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普冉股份(688766)热点题材主题投资

 

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热点题材☆ ◇688766 普冉股份 更新日期:2026-04-01◇ 通达信沪深京F10 ★本栏包括【1.所属板块】【2.主题投资】【3.事件驱动】【4.信息面面观】 【1.所属板块】 概念:汽车电子、芯片、小米概念、MCU芯片、存储芯片 风格:融资融券、高市净率、定增预案、百元股、重组预案、非周期股 指数:新硬件、科创100、上证580 【2.主题投资】 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2025-08-30│汽车电子 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司持续拓展车身领域应用,目前已成功导入车身域控、电机控制、电池 BMS、车载中控、 娱乐性系统等汽车电子的应用场景,后续将继续有效拓展对应领域及客户份额 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2023-05-19│存储芯片 │关联度:☆☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司的主营业务是非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与销售,目前主要 产品包括:NORFlash和EEPROM两大类非易失性存储器芯片、微控制器芯片以及模拟产品。其中非 易失性存储器芯片属于通用型芯片,可广泛应用于手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、 汽车电子、可穿戴设备和物联网等领域。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-10-18│MCU芯片 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司通用型MCU芯片第一颗M0+成品已经量产,并在进行市场推广中。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-10-10│芯片 │关联度:☆☆☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司采用SONOS工艺生产512KB-129MB中小容量NORFlash,SONOS工艺较传统NOR厂商如旺宏、 华邦电、兆易等采用的ETOX工艺具有低功耗、低成本优势。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-08-17│小米概念 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司核心产品广泛应用于各类TWS蓝牙耳机、工业控制、可穿戴设备、手机摄像头模组、AMO LED、家电、TDDI等领域,公司在国内市场覆盖了OPPO、vivo、华为、小米、联想、美的等众多 知名企业,同时不断拓展海外市场,覆盖三星、松下、惠普、希捷等知名终端客户,并与Dialog Semiconductor(DLG)等主控原厂建立了稳定的合作关系。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2025-12-09│定向增发 │关联度:☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司2025-12-09公告:定向增发预案董事会通过,预计募集资金1.839亿元。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2023-03-04│华为概念 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司产品应用于三星、OPPO、vivo、华为、小米、联想、惠普等品牌厂商 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-10-17│集成电路 │关联度:☆☆☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司采用SONOS工艺生产512KB-129MB中小容量NORFlash,SONOS工艺较传统NOR厂商如旺宏、 华邦电、兆易等采用的ETOX工艺具有低功耗、低成本优势。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2026-03-31│百元股 │关联度:☆☆☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 截止2026-03-31收盘价为:225.19元,近5个交易日最高价为:270.5元 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2026-03-31│高市净率 │关联度:☆☆☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 截止2026-03-31,公司市净率(MRQ)为:13.79 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2026-03-31│非周期股 