热点题材☆ ◇688234 天岳先进 更新日期：2026-08-01◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.所属板块】【2.主题投资】【3.事件驱动】【4.信息面面观】
【1.所属板块】
概念:含H股、智能电网、新能源车、芯片、三代半导、AI眼镜
风格:融资融券、连续亏损、高贝塔值、近期弱势、专精特新、非周期股
指数:上证380、中盘成长、国证成长、半导体50、科创信息、科创芯片、科创材料、科创100
【2.主题投资】
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2026-03-19│新能源车 │关联度：☆☆☆
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公司于2022年较早的通过了车规级IATF16949体系认证，公司碳化硅衬底已得到国际一线领
先功率半导体厂商的严苛验证，并已实现持续大规模批量供货。2023年，我们获国际头部汽车厂
商授予的“优秀供应商奖”荣誉。
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2026-02-25│智能电网 │关联度：☆☆☆
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公司成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，向智能电网等更高电压领域迈进，加速SiC-IGBT
发展。
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2025-09-15│AI眼镜 │关联度：☆☆☆
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公司已与多个光学和消费电子行业全球领导者共同合作，探索碳化硅材料在AI眼镜领域的应
用。
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2025-08-19│含H股 │关联度：☆☆☆☆☆
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H股:天岳先进(02631)于2025-08-20上市
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2022-01-12│第三代半导体│关联度：☆☆☆☆☆
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公司是国内领先的第三代半导体衬底材料生产商，也是半绝缘型碳化硅衬底市场的世界前三
。
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2022-01-12│芯片 │关联度：☆☆☆☆☆
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公司是第三代半导体材料知名国产供应商。
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2026-05-18│固态变压器 │关联度：☆☆☆
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全球SiC衬底龙头，AI应用为SiC打开了十倍于车用的市场空间，是SST等高压架构的核心上
游材料
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2024-02-26│华为持股 │关联度：☆☆☆
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深圳哈勃科技创业投资有限公司持股公司6.34%的股权
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2023-10-30│华为概念 │关联度：☆☆☆
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截止2023年三季报，哈勃科技创业投资有限公司持有公司股份2726.25万股，占公司总股本
的6.34%
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2022-01-12│碳化硅 │关联度：☆☆☆☆☆
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公司是国内领先的第三代半导体衬底材料生产商，也是半绝缘型碳化硅衬底市场的世界前三
。
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---│不可减持(新 │关联度：☆☆☆☆
│规) │
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公司近20个交易日内跌破发行价，依照减持新规，控股股东和实际控制人不可减持。
