第三代半导体概念股票|第三代半导体板块龙头股资金流向(实时)

芯导科技：公司已经正式发布具有自主专利技术的GaN HEMT产品，并在多个客户端进行验证，是第三代半导体产品较早开发成功的国内企业。公司650VGaN( 氮 化 镓 ) HEMT产品阵列中已成功加入具有90-300mR的P-GaN系列产品，中低压GaN HEMT产品有序开发中，其中40V产品已在客户端测试通过。650VCascode结构GaN HEMT有序开发中，目前初步形成了50-3000mR系列产品。SiC SBD系列包含650V/1200V/1700V电压档，其中650VSBD产品已在PD客户端出货，1200VSBD产品已在多家大功率系统客户测试验证中，1700VSBD产品陆续产出。SiC MOSFET系列包含650V/1200V电压档有序开发中，其中1200V产品在充电桩、逆变器等领域正处于客户验证测试中。

天箭科技：相控阵是公司新技术创新突破及未来发展的方向之一。公司技术团队结合第三代半导体材料的发展成果，自主研发了一种不同于传统T/R组件的新型相控阵产品，具有尺寸小、重量轻、免维护和低功耗的优点。基于以上优点，公司新型相控阵产品除了可运用于商用卫星领域，还可以应用于精确制导雷达、星载雷达及机载雷达等军事武器装备中，这将进一步扩展公司产品在军事领域中的应用，提高公司的行业地位。其他固态发射机产品公司技术除应用于雷达精确制导外，还广泛应用于卫星通信、电子对抗等领域。

麦格米特：公司多年来持续围绕电力电子技术进行上下游产业链投资，通过“并购+孵化”不断拓展业务领域。2023年公司新增参股公司9家，对外股权投资（剔除投资后合并报表的控股子公司）总金额为14,615万元；2023年因投资公司估值提升而获得公允价值变动收益、投资收益共2.76亿元。截至目前，公司对外股权投资（剔除投资后合并报表的控股子公司）的公司达到42家，累计对外股权投资金额为5.37亿元，累计获得公允价值重估收益、投资收益等合计6亿元，持续高效投资在获得业务协同的同时，投资收益也开始逐步显现。目前投资已涉及新一代碳化硅半导体材料、AR/VR光学模组、新一代加热陶瓷、工控解决方案、智能装备、纳米材料、射线源、储能、石油开采、新能源汽车热管理、高速高效电机、精密轴承、新能源车分布式动力、液压悬挂系统等方面的企业，其中部分企业已经取得非常好的进展，市场价值提升迅速。

欧陆通：2023年7月24日公司在互动平台披露，公司电源适配器业务发展多年，布局覆盖3瓦-400瓦，产品品类及下游客户众多，应用领域广泛，目前公司已有多个电源适配器产品使用氮化镓技术，正在积极拓展海内外市场。

宇环数控：公司数控磨床主要分为数控端面磨床（含双面磨床和单面磨床）、数控凸轮轴磨床、数控气门磨床、外圆磨床、复合磨床系列产品及其他磨床。数控端面磨床中数控双端面磨床可对各种外形的金属、非金属薄型精密零件（如手机中框、玻璃、陶瓷、蓝宝石、碳化硅、轴承 、活塞环、垫片、阀片等）上、下两平行端面同时磨削；数控单面磨床适用于金属零件及玻璃、蓝宝石、陶瓷、碳化硅等硬脆材料零件的单面高精度磨削减薄。数控凸轮轴磨床主要用于对汽车发动机、内燃机凸轮轴的凸轮轮廓进行精密磨削。数控气门磨床主要用于对气门盘外圆、锥面和盘平面倒角等外形面的磨削。外圆磨床可对蓝宝石、碳化硅等晶锭外圆磨削。复合磨床可对大型轴承、液压阀套、液压缸体、精密齿轮、阀门等具有高精度及表面质量要求的产品进行加工，可用于国内装备制造业、机械加工业、航空航天等多个领域。2024年内，公司主要销售的磨床为YHDM580B高精度立式双端面磨床、YHM450D数控立式单面磨床、YHDM750A高精度数控立式双端面磨床、YHJMK28160高精度数控立式复合磨床等。