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司属于集成电路设计(通达信研究行业) ──────┬──────┬──────────────────────────── 2026-03-21│并购重组预案│关联度:☆☆☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司协议转让,发行股份购买,发行可转债购买珠海诺亚长天存储技术有限公司49%股权 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2025-12-09│定增预案 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司2025-12-09公告定增方案被董事会通过 【3.事件驱动】 ──────┬─────────────────────────────────── 2025-11-10│暴涨50%,闪存龙头大幅调涨11月合约价格 ──────┴─────────────────────────────────── 闪存龙头闪迪(SanDisk)11月大幅调涨NAND闪存合约价格,涨幅高达50%。其涨价消息引发 整个存储供应链震动,导致创见(Transcend)、宜鼎国际(Innodisk)与宇瞻科技(Apacer Te chnology)等模组厂决定暂停出货并重新评估报价。其中,创见自11月7日起暂停报价交货,理 由为“预期市场行情将继续向好”,言外之意即是“价格还可能进一步上涨”。 ──────┬─────────────────────────────────── 2025-10-24│美股存储芯片概念全线大涨,四季度存储涨价趋势仍将持续 ──────┴─────────────────────────────────── 隔夜美股存储概念股再度走强,闪迪涨超13%,股价创历史新高;希捷科技涨近5%,西部数 据、美光科技涨超4%。据《韩国经济日报》报道,三星电子、SK海力士等主要内存供应商,将在 今年第四季度继续向客户调整报价。幅度上,包括DRAM和NAND在内存储产品价格将上调高达30% ,从而顺应AI驱动的存储芯片需求激增趋势。 ──────┬─────────────────────────────────── 2025-01-10│AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升,存储芯片产业链有望回升 ──────┴─────────────────────────────────── 据媒体报道,随着人工智能提振对先进存储芯片的需求,美光科技将在未来几年投资70亿美 元,扩大在新加坡的制造业务。这家美国公司在新加坡的新工厂周三破土动工,表示该工厂将于 2026年开始运营。工厂将用于封装高带宽存储芯片,该类芯片广泛应用于人工智能数据中心,工 厂将创造约1,400个就业岗位。美光在公告中表示,“美光未来在新加坡的扩张计划也将支持NAN D的长期制造需求。”目前AI技术正与终端产品快速融合,推动了以消费电子代表的诸多终端硬 件产品的创新。为提升端侧AI竞争力,对于芯片侧的要求会聚焦在算力、内存、功耗、工艺、面 积、散热等方面,其中存储芯片是极为关键的一环。甬兴证券表示,受益于供应端推动涨价、库 存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升,产业链有望探底回升。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-10-16│存储芯片利好密集催化,美国同意三星、海力士供货中国 ──────┴─────────────────────────────────── 工信部等六部门联合印发《算力基础设施高质量发展行动计划》,推动先进存储创新发展, 实现存储闪存化升级。此外,美国已决定三星电子和SK海力士可以向其中国工厂供应芯片设备。 存储芯片迎来新一轮利好消息密集催化。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-10-10│NAND产品涨超10%,存储巨头再度调涨芯片报价 ──────┴─────────────────────────────────── 据韩媒报道,日前多位消息人士透露,三星内部认为目前NANDFlash供应价格过低,公司计 划今年四季度起,调涨NANDFlash产品的合约价格,涨幅在10%以上;预计最快本月新合约便将采 用新价格。今年以来,三星一直奉行减产战略,1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产 举措主要集中在DRAM领域,之后下半年三星开始着手大幅削减NANDFlash业务产量,眼下正试图 推动NAND价格正常化。如今DRAM已出现价格反弹,而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减 产规模,降低供应量,再提高产品价格来寻求反转,其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-09-20│NAND资源供应趋紧,9月备货需求旺盛 ──────┴─────────────────────────────────── 随着原厂减产生效,上游资源端放缓出货节奏,加上本月备货需求旺盛,存储现货市场供需 状况加速好转,供应端普遍惜售低价库存,推动成品端价格跟随成本稳步上扬。