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2026-07-31│近期弱势 │关联度：☆☆☆☆☆
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截止2026-07-31,20日跌幅为：-40.49%
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2026-07-31│非周期股 │关联度：☆☆☆
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公司属于半导体材料（通达信研究行业）
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2026-07-31│高贝塔值 │关联度：☆☆☆
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截止2026-07-31,最新贝塔值为:2.91
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2026-04-28│连续亏损 │关联度：☆☆☆☆
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公司2025-12-31、2026-03-31财报归母净利润为负
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2022-09-07│专精特新 │关联度：☆☆☆☆
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公司已入选工信部专精特新小巨人企业名单。
【3.事件驱动】
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2025-11-12│第三代半导体突破供电瓶颈，有望在AI数据中心领域广泛应用
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机构指出，为支持高功耗高性能AI计算日益增长的需求，碳化硅衬底逐渐被用于AI数据中心
电源供应单元的交直流转换阶段，以降低能耗、改进散热解决方案并提升服务器的功率密度，打
开了碳化硅产品的应用领域和天花板。AI服务器功耗高，数据中心需要使用更高功率的供电架构
。为了应对更高端的AI运算，服务器供电系统各环节的效能、功率密度需要进一步提高。SiC/Ga
N等第三代半导体材料具有高击穿电场、高迁移率等特点，允许材料在更高的温度和电压下运行
，降低能耗和成本。目前头部厂商正在持续推动SiC/GaN在AI数据中心领域应用。东方证券指出
，展望未来，在AI服务器及数据中心的大功率供电需求不断提升的趋势下，SiC/GaN有望得到更
广泛的应用。
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2025-09-08│英伟达拟将Rubin处理器CoWoS中间基板材料替换为碳化硅
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为提升性能，英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中，计划把CoWoS先进封装环节的中间
基板材料，由硅换成碳化硅（SiC）。目前台积电邀请各大厂商共同研发碳化硅中间基板的制造
技术，英伟达第一代Rubin GPU仍会采用硅中间基板。但由于英伟达对性能进步的要求极高，当
芯片内产生的热超过极限，就必须采用碳化硅，最晚2027年，碳化硅就会进入先进封装。
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2025-03-19│新能源汽车+光伏储能+数据中心拉动，碳化硅器件市场规模将快速增长
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3月18日，安森美官微宣布推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应
晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列。碳化硅是一种由碳和硅元素组成的化合
材料，具有较高硬度和优异的物理化学性能。碳化硅材料拥有耐高压、耐高频、高热导性、高温
稳定性、高折射率等特点，可作为诸多行业实现降本增效的关键性材料。碳化硅衬底可被广泛应
用于功率半导体器件、射频半导体器件以及光波导、TF-SAW滤波器、散热部件等下游产品中，主
要应用行业包括xEV、光伏及储能系统、电力电网、轨道交通、通信、AI眼镜、智能手机、半导
体激光等。光大证券指出，受益于新能源汽车、光伏储能、数据中心等拉动，碳化硅器件市场规
模将快速增长。国内碳化硅衬底企业持续投资扩张产能，有望持续扩大市场份额。
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2024-06-07│技术+品牌加持下，华为新车周期成长性、爆发性兼具
