热点题材☆ ◇688261 东微半导 更新日期：2025-05-03◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.所属板块】【2.主题投资】【3.事件驱动】【4.信息面面观】
【1.所属板块】
概念:充电桩、智能机器、芯片、数据中心、储能、三代半导、高压快充
风格:融资融券、专精特新
指数:无
【2.主题投资】
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2025-04-30│机器人概念 │关联度：☆☆☆
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公司中低压屏蔽栅MOSFET系列的相关器件产品已在新型机器人领域实现销售。
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2024-11-06│数据中心 │关联度：☆☆☆
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公司是国内较早进入数据中心服务器电源系统应用的高性能功率器件供应商之一，该领域覆
盖国内外多个重要客户，业务保持高速增长
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2024-10-21│第三代半导体│关联度：☆☆☆
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公司布局的独创技术的高性能高可靠性第三代半导体MOSFET器件产品开发顺利
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2024-07-31│储能 │关联度：☆☆☆
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公司产品已应用于储能领域并持续批量出货
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2024-03-07│高压快充 │关联度：☆☆☆
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公司在直流充电桩领域的产品以高压快充为主。
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2022-07-22│充电桩 │关联度：☆☆
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公司为国内充电桩提供国产化芯片
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2022-02-10│芯片 │关联度：☆☆☆☆☆
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公司的GreenMOS大功率超结MOSFET成为国内市场的知名品牌，在充电桩等高端应用中被众多
一线客户采用。
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2024-02-26│华为持股 │关联度：☆☆☆
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深圳哈勃科技创业投资有限公司是东微半导的十大股东之一，占流通股的8%股份
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2023-10-19│华为概念 │关联度：☆☆☆
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截至2023-09-26，哈勃科技创业投资有限公司持有公司股份466.31万股，占公司总股本的4.
94%
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2023-06-25│比亚迪概念 │关联度：☆☆☆
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公司高压超级结MOSFET及中低压SGT MOSFET已批量出货给比亚迪、凯斯库、哈曼、联合电子
等公司
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2022-02-10│IGBT │关联度：☆☆☆☆
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公司的创新型IGBT已进入量产，性能达到国际一流水平。
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---│不可减持(新 │关联度：☆☆☆☆
│规) │
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公司近20个交易日内跌破发行价，依照减持新规，控股股东和实际控制人不可减持。
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2025-03-20│专精特新 │关联度：☆☆☆
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公司已入选工信部专精特新小巨人企业名单。
【3.事件驱动】
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2023-07-17│IGBT芯片价格居高不下，新能源汽车及光伏领域需求旺盛