而临近Q4,市场 预期持续升温,三季度末部分NANDwafer供应也按下暂停键,现货市场NAND资源供应愈加趋紧。 据CFM闪存市场数据显示,本周最新1Tb/512GbNANDFlashwafer价格分别上调至3.45/1.72美元,D DR416Gb3200/16GbeTT价格分别上调至2.43/2.17美元。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-09-18│机构预计2024年全球存储领域设备支出将增长65% ──────┴─────────────────────────────────── 据SEMI最新报告显示,存储领域设备支出预计将在2023年下降46%后,在2024年强劲回升, 增长65%至270亿美元。具体而言,DRAM投资预计将同比下降19%,至2023年为110亿美元,但2024 年将恢复至150亿美元,预计将增长40%;NAND支出2023年将减少67%,至60亿美元,但到2024年 将飙升113%,达到121亿美元。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-09-14│存储芯片报价止跌回升,产业已迈入复苏阶段 ──────┴─────────────────────────────────── 存储报价近期开始出现止跌信号,NANDFlash报价于第三季开始回升,且三星第四季扩大减 产,支撑涨势延续;DRAM报价上涨时间虽然递延,但第四季守稳,有望于2024年上半年开始回升 。整体而言,存储产业已迈入复苏循环,但由于终端需求力道不强,报价上涨较为温和,预期上 游存储芯片制造及封装获利改善速度较慢。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-08-10│存储芯片四季度起供给将低于需求,价格将可望延续上涨趋势 ──────┴─────────────────────────────────── 存储芯片三大厂减产效应陆续显现,据台媒消息,DRAM与NANDFlash供过于求的情况从第3季 将明显改善,最快从第4季起供过于求比例将由正转负。随着DDR5超频效能逐渐提升,AI运算带 动新品规格升级及云端应用采用率提高,DDR5现货价率先调整后,合约价于第3季也酝酿走扬, 由于存储模组厂及OEM厂的库存较低,7月DDR516GB模组价格逆势调涨3%~4%,预料上游DRAM供给 增量有限,第3季DDR5价格将可望延续上涨趋势。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-07-17│三星开始量产其功耗最低车载存储器 ──────┴─────────────────────────────────── 三星半导体官宣,已开始量产为车载信息娱乐系统(IVI)优化的全新车载UFS3.1存储器解 决方案,该解决方案号称拥有三星车载存储器最低的功耗。三星的UFS3.1(通用闪存)将推出12 8、256和512千兆字节(GB)三种容量。市场人士表示,存储行业当前处于周期较为底部的位置 ,供给收窄有利于减缓价格下降。根据CFM和Trendforce,部分DRAM与NAND产品将于2023年三季 度实现价格上涨。预计存储行业有望在下半年迎来复苏。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-07-06│三星DRAM月产量降至两年来新低,行业频现库存改善信号 ──────┴─────────────────────────────────── 据韩媒报道,测算数据显示,7月三星将DRAM月产量削减至62万片晶圆,同比减少12%以上, 创下了公司自2021年第三季度以来DRAM产量的新低。有半导体业内人士表示,三星的DRAM工厂中 ,除了采用最先进工艺制程的平泽园区之外,基本所有产线的DRAM产量都在下降。距离三星4月 宣布减产已过去了三个月,如今减产效果真正显现。但这并不是全部,报道称三星内部计划将减 产持续至明年,在半导体市场重回供需平衡之前,公司将避免扩产存储芯片。与此同时,三星也 开始积极与主要客户重新谈判DRAM价格——外界认为,这也意味着三星正在逐渐摆脱库存过剩的 负担。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-06-30│存储芯片三巨头集体酝酿涨价,减产效应预计下半年显现 ──────┴─────────────────────────────────── DRAM原厂均已进入长时间亏损衰退,目前价格跌无可跌已成共识,巨头涨价潮似乎已在酝酿 之中。业内人士透露,面对行业传统旺季,三大原厂(三星、SK海力士、美光)都计划调涨DRAM 的下一季度合约价,目标涨幅7%-8%。近期部分手机和服务器厂商订单释出已开始有所起色,由 于调涨产品涨幅也在接受范围内,加上原厂减产效应预计下半年将开始显现,因此核心客户基本 已默认接受存储市况已降无可降的现实。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-06-14│存储芯片反转信号涌现,机构看好下半年迎整体价格拐点 ──────┴─────────────────────────────────── 近期,存储芯片行业反转迹象不断涌现:库存减少、订单见长、企业酝酿涨价并开启投资。 三星5月已确认批准存储芯片投资,日前还计划提高NAND晶圆价格。SK海力士部分客户库存补货 订单已开始兑现,分析师预计Q2其DRAM、NAND出货量有望分别环比增长32%、17%。机构分析师表 示,随着2023年下半年行业改善预期回升,部分客户增加了库存补货订单,内存制造商持有的库 存开始减少。