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华为鸿蒙智行将推出新车型，从曝光的谍照来看，新车为轿跑SUV车型，将搭载华为高阶智
驾、智能座舱等。《科创板日报》记者从知情人士处获悉，新车预计定价为30万至40万元。华为
与车企的合作模式包括解决方案供应商Tier1、HI模式和鸿蒙智行的智选车模式，华为智选车升
级鸿蒙智行，是华为与车企合作深度最深的模式。国金证券表示，持续看好竞争格局好的赛道龙
头以及国际化（国际化的供需和竞争格局好）两大方向。其中整车端，华为汽车是智能化整车板
块的核心推荐方向，24年在技术+品牌加持下，华为将开启新一轮新车周期，成长性、爆发性兼
具。
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2023-08-07│英飞凌官宣50亿欧元扩产，碳化硅迎来需求快速成长
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功率半导体大厂英飞凌宣布，计划在未来五年内投资高达50亿欧元，用于在马来西亚建造全
球最大的8英寸SiC功率晶圆厂。新能源车全球普及加速，功率密度标准持续提升为SiC产业落地
提供契机。目前各国制定的电动车发展路线图中，功率密度标准逼近主流Si基器件的性能极限，
SiC器件成为理想替代。券商认为，SiC有望在电动汽车产业加速发展及渗透率提升的双重推动下
迎来需求快速成长。根据Yole预测，2021-2027年全球碳化硅功率器件市场规模有望从10.90亿美
元增长到62.97亿美元，保持年均34%的复合增速。
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2023-08-04│全球第三大半导体硅晶圆厂预计碳化硅晶圆相关业绩将同比增长超十倍
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全球第三大半导体硅晶圆厂环球晶近日举行法说会，董事长表示，大环境带来的不确定性，
与客户端仍进行库存调整影响下，下半年矽晶圆产业比上半年面临更多挑战。公司今年上半年持
续签订新长约，并收到客户新预付款，截至6月底，预收货款余额为383.29亿新台币（约合12.3
亿美元）。值得注意的是，其FZ晶圆与碳化硅（SiC）晶圆持续供不应求，预期今年碳化硅晶圆
相关业绩将至少是去年的十倍。
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2023-07-07│碳化硅行业迎来一笔10年长单，整车平台高压化或成主要驱动
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碳化硅行业迎来一笔大单。全球碳化硅衬底市占率第一的Wolfspeed与瑞萨电子5日宣布，已
签署为期10年的碳化硅晶圆供应协议。根据协议，Wolfspeed将在2025年向瑞萨供应6英寸碳化硅
衬底与外延片；且公司北卡罗来纳州厂全面运作之后，将向瑞萨供应8英寸碳化硅衬底与外延片
。瑞萨已向Wolfspeed支付了20亿美元的定金，用于确保6英寸/8英寸碳化硅晶圆的供应，并支持
Wolfspeed在美国的产能扩张计划。这项协议将有助于推进碳化硅在汽车、工业和能源领域的应
用。
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2023-06-26│国内外多家大厂砸百亿投资，高性能碳化硅供不应求
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不同于半导体市场“去库存”的主旋律，多位受访厂商透露，目前高性能碳化硅仍持续紧缺
，并认为未来车用大概率仍会切到碳化硅。近期，罗姆、安森美、博世、三安光电等国内外知名
厂商纷纷披露碳化硅项目最新进展，其中多起投资金额超百亿元人民币。而在整个碳化硅的投资
中，8英寸产品尤其受到热捧——这或与碳化硅推广的成本有关。8英寸碳化硅的成本，可较6英
寸降低63%，且边缘浪费会减少很多。多位受访者表示，目前国内的碳化硅产业发展迅速，但仍
与世界头部厂商仍存较大差距。
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2023-05-24│博世拟收购TSI半导体，碳化硅需求持续增加
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博世计划收购美国芯片制造商TSI半导体。博世表示，未来几年内，公司计划在TSI位于美国
加利福尼亚州罗斯维尔的工厂投资超过15亿美元，并将TSI半导体制造设施改造为最先进的工艺
。同时，博世还将在2030年底之前大幅扩展其全球碳化硅芯片产品系列。
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2023-05-05│英飞凌签约国产碳化硅材料供应商天科合达
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英飞凌公司正推动其碳化硅（SiC）供应商体系多元化，并与中国碳化硅材料供应商北京天
