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碳化硅概念股票|碳化硅板块龙头股资金流向(实时)

 
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碳化硅 ( 板块 994669 )
3282.57 +1.5 %
BBD: -3031.59万   成交额:151.58亿  开盘:3219.84  最低:3217.13  最高:3282.57  振幅:2.03%  更新时间:2025-08-04
DDX: -0.005   DDY: 0.048   特大单差: 0   大单差: -0.2   中单差: 0.5   小单差: -0.3   单数比:1.027  通吃率: -0.20%
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碳化硅概念股介绍
龙头公司介绍(入选板块理由)

麦格米特:公司多年来持续围绕电力电子技术进行上下游产业链投资,通过“并购+孵化”不断拓展业务领域。2023年公司新增参股公司9家,对外股权投资(剔除投资后合并报表的控股子公司)总金额为14,615万元;2023年因投资公司估值提升而获得公允价值变动收益、投资收益共2.76亿元。截至目前,公司对外股权投资(剔除投资后合并报表的控股子公司)的公司达到42家,累计对外股权投资金额为5.37亿元,累计获得公允价值重估收益、投资收益等合计6亿元,持续高效投资在获得业务协同的同时,投资收益也开始逐步显现。目前投资已涉及新一代碳化硅半导体材料、AR/VR光学模组、新一代加热陶瓷、工控解决方案、智能装备、纳米材料、射线源、储能、石油开采、新能源汽车热管理、高速高效电机、精密轴承、新能源车分布式动力、液压悬挂系统等方面的企业,其中部分企业已经取得非常好的进展,市场价值提升迅速。

赛微电子:2024年3月17日公司在互动平台披露,聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平;聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司,不再纳入公司合并报表范围;但这并不意味着公司不再关注GaN领域,公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓(GaN)业务的发展。2022年7月31日公司在互动平台披露,公司在碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)材料及制造方面同样具有技术储备,但在8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)方面的技术储备与竞争力方面更为突出。

德龙激光:公司紧抓半导体行业快速发展的趋势,加速半导体行业设备的市场推广,尤其在碳化硅领域,德龙激光从碳化硅晶圆激光划片设备、退火设备拓展至切片设备。碳化硅晶锭激光切片技术主要面向碳化硅晶锭的分片环节,材料损耗小,加工效率高,设备运行无需耗材,加工成本低,可最大支持8英寸晶锭分切、最大切割速度800mm/s。相比于传统金刚丝切割工艺,材料耗损少,晶片产出高,良率可控,切割效率也具有较大优势。

银河微电:公司在研的高可靠度第三代半导体光耦产品开发项目,进入小批量试验阶段。拟达到目标:1.氮化镓材料的芯片测试技术研究,形成测试工艺规范;2.研究并掌握车规级光耦的塑封技术,满足车规级产品可靠性需求;3.开发实现高可靠度第三代半导体BL817H系列产品达到2KK/月产能;4.全线成品率>98%;5.产品满足现有UL/VDE认证要求。另,2022年9月7日,公司在投资者互动平台表示,公司车规级生产线的中的功率器件包括功率二极管和功率三极管,其中,功率二极管部分包括碳化硅二极管,功率三极管部分包括碳化硅MOSFET。

中天火箭:2023年11月1日公司互动易披露:公司的碳化硅类产品主要包括应用于航空航天领域的陶瓷基复合材料产品,新能源/半导体用碳化硅涂层类产品等。目前,公司的碳化硅技术储备较为深厚,具备不同领域/复杂环境条件下产品的研制开发能力,处于国内先进水平。

伟创电气:2025年5月22日公司在互动平台披露:公司结合碳化硅材料功率器件的特性,成功开发了一款碳化硅驱动器来应对市场中产品体积小,高防护等级、散热好和开关频率高等应用场合需求,可运用于电动汽车/充电桩、光伏/氢能、轨道交通、智能电网等领域。目前有小批量出货。

瑞纳智能:公司全资子公司合肥高纳半导体科技有限责任公司主要从事第三代半导体SiC单晶生长和设备研发、SiC衬底加工、SiC外延生产销售。面向8英寸碳化硅衬底的长晶技术做了方向调整并优化研发的工艺路线,完成新设备(电阻式双温区长晶炉)的调试并投入使用。碳化硅粉料已获得权威第三方检测证明已完全符合相关标准和工艺需求,目前已批次投入使用。