赛微电子：2024年3月17日公司在互动平台披露，聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平；聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围；但这并不意味着公司不再关注GaN领域，公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。2022年7月31日公司在互动平台披露，公司在碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）材料及制造方面同样具有技术储备，但在8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）方面的技术储备与竞争力方面更为突出。

英诺激光：2022年2月25日公司在互动易平台披露：公司产品已应用于第三代半导体退火等加工工艺。

观想科技：2022年3月，公司拟与北京创镓半导体材料科技合伙企业（有限合伙）共同出资设立观想新芯材料科技有限公司，观想新芯注册资本为10,000万元人民币，其中公司拟占股51%，北京创镓拟占股49%。控股子公司将充分利用公司在装备全寿命周期健康管理、装备数字孪生及高性能传感器综合集成应用等新一代信息技术的优势，以及北京创镓在第三代半导体材料相关设备研制、工艺研发和检验检测等先进技术整合能力，共同实现第三代半导体材料的自主可控。

银河微电：公司专注于核心技术的积累与新产品的开发，扎实推进多个研发项目，取得了从芯片设计（6英寸平面芯片、RFID芯片、HVIC芯片、LVIC芯片、外延FRD、高压TVS等）到新封装开发（CLIPPDFN、DFN8080、DFN3333、倒装LED封装等）、从质量等级提升（消除封装分层、提升车规级可靠性能力）到集成器件开发（RFID、IPM）、从传统半导体器件到第三代功率器件（SiC、GaN）等成果的实现，不断提升公司的技术创新能力。公司在保持和提升在传统领域的优势的同时，紧跟市场方向，积极拓展汽车电子、清洁能源、安防、5G通讯、物联网、人工智能等新兴市场，抓住需求增长的机遇，全力推进替代进口战略，加快渗透，扩大对下游优质客户的覆盖，为公司未来的快速发展奠定坚实基础。

*ST铖昌：公司主营业务为微波毫米波相控阵T/R芯片的研发、生产、销售和技术服务，主要向市场提供基于硅基、砷化镓以及第三代半导体氮化镓工艺的系列化产品以及相关的技术解决方案。公司作为国内少数能够提供T/R芯片完整解决方案的企业之一，产品涵盖整个固态微波产品链，包括GaAs/GaN功率放大器芯片、GaAs低噪声放大器芯片、GaAs收发前端芯片、收发多功能放大器芯片、幅相多功能芯片、模拟波束赋形芯片、数控移相器芯片、数控衰减器芯片、功分器芯片、限幅器芯片等十余类高性能微波毫米波相控阵芯片，频率可覆盖L波段至W波段。目前公司产品已批量应用于星载、地面、机载相控阵雷达及卫星通信等领域。随着下游装备小型化、轻量化、高集成、低成本的发展需求，作为相控阵天线系统核心元器件之一的T/R芯片，其性能则直接影响整机的各项关键指标，在集成度、功耗、效率等技术指标也提出了高要求。公司将会继续加大研发投入，满足客户产品高频化、高集成度、轻量化、多功能化的技术需求，并布局行业性前瞻技术研究，保持公司产品先进性水平。

必易微：2024年3月11日，公司推出的驱动第三代半导体氮化镓器件的AC-DC芯片，为快充领域客户提供多样化产品品类及方案，产品性能和品质已获知名品牌客户认可。

*ST华微：2023年，公司持续推进研发创新，努力攻克核心“卡脖子”技术，结合生产线智能化改造和数字化转型，提升发展新质生产力的能力。加强知识产权投入及保护力度，通过“国家知识产权示范企业”2023年度复审。截至2023年末，公司累计拥有有效专利167项，专利授权持续保持高增长态势。研发方面，完善了高压超级结技术、载流子存储沟槽IGBT技术、中压SGT MOS和SiC MOSFET产品技术、650V GaN HEMT产品技术，完成了900V～1500V高压JMA系列MOSFET开发、300V～500V中高压JMF(R)系列MOSFET产品开发、45V光伏Trench SBD开发、第二代高结温1200V快恢复二极管开发、模块用1800V单象限大触发双台面大方片可控硅开发、1200V～1600V高压二极管产品技术研发等。实现了具有自身特色的多元化功率半导体工艺平台的建设，进一步完善了产品结构，提升产品竞争力。