科合达半导体股份有限公司签订了一份长期供货协议，天科合达将为英飞凌供应用于生产SiC半
导体的6英寸碳化硅材料，以确保获得更多具有竞争力的碳化硅来源。
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2023-04-11│碳化硅功率半导体进入上车放量窗口期，协同降本提上日程
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在新能源汽车渗透率稳步抬升的同时，头部车企对于碳化硅功率半导体试水的速度、广度和
深度不断推进。多家车企及芯片类企业都确认，经历了多年大投入之后，今年碳化硅功率半导体
将正式进入“上车”放量窗口期，叠加光伏、电力等场景扩容，产业链企业商业化落地和规模化
进程或将提速。虽然市场产销两旺，但是我国碳化硅功率器件仍处于早期阶段，如何降低成本、
稳定质量、提升良率，是国产碳化硅功率半导体在车上大规模应用的关键。业内认为，这一方面
依赖于企业主体的技术创新，另一方面也有待芯片、模组、零部件和整车等产业链企业的多元协
同。
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2023-03-24│机构预计到2029年碳化硅市场规模将增长至94亿美元
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TechInsights最新电动汽车服务报告指出，预计碳化硅市场收益在2022年至2027年期间将以
35%的复合年增长率从12亿美元增长到53亿美元。到2029年，该市场规模将增长到94亿美元，其
中中国将占一半。碳化硅拥有庞大的市场潜力，尤其是在新能源汽车快速普及的时代。使用碳化
硅功率器件可以提高电机驱动器和充电器的效率，从而提高整个电动汽车系统的能量利用率和性
能。
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2023-02-03│国产半导体迎重大催化，科技自立自强步伐加快
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1月31日，中共中央政治局就加快构建新发展格局进行第二次集体学习。会议指出，要加快
科技自立自强步伐，解决外国“卡脖子”问题。此次会议指出，要优化配置创新资源，使我国在
重要科技领域成为全球领跑者，在前沿交叉领域成为开拓者，力争尽早成为世界主要科学中心和
创新高地。近日，2022年度重点产品、工艺“一条龙”应用示范方向和推进机构名单公布，共16
个重点方向，其中半导体领域占据半壁江山。
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2023-01-20│新能源提效需求迫切，未来3至5年内碳化硅各环节都供不应求
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对于碳化硅的“火热”，多位业内人士表示，近期国内在碳化硅产业链上密集投资、全方位
布局，但鉴于“有效产能”远低于宣布的产能，未来3至5年内各环节都呈供不应求态势。根据Yo
le Development，SiC功率器件市场规模将从2019年的5.41亿美元增至2025年的25.62亿美元，复
合年均增长率达30%。
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2022-11-18│新能源带火碳化硅产业
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11月15日-19日，在今年高交会期间举办的“2022广东省半导体产业发展趋势论坛-汽车‘芯
’未来”上，产业链人士讨论的焦点也集中在碳化硅上，与这一热度相匹配的是，碳化硅相关投
资也愈发火热。
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2022-11-09│行业龙头斩获数十亿元大单，碳化硅加速“上车”
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三安光电公告，全资子公司与主要从事新能源汽车业务的需求方签署碳化硅（SiC）芯片《
战略采购意向协议》，基于2022年市场价格感知，包含2023年产生的研发业务需求，至2027年预
估该金额总数为38亿元，采购产品将应用于新能源车主驱。
以碳化硅为衬底制造的功率器件，与硅基功率器件相比，能够极大提高能源转换效率，在新能源
汽车、充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网的应用上逐渐崭露头角。
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2022-09-21│中电科碳化硅器件装车量达100万台 国内厂商有望加速抢占全球份额
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据报道，以碳化硅为代表的第三代半导体材料，广泛运用在5G基站、新能源汽车等数字经济
领域。采用了第三代半导体碳化硅器件以后，新能源车可以实现充电10分钟行驶400公里。据了