随着内存制造商库存下降,行业状况预计将从2023年第三季度开始真正改善,届时 DRAM和NAND的ASP有望转升。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-05-31│机构预计2025年中国分布式存储市场规模将超200亿元,将为存储芯片带来增量 │市场 ──────┴─────────────────────────────────── 日前,赛迪顾问发布《中国分布式存储市场研究报告(2023年)》。报告显示,中国分布式 存储市场规模快速发展,尽管相比集中式存储仍有一定差距,但2020年至2022年市场规模增速比 集中式存储高了近20个百分点。2023年至2025年,数字中国建设进入重要时期,分布式存储的高 扩展性、高效作业等优势将越发显著,预计到2025年中国分布式存储市场规模有望达到211.4亿 元,规模将比2022年翻一番。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-05-23│美光公司在华未通过网络安全审查,存储芯片国产替代迎来良机 ──────┴─────────────────────────────────── 据网信办官网,日前,网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审 查。审查发现,美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施供应链造 成重大安全风险,影响我国国家安全。为此,网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审 查的结论。按照《网络安全法》等法律法规,我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光 公司产品。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-04-06│汽车存储+AI应用将为存储芯片带来增长动力 ──────┴─────────────────────────────────── ChatGPT类生成式AI应用需要在海量的训练数据中进行学习,ChatGPT经历3次迭代,参数量 从1.17亿增加到1750亿,计算存储是其重要基石。随着AI新时代开启,预计全球数据生成、储存 、处理量将呈等比级数增长,存储器将显著受益。全球存储巨头美光科技近期表示行业库存正在 减少,存储芯片市场已见底,季度营收增长转折点到来,下一季度财报业绩就可迎来环比增长。 此外,高等级自动驾驶汽车对车载存储容量、密度和带宽需求正在大幅提升,机构认为汽车存储 或将成长为存储行业终端需求的一大支柱,为主流存储芯片和利基型存储芯片带来增长动力。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-01-30│全球存储芯片市场规模未来近2万亿 ──────┴─────────────────────────────────── 存储芯片是国内集成电路市场份额占比最大的产品类别。根据WSTS、中商产业研究数据,预 计2022年存储芯片的销售额为1555亿美元(约10550亿人民币),同比增长1.1%。根据Yole数据 ,2021-2027年全球存储芯片行业市场规模的复合年增长率为8%,并有望在2027年增长到2600亿 美元(约17640亿人民币)以上。 【4.信息面面观】 ┌──────┬─────────────────────────────────┐ │栏目名称 │ 栏目内容 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │公司简介 │公司成立于2016年,总部位于上海张江高科,在成都设有分公司,深圳、韩│ │ │国设有销售和现场应用服务与支持中心,同时在苏州设有研发中心;在日本│ │ │、英国、德国等多地拥有代表处。2021年8月,公司在上海证券交易所科创 │ │ │板上市,股票代码688766。 │ │ │公司目前主要产品包括NORFlash和EEPROM两大非易失性存储器芯片、MCU微 │ │ │控制器芯片及模拟产品。产品广泛应用于物联网、智能手机及周边、可穿戴│ │ │、服务器、光模块、工业控制、汽车电子、安防等领域。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │产品业务 │公司的主营业务是非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与│ │ │销售,目前主要产品包括:NORFlash和EEPROM两大类非易失性存储器芯片、│ │ │微控制器芯片以及模拟产品。其中非易失性存储器芯片属于通用型芯片。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │经营模式 │公司的主要经营模式为Fabless模式,该模式下公司仅需专注于从事产业链 │ │ │中的集成电路的设计和销售环节,其余环节委托给晶圆制造企业、晶圆测试│ │ │企业和芯片封装测试企业代工完成。 │ │ │1、研发模式 │ │ │在Fabless模式下,产品设计研发环节是公司运营活动的核心。公司紧密跟 │ │ │踪与了解市场需求,通过可行性分析和立项,将市场现时或潜在应用需求转│ │ │化为研发设计实践,通过一系列研发工作,将研发设计成果体现为设计版图│ │ │,最终经由晶圆代工厂、晶圆测试厂和封装测试厂的配合完成样品的制造、│ │ │测试和封装,达到量产标准。