瑞纳智能：公司全资子公司合肥高纳半导体科技有限责任公司主要从事第三代半导体SiC单晶生长和设备研发、SiC衬底加工、SiC外延生产销售。面向8英寸碳化硅衬底的长晶技术做了方向调整并优化研发的工艺路线，完成新设备（电阻式双温区长晶炉）的调试并投入使用。碳化硅粉料已获得权威第三方检测证明已完全符合相关标准和工艺需求，目前已批次投入使用。

中兵红箭：公司于2022年8月31日在互动平台披露，公司研发的是金刚石半导体材料，具有超宽带隙特性的第三代半导体材料性能更为优良。其中金刚石集高硬度、超宽带隙、出色的载流子迁移率和优异的导热性能于一身，被科学家们誉为“终极”半导体材料。

蔚蓝锂芯：2020年2月26日公司在互动平台披露，子公司淮安光电是行业内极少数具有从衬底切磨抛、PSS、外延片到芯片的完整产业链的公司，公司主要产品为蓝绿光LED芯片，即在蓝宝石衬底上生长制造氮化镓发光二极管，公司在LED芯片相关领域有专利技术。

亚光科技：公司大力扩大芯片研发团队规模，形成设计、封装、测试全流程研发生产能力，集中突破砷化镓/氮化镓射频芯片关键技术，在芯片制造领域与国内流片厂深度合作，打造完整的新型半导体射频芯片产业链，在满足自用的基础上，逐渐扩大对外芯片设计、流片、测试和封装的整体芯片业务；并以5G/6G射频前端芯片和光通讯芯片为突破口，加快民品芯片设计服务拓展。2021年6月19日公司在互动平台披露：公司电子业务主要为军品，公司民品细分领域与其有所不同，主要集中在安防及专网通信领域。

晶升股份：公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于6-8英寸碳化硅单晶衬底，具有结构设计模块化、占地小、高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行等特点。公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS等）、光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。

柘中股份：2024年11月6日公司在互动易平台披露：截止2024年第三季度末，公司直接持有瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司1,258,302股股份，占其总股本比例0.3241%。瀚天天成是一家集研发、生产、销售碳化硅半导体外延晶片的国家级高新技术企业。公司可提供商业化3英寸、4英寸、6英寸和8英寸碳化硅外延晶片。

锴威特：公司目前拥有包括平面MOSFET、功率IC等800余款产品。公司平面MOSFET产品覆盖40V~1700V电压段，已形成低压、中压、高压全系列功率MOSFET产品系列，拥有近500款不同规格的产品；超结MOSFET已完成600~850V产品系列化；SGTMOS已建立40V~100V产品平台；公司在第三代半导体功率器件方面，已推出650V-3300VSiCMOSFET产品系列；功率IC方面，公司基于晶圆代工厂0.5um600VSOIBCD和0.18um40VBCD等工艺自主搭建了设计平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司针对高可靠功率电源模块及电机驱动模块提供各功率段的芯片解决方案能力。未来，公司还将进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖，并进一步促进功率IC和第三代半导体功率器件的产品系列化。

金信诺：2021年12月20日，江苏万邦微电子有限公司新增股东南京微佰仕创业投资合伙企业(有限合伙)，公司持有的江苏万邦微电子有限公司股权变为17.49%。2019年4月2日公司在互动平台披露：公司子公司江苏万邦微电子有限公司的产品主要有：有源相控阵雷达电源管理芯片、有源相控阵雷达波束控制芯片、有源相控阵雷达阵面TR组件控制芯片、5G基站射频前端、卫星通讯设备射频前端、星载抗辐照波束控制芯片、星载抗辐照电源管理芯片。2020年9月16日公司在互动平台披露：WB1409属于氮化镓功放配套的栅极稳压芯片，和氮化镓功放1:1配套使用。