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目前IGBT缺货基本在39周以上，供需缺口已经拉长到50%以上，市场部分料号供货周期还是
维持在52周，最长达54周。IGBT领域龙头厂商英飞凌最新的Q2交期维持在39-50周，价格居高不
下。另一家大厂安森美2022-2023年的产能全部售罄，最新的Q2交期在47-52周，远高于英飞凌，
价格一直维持高位。IGBT是具有高电流、高电压、高效率的半导体电源控制元件，能够实现大电
流大电压的开关控制，主要应用于新能源汽车及光伏等领域的电力控制系统中，被誉为新能源汽
车的“CPU”。
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2023-05-26│车用、工业IGBT供应依然吃紧，IGBT行业或受关注
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据业内人士透露，IGBT在工业、车用领域供货仍吃紧，且主流IDM厂一路看好其长期需求。
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2023-05-16│汽车芯片荒野求生，各路玩家入局扩产IGBT、MCU仍一芯难求
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在汽车电动化和智能化大趋势面前，汽车工业正经历着前所未有的产业变革，车载芯片正迎
高速发展阶段。近日有消息称，海外龙头高通将收购以色列汽车芯片公司Autotalks，加码车联
网技术。此外，在今年上海车展上，百度Apollo和蔚来等十余家汽车品牌均展出了在英伟达DRIV
E Hyperion计算平台上运行的车型，智能汽车芯片开启算力之争。根据公开数据，传统燃油车所
需汽车芯片数量为600—700颗，电动车所需的汽车芯片数量将提升至1600颗/辆，而更高级的智
能汽车对芯片的需求量将有望提升至3000颗/辆。海思数据预计，2030年汽车电子在汽车总成本
中的占比会达到50%。正是在持续旺盛的需求下，汽车芯片荒似乎仍在蔓延。
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2023-04-28│国家能源局加快推进充电设施建设，2023年将是充电桩销量高增之年
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4月27日，国家能源局发展规划司副司长董万成在新闻发布会上表示，加快推进县乡村充电
基础设施建设。着力推动县城、乡镇公共充电基础设施布局建设，探索充电设施与光伏、储能相
结合，加大县乡村充电网络建设运营支持力度，为新能源汽车下乡创造良好条件。
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2023-03-30│缺货问题2024年难以解决，IGBT被誉为电力电子装置的CPU
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自20年以来，绝缘闸极双极性晶体管（IGBT）供不应求，随着车用、工业应用所需用量大增
，而产能扩增缓慢，认证需时间，考量长期客户关系，以及订单规模下，加上Tesla释出大砍碳
化硅（SiC）用量75%消息，让可能成为替代方案之一的IGBT，缺货问题至少在2024年中前难以解
决。IGBT是第三代功率半导体技术革命的代表性产品，具有高频、高电压、大电流，易于开关等
优良性能，被业界誉为电力电子装置的“CPU”，广泛应用于工业控制、轨道交通、白色家电、
新能源发电、新能源汽车等领域。券商指出，我国是全球最大的IGBT需求市场，产业具有较大的
发展前景，但我国IGBT自给率不足20%，本土替代仍有较大的提升空间。
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2023-02-16│2022年我国充电基础设施数量同比增长近100%
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据国家能源局新闻发言人梁昌新近日介绍，2022年我国充电基础设施数量达到520万台，同
比增长近100%。其中，公共充电基础设施增长约65万台，累计数量达到180万台；私人充电基础
设施增长约190万台，累计数量超过340万台。梁昌新说，我国充电市场呈现出多元化发展态势，
目前各类充电桩运营企业3000余家。电动汽车充电量持续增长，2022年全年充电量超过400亿千
瓦时，同比增长85%以上。
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2023-02-10│2023年1月公共充电桩增加6.6万台，同比增长52.6%
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2月10日，中国充电联盟发布2023年1月公共充电基础设施运行情况，2023年1月比2022年12
月公共充电桩增加6.6万台，1月同比增长52.6%。截至2023年1月，联盟内成员单位总计上报公共
充电桩184.1万台，其中直流充电桩78.5万台、交流充电桩105.5万台。从2022年2月到2023年1月
，月均新增公共充电桩约5.5万台。
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2023-02-06│政策与需求共振，充电桩有望进入加速建设期
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2月3日，工信部等八部门发布关于组织开展公共领域车辆全面电动化先行区试点工作的通知
，通知提到的重点任务包括，促进新技术创新应用。加快智能有序充电、大功率充电、自动充电