中兵红箭:红宇专汽为军民结合型企业,是河南省企业技术中心、工程研究中心、工程技术研究中心,高新技术企业、河南省技术创新示范企业、河南省创新型试点企业、获得河南省“AAA”级信誉企业认证。主要从事冷藏保温汽车(军用及民用)、爆破器材运输车(军用及民用)、医疗废物转运车、军用各类方舱等系列产品的研发、制造与销售,其爆破器材运输车市场占有率位居全国第一,冷藏保温车市场占有率位居全国前列。先后制定/修订国家标准和专用汽车行业标准几十项,部分领域内有一定话语权。另,2021年6月12日公司在互动平台披露:红宇专汽有生产疫苗冷链运输车。另外,公司的无人机消防专用车完成样机定型。

晶升股份:公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于6-8英寸碳化硅单晶衬底,具有结构设计模块化、占地小、高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行等特点。公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品,下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备:①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片,可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件,下游应用领域主要包括新能源汽车(主驱逆变器、车载充电机(OBC)、车载电源转换器、充电桩、UPS等)、光伏发电(光伏逆变器)、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等;②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片,可制成HEMT等微波射频器件,下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。

锴威特:在功率器件方面,公司产品布局平面MOSFET、集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)、中低压沟槽型MOSFET、超结MOSFET和SiCMOSFET产品。公司功率器件产品以MOSFET为主,公司已同时具备Si基及SiC基功率器件的设计、研发能力,积累了多项具有原创性和先进性的核心技术,其中3项达到国际先进水平,1项达到国内领先水平。SiC基功率器件方面,公司是国内为数不多的具备650V-3300VSiCMOSFET设计能力的企业之一,产品已覆盖业内主流电压段。

东微半导:公司积极布局基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域。2023年末,公司已开发出SiC二极管,并发明具有自主知识产权的Si2CMOSFET。其中,Si2CMOSFET已通过客户的验证并实现小批量供货,应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等,实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代,市场前景广阔。报告期内,公司研究开发的基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET完成自主设计流片和可靠性评估工作,同时,基于15V驱动平台的SiCMOSFET已经进入内部验证阶段。公司致力于发展全球客户,目前在欧洲市场进展良好,产品送测认证至电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域,并实现了批量出货。

中瓷电子:公司已经具备氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件批量生产能力并不断推进自动化产线建设,相关产品的产能和供货能力较强。公司是国内较早开展SiC功率半导体的研究生产单位之一,在生产的第三代半导体产品上已拥有多项专利,现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品,主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域,未来拟攻关高压SiC功率模块领域,进一步抢占行业技术高地,在智能电网、动力机车、轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额,实现对IGBT功率模块的部分替代。国联万众的碳SiC功率产品质量及稳定性得到比亚迪、珠海零边界等主要客户的认可,在终端市场具有技术先进性和充分竞争力。

蓝海华腾:2023年3月3日公司在互动易平台披露:公司有与基本半导体相关公司合作碳化硅项目,主要是针对碳化硅芯片及模块在电机控制器的相关应用及测试研究,以期共同完成碳化硅模块在新能源汽车上的推广。

芯朋微:2024年4月23日公司在互动平台披露:公司目前针对SiC器件结构和SiC材料等领域的研发已展现成效,陆续推出车规级的SiC器件和内置SiC电源芯片等产品,均适用于目前新能源汽车400v/800v电压等级应用。公司在功率器件方面技术积累较为深厚,已推出车规级1200V SiC MOSFET和1700v SiC电源芯片;公司集成GaN产品已在充电应用上量产,智能GaN工业类应用已在推广中。

宏微科技:SiCMOSFET芯片:公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功,已通过可靠性验证;车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品,可靠性正在评估中;自研SiCSBD芯片:自主研发的SiCSBD(肖特基势垒二极管)芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证,并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试,部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展,为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广,公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。面对第三代半导体器件产业化窗口期,公司将通过技术迭代与产线协同优化,持续提升产品竞争力。未来,随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发,公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入,构建以SiC、GaN为核心,兼顾第四代半导体的多元化技术体系,加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入,并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。

楚江新材:2024年10月18日公司在互动平台披露,子公司顶立科技在第三代半导体用关键材料与装备方面围绕“四高两涂一装备”的技术和产品布局,即高纯碳粉、高纯碳化硅粉、高纯碳纤维隔热材料、高纯石墨、碳化硅涂层石墨基座/盘、碳化钽涂层石墨构件和超高温石墨提纯装备。其生产的特种热工装备广泛应用于半导体材料生产领域,并围绕第三代半导体材料的关键技术难点进行攻关,具备为碳化硅单晶生产企业提供高纯原料及耗材配套的能力。2022年8月1日公司在互动平台披露,子公司顶立科技生产的高纯碳粉少量试用于人造钻石的生产,高纯碳粉产品可用于制备碳化硅单晶材料、锂电池负极材料、人造钻石等。