公司与主营业务相关的核心专利均属公司所有│ │ │。 │ │ │2、采购与运营模式 │ │ │在Fabless模式下,公司专注于集成电路的设计和销售,而晶圆制造、晶圆 │ │ │测试、芯片的封装测试通过委外加工方式完成。其中,公司委托晶圆代工厂│ │ │进行晶圆制造,委托晶圆测试厂进行晶圆测试服务,委托封装测试厂进行封│ │ │装测试服务。 │ │ │3、销售模式 │ │ │公司采用“经销+直销”的销售模式。经销模式下,经销商根据终端客户需 │ │ │求向公司下订单,并将产品销售给终端客户;公司与经销商之间进行买断式│ │ │销售,公司向经销商销售产品后的风险由经销商自行承担。直销模式下,终│ │ │端客户直接向公司下订单,公司根据客户需求安排生产与销售。公司产品的│ │ │定价机制是根据存储器芯片市场价格与客户协商定价。 │ │ │根据产品形态的不同,公司销售产品可以分为未封装晶圆(KnownGoodDie,│ │ │即KGD)和成品芯片,其中未封装晶圆主要销售给采用SIP系统级封装方式生│ │ │产的主控芯片厂商。两种形态的产品在芯片电路、制造工艺等方面不存在差│ │ │异。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │行业地位 │国内领先的NOR Flash和EEPROM的供应商 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │核心竞争力 │1、核心技术优势 │ │ │公司自创立以来,专注于存储器芯片的技术研发和产品创新。以技术创新为│ │ │基础,通过持续的创新研发和技术积累,现已形成具备完整的核心技术和产│ │ │品体系。同时,公司推出“存储+”规划和长期战略,积极拓展通用微控制 │ │ │器和存储结合模拟的全新产品线。 │ │ │公司的核心技术均属于自主知识产权,并形成了有规划、有策略的专利布局│ │ │。截至2025年12月31日,公司已获授权的发明专利达71项,集成电路布图设│ │ │计证书70项,已经建立起了完整的自主知识产权体系。 │ │ │2、核心团队优势 │ │ │公司自创立以来,专注于持续的技术研发和产品创新,持续的研发创新帮助│ │ │公司在产品性能上取得重要的技术突破,形成了“存储”及“存储+”两大 │ │ │产品模块。公司创始团队和技术团队曾经在NEC、华虹NEC、中芯国际、Inte│ │ │gratedDeviceTechnology,Inc.(IDT)、旺宏、SiliconStorageTechnology│ │ │,Inc.、SONY、瑞萨等国内外知名公司有多年研发和管理经历,核心技术人 │ │ │员平均工作超过十五年,具备深厚的IDM、Foundry和Fabless行业经验,具 │ │ │备综合竞争优势: │ │ │(1)公司拥有丰富的与晶圆代工厂合作开发先进工艺制程的产业经验,具 │ │ │备推动存储器技术升级和存储单元及相关器件的优化的研发能力; │ │ │(2)公司作为Fabless设计公司,拥有持续成功的产品开发量产经验,形成│ │ │存储器和数模混合芯片领域的设计优势,产品具备领先的低功耗、宽电压等│ │ │优势; │ │ │(3)公司基于IDM的工艺和产品协同开发经验,通过优化产品的设计架构与│ │ │工艺,能够最大程度地实现对产品性能、可靠性和芯片面积的优化; │ │ │(4)公司基于与晶圆厂的长期合作和战略协同,提高了工艺开发和产品迭 │ │ │代的效率,使公司的产品具备业界领先的工艺节点和存储单元性能及尺寸。│ │ │公司核心团队在技术研发、市场销售、工程管理等领域均有着丰富的阅历和│ │ │实战经验。公司自成立以来就十分注重人才的培养和创新,目前已培养了众│ │ │多存储器芯片设计领域的专业技术人才,同时,公司重视针对新研发业务的│ │ │优质行业人才引进,凭借“持续创新,卓越品质,恒久伙伴,信守承诺”的企 │ │ │业文化、覆盖全员的激励机制及已构建的品牌优势,不断吸收优秀的人才,│ │ │为公司的产品升级和业务拓展奠定良好的研发团队基础。 │ │ │3、客户资源拓展迅速 │ │ │在存储产品领域,目前公司核心产品广泛应用于各类TWS蓝牙耳机、工业控 │ │ │制、汽车电子、可穿戴设备、手机摄像头模组、AMOLED、家电、TDDI等领域│ │ │,公司在国内市场覆盖了OPPO、vivo、荣耀、小米、联想、美的等众多知名│ │ │企业,同时不断拓展海外市场,覆盖三星、松下、惠普、希捷等知名终端客│ │ │户,并与DialogSemiconductor(DLG)等主控原厂建立了稳定的合作关系。│ │ │4、产品体系优势 │ │ │公司已推出的产品体系覆盖了NORFlash、EEPROM两大类存储器芯片及MCU和V│ │ │CMDriver芯片,均具备优异的产品性能和较强的市场竞争力。首先,公司的│ │ │存储器芯片产品容量覆盖2Kbit-1Gbit、支持宽电压操作,可满足不同场景 │ │ │下的数据存储需求和完整解决方案,例如手机摄像模组中的2D和3D应用场景│ │ │,而公司MCU芯片产品具备自主嵌入式存储器IP的通用高性能,可进一步降 │ │ │低工作功耗,同时支持1.7V-5.5V宽电源电压,集中度更高。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │经营指标 │2025年,公司实现营业收入23.20亿元,较2024年同比增加28.62%;营业利 │ │ │润1.88亿元,同比减少1.18亿元,利润总额2.11亿元,同比减少0.94亿元;│ │ │归属于母公司所有者的净利润2.08亿元,同比减少0.85亿元。