、快速换电等新型充换电技术应用，加快“光储充放”一体化试点应用。机构认为，近年来，全
球新能源汽车渗透率持续提升，充电桩作为支撑新能源汽车发展的配套基础设备，受政策端和需
求端双重因素驱动，未来有望进入加速建设期，远期市场空间超千亿元。
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2023-01-19│提升电动汽车充电基础设施，充电桩产业迎来黄金发展期
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中国充电联盟发布数据显示，截至2022年11月，联盟内成员单位总计上报公共充电桩173.1
万台。去年前11个月，全国充电基础设施累计数量为494.9万台，同比增加107.5%;充电基础设施
增量为233.2万台，其中公共充电桩增量同比上涨105.4%，随车配建私人充电桩增量持续上升，
同比上升316.5%。
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2023-01-16│突破性第三代半导体材料，碳化硅利好消息密集催化
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碳化硅领域近期利好消息不断，东尼电子签大单三年交付量剑指90万片，芯片大厂英飞凌扩
大碳化硅材料采购等。碳化硅（Sic）是突破性第三代半导体材料，与前两代半导体材料相比，
以碳化硅制成的器件拥有良好的耐热性、耐压性和极低的导通能量损耗，是制造高压功率器件与
高功率射频器件的理想材料。碳化硅下游应用包括新能源、光伏、储能、通信等领域。
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2022-08-08│新能源汽车+光伏需求旺盛，IGBT产品产能紧张
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据报道，向韩国现代汽车IONIQ 5供应动力模块芯片（IGBT）的世界第一大车载半导体公司
德国英飞凌产出大量不良产品。由于两个月的芯片全部被废弃，从本月开始IONIQ5生产中断的可
能性增大。
机构对全球和中国的新能源汽车IGBT市场规模进行了测算，至2025年，全球新能源汽车IGBT市场
规模将达到116亿美元，是2021年的5倍以上；中国新能源汽车IGBT市场规模将达到387亿元，同
样为2021年的5倍以上。
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2022-07-22│推动能源电子产业发展，IGBT半导体下游深度绑定光伏+新能源车
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工信部电子信息司副司长杨旭东表示，工信部电子司将加快发布《关于推动能源电子产业发
展的指导意见》，目前这一指导意见正在发布的流程中。IGBT是进行能量转换与传输的核心元器
件，在新能源汽车、消费电子、光伏发电、工业控制、智能电网和轨道交通中均有广泛应用。新
能源汽车和光伏是IGBT下游最主要的应用，市场需求占比超过40%。
【4.信息面面观】
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│栏目名称 │ 栏目内容 │
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│公司简介 │2020年9月15日，东微有限召开股东会，同意将公司整体变更为股份有限公 │
│ │司，股份有限公司名称为“苏州东微半导体股份有限公司”，公司现有全体│
│ │股东为股份有限公司发起人；同意以2020年8月31日为基准日，协调中介机 │
│ │构开展相关审计与资产评估工作。2020年10月25日，天健出具“天健审〔20│
│ │20〕9923号”《审计报告》，确认截至2020年8月31日，公司净资产的审计 │
│ │值为248,683,212.28元。2020年10月25日，江苏中企华中天资产评估有限公│
│ │司出具“苏中资评报字〔2020〕第2071号”《资产评估报告》，根据该评估│
│ │报告，截至2020年8月31日，公司净资产的评估值为252,350,375.56元。该 │
│ │评估结果已提交苏州工业园区国有资产监督管理办公室备案，并取得了《国│
│ │有资产评估项目备案表》。2020年10月25日，东微有限召开股东会，同意以│
│ │截至2020年8月31日的经审计净资产值248,683,212.28元中的4,758.2182万 │
│ │元按股东出资比例分配并折合为变更后的股份公司的注册资本，分为47,582│
│ │,182股，每股面值人民币1元。超出股本部分的净资产201,101,030.28元作 │
│ │为股本溢价，计入股份公司资本公积。同日，公司全体股东暨股份公司全体│
│ │发起人签署《关于变更设立苏州东微半导体股份有限公司之发起人协议》。│
│ │2020年11月10日，东微有限召开创立大会暨第一次临时股东大会，审议《关│
│ │于创立苏州东微半导体股份有限公司的议案》《苏州东微半导体股份有限公│
│ │司章程》《关于选举公司第一届董事会董事的议案》《关于选举公司第一届│
│ │监事会监事的议案》等议案。2020年10月31日，天健对东微有限整体变更设│
│ │立为股份有限公司的出资情况进行了审验，并出具“天健验〔2020〕562号 │
│ │”《验资报告》，确认截至2020年10月26日，公司已收到全体股东拥有的东│
│ │微有限截至2020年8月31日经审计的净资产248,683,212.28元，折合股份47,│
│ │582,182股。2020年11月27日，江苏省市场监管局向公司核发变更后的《营 │
