有研新材概念题材|有研新材所属行业地域板块

固态电池：固态电池是一种使用正负极和固体电解质，不含有任何液体，所有材料都由固态材料组成的电池。基于安全和能量密度上的优势，固态电池已成为未来锂电池发展的必经之路。

小金属：区别与基本金属，小金属具有小众属性，其包含种类繁多，包括镁、稀土、镉、锑、铋、钴、钨、钼、铟、锡、钛、铬、锰、钒、镓、锗、钽、铌、锆、铍、锂、钾、钙等属于小金属范畴。

新材料：新材料通常指的是具有新的性质、性能或应用潜力的材料。这些材料通常通过科学和工程研究开发，具有传统材料所不具备的特征。

口腔医疗：口腔医疗是指运用药物、医疗器械等医疗工具为口腔病患者和美牙需求者提供诸如种植、正畸、修复、 美白等医疗项目的服务。

稀土永磁：稀土永磁材料是指稀土金属和过渡族金属形成的合金经一定的工艺制成的永磁材料。稀土永磁材料已在机械、电子、仪表和医疗等领域获得了广泛应用。

有色金属：(1)有色金属可分为重金属(如铜、铅、锌)、轻金属(如铝、镁)、贵金属(如金、银、铂)及稀有金属(如钨、钼、锗等)。中国是全球金属消费第一大国，占全球金属消费量的40%以上，近年来，随着经济运行的放缓，金属产能的过剩，有色金属行业整体陷入了“低迷”，但作为生活、生产过程中必不可少的资源，有色拥有不可替代的地位。该板块纳入主营业务涉及有色金属的上市公司。 (2)有色金属工业协会发布“中经有色金属产业月度景气指数报告”显示，有色金属产业总体上保持平稳运行态势，但下行压力日益显现。初步判断，2015年一季度基本金属价格有望触底，二季度也有可能出现小幅反弹，但全年市场行情总体上仍呈现弱势震荡下行态势。 (3)发改委最新发布数据显示，2014年，全国十种有色金属产量4417万吨，同比增长7.2%，增速同比回落2.7个百分点。电解铝产量2438万吨，增长7.7%，回落2个百分点；铜产量796万吨，增长13.8%，提高0.3个百分点；铅产量422万吨，下降5.5%，去年同期为增长5%；锌产量583万吨，增长7%，回落4.1个百分点。氧化铝产量4777万吨，增长7.1%，回落7.5个百分点。2014年，有色金属行业实现利润2053亿元，同比下降1.5%。其中，有色金属矿采选业利润563亿元，下降10.7%；有色金属冶炼及压延加工业利润1490亿元，增长2.5%。 (4)工信部有色金属“十三五”行业发展规划重点：化解电解铝产能过剩、完善行业规范管理、推进两化深度融合和做好结构调整和行业运行分析等。工信部分析，2015年，我国经济下行压力依然较大；新《环保法》的实施以及资源、环境、人工等要素成本的提高迫使有色金属工业需尽快从规模扩张向创新驱动转变，同时，“一带一路”、京津冀协同发展、长江经济带等国家战略的实施，也为行业发展提供了新的增长动力。预计，2015年十种有色金属生产、消费、投资将进一步缓慢增长，产品价格将延续弱势震荡态势，企业经营难度依然很大。 (5)工信部印发的《有色金属工业“十二五”发展规划》提出，到2015年，关键新合金品种开发取得重大突破，形成汽车用铝合金板等高端铝合金板材20万吨、高强镁合金压铸及型材和板材15万吨、高端钛合金材2万吨的生产能力，重要功能材料取得突破，基本满足大飞机、轨道交 通、节能与新能源汽车、电子信息等领域的需求。此外，高强高导新型铜合金接触导线、绿色无铅环保型铜合金等项目，高性能铅合金、锌合金等项目，耐高温、耐腐蚀铁铬铝金属纤维多孔材料等项目，核级锆合金材料、高性能钨钼合金材料、大尺寸高纯稀有金属靶材等项目，也被列为精深加工重点工程。 (6)工信部发布有色金属工业发展规划(2016-2020年)提出，“十三五”期间，有色金属工业结构调整和转型升级取得显著进展，质量和效益大幅提升，到“十三五”末我国有色金属工业迈入制造强国行列。

专精特新：专精特新“小巨人”企业是指，具有“专业化、精细化、特色化、高新化”特征的工业中小企业，也是相关行业内专注于细分市场、创新能力强、市场占有率高、掌握关键核心技术、质量效益优的“排头兵”企业。

预盈预增：（1）以公司最近一期公告披露的业绩情况，选取预增比例超过100%以上的公司；

华为：选取与华为有业务合作的上市公司，或者上市公司产品进入华为供应链体系的予以入选。

扇出型封装：先进封装是指前沿的封装形式和技术，包括倒装芯片（FlipChip，FC）封装、晶圆级封装（WaferLevelPackage，WLP）、2.5D封装、3D封装、Chiplet（芯粒）、系统级封装（SiP）等。其中，晶圆级封装主要分为扇入型晶圆级封装和扇出型晶圆级封装。

央企改革：本概念板块选取上市公司实控人（含最终实控人）为央企背景的予以入选。

中芯国际：选取上市公司业务中有与中芯国际有来往的企业予以入选。

砷化镓：砷化镓属于III-V族化合物半导体。根据电阻的不同，砷化镓材料可以分为半导体型和半绝缘型。由于砷化镓的电子迁移率是硅的6~7倍，因此它高频性能十分优异。