解，中国电科的碳化硅器件，装车量已经达到100万台，旗下企业已经实现了6英寸碳化硅晶片的
规模化生产，年产能达到15万片，处于国内前列。今年3月，还率先发布了新一代8英寸碳化硅晶
片产品。
数据显示，碳化硅器件节能性是硅器件的4倍，可以使新能源汽车能耗降低50%，特高压电网损耗
降低60%，轨道交通功率器件系统损耗降低20％以上。
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2022-09-16│第三代半导体投资加速！多家国际龙头忙扩产
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近日，国内外多个企业披露了第三代半导体最新扩产计划及项目进展情况。国外看，SKSilt
ron计划成立一家合资企业，开发碳化硅和氮化镓半导体；Wolfspeed将在美国新建全球最大碳化
硅材料工厂。国际大厂忙于扩产之际，不少国内厂商也紧随其后，披露了项目研发的最新进展。
天岳先进最新披露调研纪要显示，公司位于上海临港的上海天岳碳化硅半导体材料项目已经成功
封顶。
第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料。
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2022-09-13│电动车、新能源领域的需求急增 第三代半导体加速“上车”
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日本半导体材料大厂昭和电工近日宣布，其碳化硅（SiC）功率半导体的8英寸SiC 外延晶圆
已开始进行样品出货。昭和电工表示，和原先使用硅晶圆的功率半导体相比，SiC功率半导体的
电力损耗更少、更不易发热，来自电动车、再生能源领域的需求急增。
SiC半导体性能优异，其禁带宽度是硅的3倍，击穿电压是硅的8-10倍，导热率是硅的3-5倍，电
子饱和漂移速率是硅的2-3倍。SiC能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，
是制作高温高频、大功率高压器件的理想材料之一。
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2022-08-23│SiC规模化上车开始进入倒计时，新能源车+光伏+充电桩应用广泛
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汽车电动化对高压充电平台以及功率器件提出了更高要求，SiC凭借耐高压、耐高温、高效
率、高频率、抗辐射等优势，在电控场景中能量损耗比Si基芯片减少一半，被认为将取代IGBT，
成为未来高压充电平台的核心器件，也是电动汽车性能和应用体验度提升的关键器件。
据意法半导体，使用SiC器件能使电动车平均减重150kg至200kg，延长电池寿命，使电车续航里
程平均超过600公里。据中国半导体行业协会，采用碳化硅能使整车成本节省约2000美元，包括
节省600美元电池成本、600美元汽车空间成本，节省1000美元散热系统成本。
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2022-08-19│国际巨头签订数亿元碳化硅产品订单，衬底已成为产业链核心环节
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高意集团（II‐VI）17日宣布，已与东莞天域半导体签订1亿美元订单，向后者供应碳化硅6
英寸衬底，从本季度开始到2023年底交付。碳化硅（SiC）功率器件具有耐高压、体积小、功耗
低、耐高温等优势。SiC产业链主要包括衬底、外延、器件制造、封测等环节，而衬底的成本占
比较高，是核心环节。
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2022-08-05│第三代半导体商业化进程加速，东芝新一代SiC MOSFET即将量产
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在第三代半导体的商业化道路上，日本厂商又添了一把力。东芝近日官网宣布，第三代SiC
MOSFET（碳化硅场效应管）计划在今年8月下旬开始量产。据了解，该新产品使用全新的器件结
构，具有低导通电阻，且开关损耗与第二代产品相比降低了约20%。
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2022-07-25│14亿元订单引爆国内碳化硅市场
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近期，锂电巨头、通信巨头、整车大厂等盯上了碳化硅，频频入股相关初创公司。国内碳化
硅全产业链正在快速突破中，斯达半导、新洁能、闻泰科技、露笑科技等产业链公司新成果频现
。7月21日，天岳先进发布公告，公司于近日与某客户签订了一份长期协议，约定2023年至2025
年公司及公司全资子公司上海天岳半导体材料有限公司向合同对方销售6英寸导电型碳化硅衬底