│ │业执照》。统一社会信用代码为：91320594680506522G。 │
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│产品业务 │公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产│
│ │品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司的主要产品包括GreenM│
│ │OS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、T│
│ │GBT系列IGBT产品以及SiC器件（含Si2CMOSFET）。 │
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│经营模式 │公司作为专业的半导体功率器件设计及研发企业，自成立以来始终采用Fabl│
│ │ess的经营模式。Fabless模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯│
│ │片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶│
│ │圆制造和封装测试企业完成。 │
│ │1、研发模式 │
│ │公司产品的研发流程主要包括产品开发需求信息汇总、立项评估与可行性评│
│ │估、项目设计开发、产品试制以及测试验证等四个环节。该四项环节主要由│
│ │研发部、运营部等合作完成，同时，研发部质量团队会全程参与产品研发的│
│ │所有环节，监督各环节的执行过程，以在全环节实现对产品质量的管控。 │
│ │2、采购与生产模式 │
│ │公司采购的内容主要为定制化晶圆制造、封装及测试服务，以及实验室设备│
│ │的采购。在Fabless模式中，公司主要进行功率器件产品的研发、销售与质 │
│ │量管控，产品的生产采用委外加工的模式完成，即公司将自主研发设计的集│
│ │成电路版图交由晶圆厂进行晶圆制造，随后将制造完成的晶圆交由封测厂进│
│ │行封装和测试。 │
│ │3、销售模式 │
│ │结合行业惯例和客户需求情况，公司目前采用“经销加直销”的销售模式，│
│ │即公司通过经销商销售产品，也向终端系统厂商直接销售产品。在经销模式│
│ │下，公司与经销商的关系主要为买断式销售关系，公司将产品送至经销商或│
│ │者经销商指定地点；在直销模式下，公司直接将产品销售给终端客户，公司│
│ │将产品送至客户指定地点。 │
│ │4、管理模式 │
│ │自创立以来，公司汇聚了国内外优秀的技术和管理专家，积累了丰富的产品│
│ │开发和营销经验，经过多年的摸索和融合，逐渐建立了符合自身发展的管理│
│ │理念和管理体系。公司在日常管理中采用了关键绩效指标管理和综合评分制│
│ │，会与每个员工明确各自的主要责任，并以此为基础设立相应的业绩衡量指│
│ │标。从管理架构上，公司采取矩阵式管理。矩阵式管理既保持了产品开发及│
│ │售后维护的专业性，不断提高和积累技术能力，又能明确项目的责任人和各│
│ │成员的分工和目标，以确保相应任务高质量完成。 │
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│行业地位 │国内高性能功率半导体领域的佼佼者 │
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│核心竞争力 │1、强大的研发能力，保证公司产品性能国内领先甚至国际领先 │
│ │公司的核心技术人员均在功率半导体领域耕耘超过十年，具有丰富的研发经│
│ │验，并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。公司核心技术人│
│ │员的研发能力保证了公司的技术敏锐度和研发水平，确保了公司的产品迭代│
│ │能够紧跟行业发展趋势，亦满足客户终端产品的创新需求。 │
│ │2、丰富的产品规格，满足不同应用场景的需求 │
│ │功率器件的产品规格丰富，不同规格的产品被应用于不同的应用场景。得益│
│ │于公司丰富的产品系列以及强大的产品开发能力，公司的功率器件产品已被│
│ │广泛应用于各类工业级及消费级领域，包括新能源汽车直流充电桩、车载充│
│ │电机、储能和光伏逆变器、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、│
│ │UPS电源和工业照明电源、PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器领 │
│ │域等。 │
│ │3、作为国内高性能功率器件的优质供货商之一，拥有强大的全球终端客户 │
│ │基础 │
│ │凭借优异的技术实力、产业链深度结合能力和客户创新服务能力，公司已经│
│ │与国内外各行业的龙头客户建立了长期的合作关系。在各类功率器件应用领│
│ │域尤其是工业级应用领域中，公司的产品获得了众多知名企业的认可，成为│
│ │了该等客户的少数国内供应商之一。同时，公司在全球范围内积累了众多的│
│ │知名终端品牌客户。公司进入该等客户的供应链体系后能够持续为公司带来│
│ │高粘性，同时也将推动公司不断进行技术迭代升级以满足引领行业发展的头│
│ │部客户需求，为公司保持高端功率器件领域的领先地位奠定基础。 │
│ │4、稳定的供应商关系提供产能保障，在特殊工艺方面持续技术合作 │
│ │公司与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商建立了长期稳定的│
│ │业务合作关系与高效的联动机制。在根据终端市场需求精确调整产品设计的│
│ │同时，公司具有与上游供应商合作并实现深度定制化开发的能力，主要是基│