扣除政府补助│ │ │等非经常性损益的影响,实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净│ │ │利润1.65亿元,同比减少1.04亿元。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │竞争对手 │兆易创新、华邦电子股份有限公司、旺宏电子、武汉新芯、意法半导体(ST│ │ │Microelectronics)、微芯科技(Microchip Technology)、安森美半导体│ │ │(ON Semiconductor)、艾普凌科(ABLIC, Inc.)、聚辰股份。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │品牌/专利/经│专利:截至2025年12月31日,公司已获授权的发明专利达71项,集成电路布│ │营权 │图设计证书70项,已经建立起了完整的自主知识产权体系。报告期内,公司│ │ │取得15项发明专利,5项实用新型专利授权,新提交27项发明专利,1项发明│ │ │(PCT)专利,3项实用新型专利申请,取得2项软件著作权,15项集成电路 │ │ │布图设计登记。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │投资逻辑 │(1)NORFlash行业 │ │ │公司是中国大陆主要的NORFlash存储器芯片供应商之一。据Web-FeetResear│ │ │ch报告显示,在2024年NORFlash市场销售额排名中,公司位列全球第五。20│ │ │25年全年,公司NORFlash产品线出货量突破历史新高,累计出货量超55亿颗│ │ │。 │ │ │(2)EEPROM行业 │ │ │公司深耕于EEPROM行业,具备丰富的产业经验和深厚的技术积累,在芯片设│ │ │计上实现了更高的可靠性以及分区域保护、地址编程等功能。同时,基于对│ │ │芯片的制造工艺的深度了解,研发团队在行业主流的130nm工艺制程基础上 │ │ │对存储单元结构和操作电压进行了改进和优化,实现55nm制程产品量产,降│ │ │低了公司EEPROM芯片面积,提高了产品的成本竞争优势。 │ │ │(3)MCU行业 │ │ │作为国内领先的非易失性存储器芯片供应商,公司借助设计与工艺的协同优│ │ │势,在先进逻辑工艺平台优化嵌入式存储器技术,并构建通用高性能和高可│ │ │靠性的MCU产品平台。公司自主研发的IP使得产品具备芯片尺寸、功耗及读 │ │ │取速度等应用特性优势,以及存储器擦写及数据保持时间等可靠性优势。同│ │ │时,公司作为全球极少数掌握工艺技术的Fabless厂商,先进工艺开发和演 │ │ │进能力结合设计优势,构筑了行业领先的成本控制能力和面向通用产品领域│ │ │的长期竞争力。 │ │ │(4)VCMDriver行业 │ │ │公司作为VCMDriver行业的新入局者,依托于产品本身及可协同客户资源, │ │ │已经实现独立开环及存储二合一产品的大量出货,主要应用于摄像头模组(│ │ │CCM),与公司原本的EEPROM产品下游CCM领域形成出货协同,可以更好的满│ │ │足下游终端客户的需求。同时,公司基于存储、模拟及传感器技术研发VOIS│ │ │和OIS光学防抖产品,均已实现批量出货(VOIS指不带MCU的分体式光学防抖│ │ │,OIS指带MCU的一体式光学防抖)。报告期内,公司已经推出第一代闭环系│ │ │列产品,实现对高端客户较大行程范围的需求。 │ │ │(5)2DNAND行业 │ │ │公司于2025年11月以现金收购方式,实现对SHM的间接控股,而在2DNAND这 │ │ │一重要细分市场中,SHM展现出强劲的竞争力与明确的行业地位。依据Trend│ │ │Force等第三方市场调研数据,在2024年全球SLCNANDFlash市场中,SHM已位│ │ │列全球第四大供应商,仅次于铠侠、美光和华邦,在该细分领域具备一定的│ │ │市场份额和行业影响力。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │消费群体 │手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴设备和物联│ │ │网等领域 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │消费市场 │境内、境外 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │主营业务 │非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与销售 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │主要产品 │存储芯片 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │行业竞争格局│(1)公司存储器产品包括NORFlash、EEPROM和2DNANDFlash等。 │ │ │当前,全球存储芯片市场呈“头部主导+本土崛起”格局,三星、SK海力士 │ │ │、铠侠、美光等国际大厂仍占据主导地位,拥有大部分市场份额,但随着国│ │ │产替代浪潮,以及差异化竞争策略,本土厂商逐步在利基型存储市场逐步建│ │ │立竞争优势。摩根士丹利的报告指出,由随着先进制程的存储产品(如DDR5│ │

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