产品，预计含税销售三年合计金额为人民币13.93亿元。法国市场调研机构Yole统计，2021年碳
化硅功率器件的市场规模约10亿美元，预计到2025年将超过37亿美元。
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2022-07-01│“宁王”再度加码这类半导体，下游“深度绑定”新能源车+光伏+储能
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深圳市重投天科半导体有限公司发生工商变更，新增宁德时代等多名股东，该公司经营范围
包含：生产第三代半导体碳化硅产品（碳化硅晶片、碳化硅外延晶片）；研究、开发碳化硅晶片
、碳化硅外延晶片等。
SiC（碳化硅）作为第三代半导体材料，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射
能力强等优势。
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2022-06-17│碳化硅再度“上车”造车新势力产品
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蔚来正式发布智能电动中大型SUVES7，应用了碳化硅功率模块的第二代高效电驱平台，百公
里加速3.9秒，标准续航电池包（75kWh）CLTC续航为485公里。
碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料，SiC器件较传统硅基器件可具备耐高压、低损耗和高
频三大优势，广泛应用于新能源车、光伏/风电、工控、射频等领域。
【4.信息面面观】
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│栏目名称 │ 栏目内容 │
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│公司简介 │山东天岳先进科技股份有限公司成立于2010年11月，是一家专注于碳化硅单│
│ │晶衬底材料研发、生产和销售的科技型企业。公司秉承“先进·品质·持续│
│ │”的经营理念，以满足客户需求、帮助客户解决问题为导向，重视产品品质│
│ │和服务品质，自主掌握工艺技术，积极拓展市场，追求业务可持续发展。 │
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│产品业务 │公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质│
│ │碳化硅衬底的研发与产业化。 │
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│经营模式 │1、研发模式 │
│ │我们的研发工作由研发团队主导，实行层级管理的项目制运作，流程如下：│
│ │1.1我们的雇员结合日常营运中收集到的信息、与行业参与者的合作、市场 │
│ │调研及对客户反馈的分析，向研发团队提交需求申请； │
│ │1.2需求申请获批准后，研发团队选定项目负责人及项目组成员，组建指定 │
│ │项目组，并由项目负责人编写《项目立项报告》，内容包括项目名称、背景│
│ │、可行性分析、项目目标及财务预算； │
│ │1.3项目组根据项目需求编写研发设计方案，细化实验方案及计划，并根据 │
│ │设计方案完成实验验证； │
│ │1.4项目负责人结合项目计划与交付完成情况，判断所有项目目标完成，发 │
│ │起项目验收申请，编写《项目验收报告》并交至研发团队审核； │
│ │1.5项目验收后，研发团队评估研发成果，并采取多种手段保护知识产权。 │
│ │2、采购模式 │
│ │公司采购制造碳化硅衬底所需的各种材料及设备，包括碳粉、硅粉、石墨保│
│ │温材料以及晶体生长、切片、研磨及抛光设备。为减轻原材料成本上升的潜│
│ │在影响，公司主要与石墨保温材料等关键生产材料的供应商订立长期合作协│
│ │议、保持密切沟通并实施战略性采购。公司实施定期审阅机制，考虑公司的│
│ │存货水平、销售前景及市场趋势，监控公司的原材料成本。 │
│ │公司已确定一份合格供应商名单，以便公司根据采购计划选择最合适的原材│
│ │料供应商。公司的采购计划根据生产进度、存货水平、供应商交货时间及产│
│ │品寿命制定。在采购计划批准后，公司的采购部门将进行询价，根据供应商│
│ │的基本信息及价格、质量、资质文件及交付时间等标准对潜在供应商进行评│
│ │估。为应对供应商的潜在价格上涨，我们对其他同类供应商同步进行评估，│
│ │以减轻对我们原材料成本的影响。 │
│ │3、生产模式 │
│ │公司的生产模式有利于满足客户的不同需求，有利于提高订单按时交付率、│
│ │产品品质一致性和客户满意度，有助于控制库存水平及提高资金利用效率。│
│ │公司已开发并实施一套信息系统，以便处理客户订单及生产流程控制。公司│
│ │结合人工智能数字化仿真及大数据技术，使公司的碳化硅衬底生产流程自动│
│ │化。一方面，智能化生产能够降低人为干预带来的风险，对于制备高质量碳│
│ │化硅衬底至关重要。另一方面，高度自动化能够切实优化生产中的人工成本│