│ │于与供应商长期稳定的战略合作关系与高效的联动机制。 │
│ │5、经验丰富的管理团队 │
│ │公司联合创始人龚轶先生硕士毕业于英国纽卡斯尔大学，拥有超过20年半导│
│ │体研发管理经验，曾担任全球领先的中央处理器（CPU）厂商超微半导体公 │
│ │司的研发工程师、全球最大的功率器件厂商英飞凌科技的德国研发中心专家│
│ │；同时，也是国家创新人才推进计划科技创新创业人才、江苏省科技企业家│
│ │、姑苏创新创业领军人才。 │
│ │6、作为国内领先的高性能功率器件设计厂商，受益于行业发展与国产替代 │
│ │机遇 │
│ │公司是国内领先的高性能功率器件厂商之一。公司目前已积累了知名的国内│
│ │外客户群，产品及方案被各终端应用领域广泛应用，市场认可度逐渐提高。│
│ │一直以来，公司深耕新能源汽车直流充电桩、车载充电机、储能和光伏逆变│
│ │器、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、UPS电源和工业照明电 │
│ │源等领域，通过强大的研发实力和优越的产品性能，成为了量产工业级和汽│
│ │车级高压超级结MOSFET、工业级和汽车级中低压SGTMOSFEET及工业级新型IG│
│ │BT器件的高性能功率半导体厂商。 │
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│经营指标 │2023年内，公司实现营业收入97285.03万元，较上年同期减少12.86%；实现│
│ │归属于上市公司股东的净利润14002.50万元，较上年同期减少50.76%；实现│
│ │归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润11941.51万元，较上年同│
│ │期减少55.41%。同时，公司主营业务收入分产品系列实现情况如下：（1） │
│ │公司高压超级结MOSFET产品全年实现营业收入80558.52万元，较2022年同期│
│ │减少11.87%；（2）公司中低压屏蔽栅MOSFET产品全年实现营业收入12807.1│
│ │7万元，较2022年同期减少17.72%；（3）公司Tri-gateIGBT产品2023年内实│
│ │现营业收入2988.55万元，较2022年同期减少33.01%；（4）公司超级硅MOSF│
│ │ET产品2023年内实现营业收入860.34万元，较2022年同期增加321.14%；（5│
│ │）公司SiC器件产品（含Si2CMOSFET）2023年内实现营业收入70.45万元，约│
│ │为2022年同期收入水平的533倍。2024年，东微半导主营产品将持续批量出 │
│ │货并新增多个产品送测认证，这将对公司主营产品销售增长提供持续推动力│
│ │。 │
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│竞争对手 │英飞凌（Infineon）、安森美（ON Semiconductor）、意法半导体（ST Mic│
│ │roelectronics）、瑞萨电子（Renesas Electronics）、日本东芝（Toshib│
│ │a）、华润微（688396）、扬杰科技（300373）、华微电子（600360）、新 │
│ │洁能（605111）、士兰微（600460）。 │
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│品牌/专利/经│专利：2023年度申请发明专利5个，获得授权专利3个，截止到2023年末获得│
│营权 │专利数59个。 │
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│投资逻辑 │公司已成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一。公司在中低压屏蔽栅MO│
│ │SFET领域，公司亦积累了包括优化电荷平衡、自对准加工等核心技术，产品│
│ │的关键技术指标达到了国内领先水平。公司在产品结构领域内拥有广阔的进│
│ │口替代空间，发展空间巨大。高效的研发团队与持续的研发投入使得公司成│
│ │为功率器件领域产品性能领先的本土企业之一。 │
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│消费群体 │新能源汽车直流充电桩、车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服│
│ │务器电源、储能和光伏逆变器、UPS电源和工业照明电源为代表的工业级应 │
│ │用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费│
│ │电子应用领域 │
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│消费市场 │境内、境外 │
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│行业竞争格局│功率半导体行业市场集中度高，全球市场尤其是高端功率器件领域以美、日│
│ │、欧等国厂商为主导。其中，高压功率MOSFET产品以英飞凌、安森美等厂商│
│ │为主导。IGBT产品市场则由英飞凌、安森美、三菱电机等厂商长期占据垄断│
│ │地位。近年来，随着社会电气化程度的不断提高以及新技术的迭代与创新，│
│ │国产功率半导体企业取得较大进步，逐步从低端市场向高端应用领域持续渗│
│ │透。同时，国内孕育出一批优秀的功率半导体器件企业，包括：斯达半导、│
│ │华润微、士兰微、新洁能、东微半导等功率器件企业并依托顶层设计持续完│
│ │善、国内多细分领域海量的市场需求以及企业自身的技术创新能力、特色工│