海特高新:在高性能集成电路设计与制造领域,已建成由国家发改委立项建设的国内首条6吋化合物半导体生产线,芯片制程涵盖GaAs(砷化镓),GaN(氮化镓),SiC(碳化硅),应用覆盖微波射频及电力电子领域,经过多年发展,已经构建了化合物半导体产业链中最核心的芯片制造能力。公司在5G基站功放芯片,GaN(氮化镓)快充芯片,SiC(碳化硅)充电桩芯片性能上处于国内领先地位,并发布了自动驾驶汽车激光雷达5G毫米波芯片工艺制程,发布了适用于新能源充电桩高效电能转换的SiC(碳化硅)功率芯片制程。公司取得了IATF16949汽车行业质量管理体系认证证书,标志着公司化合物半导体芯片成功获得进入汽车领域的绿色通行证,进一步夯实了产品推广应用基础,为公司参与汽车行业市场竞争提供了有力保障。在科装领域,公司立足核心装备自主可控,突破关键技术瓶颈,攻克诸多卡脖子技术,定制芯片数百款,承担了众多国家级重大科研项目,为航空航天、卫星通讯等核心装备研制及量产提供必要技术支撑,公司的研发实力及芯片制造能力处于行业一流地位。

汇川技术:2025年4月28日公司在互动平台披露:公司在碳化硅(SiC)功率器件领域已有产品布局,与国内外厂家均有深入的合作。汇川也非常重视SiC的国产化推进,当下正推进多家国内厂商的产品开发或验证。

力合科创:2023年9月13日公司在互动平台披露,公司在半导体领域孵化了力合微、芯邦科技、瑞波光电等多个代表性企业,涵盖了通信芯片、存储芯片、激光芯片等细分赛道。力合微专注于电力线通信(PLC)技术和芯片的研发和生产;芯邦科技聚焦于存储控制芯片以及智能家居控制芯片的开发与应用;瑞波光电从事高端大功率半导体激光芯片的研发和生产。2022年11月17日公司在互动平台披露,公司在半导体领域孵化了芯海科技、基本半导体、博雅科技、芯邦科技等科技企业。其中,芯海科技是集感知、计算、控制、连接于一体的全信号链集成电路设计企业;基本半导体致力于碳化硅功率器件的研发与产业化;博雅科技致力于存储类芯片的设计研发;芯邦科技是移动储存和智能家居领域控制芯片的领军企业。

中密控股:2021年8月3日公司在互动平台披露:公司有生产碳化硅,基本都使用在公司密封产品中。

龙头公司介绍(入选板块理由)
行情数据
序号股票代码名称|自选股1|自2|自3|查股数据
1002851麦格米特 分时 日线 板块
2300456赛微电子 分时 日线 板块
3688170德龙激光 分时 日线 板块
4688689银河微电 分时 日线 板块
5003009中天火箭 分时 日线 板块
6688698伟创电气 分时 日线 板块
7301129瑞纳智能 分时 日线 板块
8000519中兵红箭 分时 日线 板块
9688478晶升股份 分时 日线 板块
10688693锴威特 分时 日线 板块
11688261东微半导 分时 日线 板块
12003031中瓷电子 分时 日线 板块
13300484蓝海华腾 分时 日线 板块
14688508芯朋微 分时 日线 板块
15688711宏微科技 分时 日线 板块
16002171楚江新材 分时 日线 板块
17002023海特高新 分时 日线 板块
18300124汇川技术 分时 日线 板块
19002243力合科创 分时 日线 板块
20300470中密控股 分时 日线 板块
序号股票代码名称|自选股1|自2|自3|查股数据
行情数据DDE数据资金单数单差数据特大(%)大单(%)小单(%)通吃率(%)主动率(%)
最新价涨幅换手率量比DDXDDYDDZ5日10日连续连增成交量(万元)BBD(万元)单数比买入卖出特大差大单差中单差小单差买入卖出买入卖出买入卖出通吃率1日通吃率5日通吃率10日通吃率20日主动率1日主动率5日主动率10日流通盘(万股)
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最新价涨幅换手率量比DDXDDYDDZ5日10日连续连增成交量(万元)BBD(万元)单数比买入卖出特大差大单差中单差小单差买入卖出买入卖出买入卖出通吃率1日通吃率5日通吃率10日通吃率20日主动率1日主动率5日主动率10日流通盘(万股)
碳化硅概念板块解析(994669) 碳化硅龙头股概念股一览
    (1)碳化硅(SiC),一种第三代宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界磁场高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高等性质,碳化硅电力电子器件可广泛用于国民经济的各个领域;
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