│ │，为公司的技术升级及产品迭代奠定坚实的基础。 │
│ │公司已建立全面的生产阶段控制计划，以确保全面的生产及产品质量控制。│
│ │当产品出现质量不合格问题时，公司将启动不合格产品控制程序，启动不合│
│ │格评审、进行根本原因分析以及指定纠正及预防措施。公司的生产流程管理│
│ │措施有助于防止不合格产品流出，并减少质量问题的再次发生。 │
│ │4、营销模式 │
│ │公司采用直销模式，并拥有一支经验丰富且训练有素的销售及营销团队，积│
│ │极发现市场机会并设计销售策略。 │
│ │公司的销售及营销团队主要负责与客户联系，并为其提供售后服务。采用直│
│ │销模式使我们能够取得以下优势： │
│ │4.1自客户获得有关我们产品的即时且未经过滤的反馈； │
│ │4.2精确了解客户偏好并确定需要改进的领域； │
│ │4.3响应客户要求，使我们能够提供满足客户需求的高品质产品； │
│ │4.4凭借第一手的客户洞察力，快速适应不断变化的市场需求或客户偏好， │
│ │从而制定灵活的营销战略； │
│ │4.5通过直接解决客户关切的问题，改善客户体验，从而提高满意度和忠诚 │
│ │度。 │
│ │公司主要通过与不同应用领域的顶级公司开展持续、全面和深入的合作，以│
│ │及其他定向营销及推广活动，利用良好的品牌声誉和巨大的行业影响力赢得│
│ │客户。 │
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│行业地位 │半绝缘型碳化硅衬底市场的世界前三 │
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│核心竞争力 │1、大尺寸技术引领行业，全矩阵产品前瞻布局 │
│ │碳化硅衬底的大尺寸化是行业降本增效和扩大应用的核心方向之一。公司自│
│ │成立以来持续布局不同尺寸、不同类型碳化硅衬底的研发与产业化，在尺寸│
│ │升级方面形成了较强的先发优势。报告期内，公司不仅持续提升8英寸产品 │
│ │的批量供应能力和客户导入深度，而且进一步完成了12英寸导电N型、导电P│
│ │型及半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的技术攻关，在业内率先建立起下一代│
│ │大尺寸产品的全矩阵布局。 │
│ │公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产的企业之一，也是率先推出1│
│ │2英寸碳化硅衬底的企业。资料显示，公司量产碳化硅衬底尺寸已由2英寸迭│
│ │代升级至8英寸，并于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底；2025年，公 │
│ │司围绕12英寸导电型与半绝缘型产品持续推进客户展示、样品验证和技术完│
│ │善，进一步夯实了在超大尺寸领域的领先位置。 │
│ │2025年，公司8英寸产品进一步走向主流化应用。根据富士经济数据，公司8│
│ │英寸产品全球市场份额已超过50%，公司在行业由6英寸向8英寸切换过程中 │
│ │，已完成从“技术领先”向“产品主流化、客户规模化采用”的转变。公司│
│ │2024年8英寸产品主营业务收入占比30%，2025年进一步提升至44%左右。8英│
│ │寸产品比重持续提高，不仅说明公司技术路线判断准确，也表明公司已在大│
│ │尺寸产品的品质、交付和客户验证方面形成较高壁垒。 │
│ │2、赋能“AI+新能源”双轮驱动的多元化应用生态能力 │
│ │公司对碳化硅材料底层特性、下游场景需求和产业演进方向具有深刻的理解│
│ │，同时围绕客户需求开展协同研发和产品定义的经验非常丰富。报告期内，│
│ │公司产品和技术围绕新能源与AI双轮驱动不断向更广泛场景渗透，展现出较│
│ │强的生态赋能能力。 │
│ │碳化硅材料具备多元物理特性。现有资料明确显示，其具有高禁带宽度、高│
│ │击穿电场强度、高电子饱和漂移速率、高热导率、高折射率等特征，可应用│
│ │于功率器件、射频器件、光波导、散热部件、滤波器等多类下游产品中。结│
│ │合用户要求，公司对SiC材料的理解和应用布局已不仅限于“电”的方向， │
│ │而是进一步延伸至光学、热管理等方向，体现出对材料多物理特性的系统开│
│ │发能力。 │
│ │3、全球领先的规模化量产能力与精益制造体系 │
│ │在行业承压、竞争加剧的环境下，能否稳定实现大尺寸产品的规模化生产、│
│ │保证一致性和良率、按时交付全球头部客户，成为决定企业竞争地位的关键│
│ │因素。报告期内，公司继续强化规模化量产能力和精益制造体系，形成了较│
│ │为突出的交付优势。 │
│ │公司目前已形成上海临港与山东济南两大主要生产基地协同布局。截至报告│
│ │期末，公司已在山东及上海设立两大生产基地，合计设计年产能超过50万片│
│ │碳化硅衬底；同时上海工厂、济南工厂仍在推进二阶段产能提升规划，海外│
│ │工厂也逐步进入计划建设阶段。完善的产能布局增强了公司对全球大客户稳│
│ │定交付的支撑能力，也提升了产能调度和风险分散能力。 │
│ │从实际产量看，公司规模优势持续兑现。2025年度公司碳化硅产品折合69.0│
│ │4万片，同比增长68.31%。 │