│ │艺占据一席之地，加速了功率半导体器件国产化替代的进程。 │
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│行业发展趋势│（1）新技术的发展情况及未来发展趋势 │
│ │1）工艺进步、器件结构改进加速产品迭代 │
│ │采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致│
│ │采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因│
│ │是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MO│
│ │SFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET│
│ │进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要│
│ │采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会│
│ │不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩 │
│ │大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏│
│ │蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多│
│ │传统的VDMOS。 │
│ │2）第三代半导体材料功率器件的替代趋势 │
│ │第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高│
│ │、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅│
│ │材料。首先，由于新能源汽车、光伏逆变及储能、5G等新技术的应用及需求│
│ │迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温 │
│ │下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。 │
│ │3）功率器件集成化趋势 │
│ │除了功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带│
│ │动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使│
│ │用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效│
│ │和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被│
│ │封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工│
│ │业领域、新能源汽车仍是功率模块的主要应用领域。而芯片技术的提升可有│
│ │效提高模块的集成度和综合性能，降低成本，是模块技术提升的重要因素。│
│ │（2）新产业、新业态、新模式的发展情况及未来发展趋势 │
│ │受益于新能源汽车、直流充电桩、工业及通信电源、光伏逆变及储能等市场│
│ │对于高性能功率器件的需求将不断增加，以高压超级结MOSFET为代表的高性│
│ │能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。 │
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│行业政策法规│《国务院关于印发2030年前碳达峰行动方案的通知》、《关于加快推动新型│
│ │储能发展的指导意见》、《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展│
│ │的若干政策》、《中国制造2025》、《“十四五”数字经济发展规划的通知│
│ │》、《国家信息化发展战略纲要》、《中华人民共和国国民经济和社会发展│
│ │第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》 │
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│公司发展战略│公司始终专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域，是少数具备从专利到│
│ │产品量产完整经验的功率器件设计公司之一。公司领先的功率器件和工艺创│
│ │新能力已在工业级高压超级结MOSFET产品、中低压MOSFET器件产品领域得到│
│ │了充分的验证，公司具有独立知识产权的TGBT器件迅速上量，SiC器件产品 │
│ │研发及客户导入顺利，受到终端客户的一致认可。未来，公司将持续聚焦创│
│ │新型高性能功率半导体产品，致力于成为国际领先的功率半导体厂商。公司│
│ │制定的战略规划如下： │
│ │1、持续专注于研发高效率、低损耗产品，实现国产功率器件的自主可控 │
│ │作为国内最早在12英寸晶圆产线实现量产的功率半导体设计公司之一，公司│
│ │将进一步利用平台优势提高现有产品的性能。在高压MOSFET方面，公司将延│
│ │续高压超级结MOSFET产品系列的优势，充分利用12英寸先进制程工艺，进一│
│ │步提升产品动态性能，优化一致性和稳定性，降低单位面积导通电阻，并加│
│ │速扩大产品在工业级应用领域的市场份额，取代更多的进口品牌的份额，实│
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