芯半导体完成B轮战略融资，用于粤芯三期项目建设，目前粤芯已完成股份制改造。另，2019年5月公司在互动平台上表示，粤芯半导体采购的是荷兰ASML的光刻机，已于2019年3月中旬搬进粤芯半导体主厂房，目前在做量产前的最后调试准备。光刻机等主设备的顺利进驻，为粤芯半导体量产计划提供了有力保障。2019年9月10日公司在互动平台披露：经了解，粤芯半导体联合中标工信部半导体、芯片、关键零部件等领域的产业技术基础公告服务平台建设项目，情况属实。此建设项目面向第三代半导体碳化硅芯片制造技术，开展“卡脖子”核心装备研制，重点解决高硬度材料的高平整度、低粗糙度高效加工技术等难题。粤芯半导体项目是国内第一座以虚拟IDM (irtuallDM)为营运策略的12英寸芯片厂，是广州第一条12英寸芯片生产线，已列为广东省、广州市重点建设项目。产品包括模拟芯片、图像传感器、电源管理芯片、功率分立器件等，满足物联网、汽车电子、工业控制、5G等应用的模拟芯片需求。