│ │4、深度绑定的全球头部客户资源与国际化品牌影响力 │
│ │碳化硅衬底行业的客户进入门槛高、验证周期长、替换成本大，因此，头部│
│ │优质客户是公司长期发展的基石。公司经过多年积累，已与全球头部功率半│
│ │导体企业及多个新兴领域龙头客户建立了稳定合作关系，形成了稳定深入的│
│ │客户生态优势。 │
│ │目前，公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立│
│ │业务合作关系，并已进入国际知名半导体公司的重要供应链，这种合作关系│
│ │体现了公司在品质、稳定性、交付和技术服务上的综合实力。 │
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│经营指标 │2025年，公司实现营业收入14.65亿元，较上年同期减少17.15%；实现归属 │
│ │于母公司所有者的净利润-2.08亿元，较上年同期减少216.36%；公司总资产│
│ │95.83亿元，较上年同期增加30.27%；归属于母公司的所有者权益71.74亿元│
│ │，较上年同期增加35.03%。 │
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│竞争对手 │科锐公司（纳斯达克：CREE）、贰陆公司（纳斯达克：IIVI）、SiCrystal │
│ │公司、天科合达。 │
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│品牌/专利/经│专利：报告期内，新申请发明专利和实用新型专利等64项，其中发明专利49│
│营权 │项，实用新型13项。截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授│
│ │权203项，实用新型专利授权308项，其中境外发明专利授权14项。 │
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│投资逻辑 │公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质│
│ │碳化硅衬底的研发与产业化。根据日本富士经济于2026年3月发布的报告测 │
│ │算，2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进（SICC）市场份额│
│ │为27.6%，位居全球第一。 │
│ │公司专注于碳化硅行业已超过15年，较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底│
│ │的产业化，并进一步实现导电型碳化硅衬底的产业化。公司依托研发、生产│
│ │和管理经验，在产品大尺寸化上的优势不断提高，量产碳化硅衬底的尺寸已│
│ │从2英寸迭代升级至8英寸，并于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底，于│
│ │2025年完成了12英寸导电N型和导电P型、半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的│
│ │技术攻关，将全球碳化硅衬底行业全面带入12英寸新时代。在实现从2英寸 │
│ │到12英寸全尺寸产业化的同时，公司也在半绝缘衬底、导电型衬底、P型衬 │
│ │底、光学衬底、先进封装散热中介层等多元化产品上取得关键技术突破，持│
│ │续推进关键设备国产化替代，实现了从原料到成品的全过程自主可控。 │
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│消费群体 │大功率半导体器件制造商 │
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│消费市场 │境内、境外 │
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│主营业务 │高品质碳化硅衬底的研发与产业化 │
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│主要产品 │碳化硅材料 │
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│增持减持 │天岳先进2024年10月9日公告，公司股东辽宁中德、海通新能源以及海通创 │
│ │新计划公告日起15个交易日后的3个月内，通过集中竞价、大宗交易方式减 │
│ │持公司股份合计不超过1289.1330万股，即不超过公司总股本的3%。截至公 │
│ │告日，辽宁中德持有公司2955.4368万股，占公司总股本的6.8777%；海通新│
│ │能源持有公司917.3891万股，占公司总股本的2.1349%；海通创新持有公司3│
│ │12.3378万股，占公司总股本的0.7269%。 │
│ │天岳先进2025年8月26日公告，公司股东国材基金拟自公告日起15个交易日 │
│ │后的3个月内，通过集中竞价方式、大宗交易方式减持公司股份合计不超过9│
│ │54.9134万股，即不超过公司总股本（公司发行4774.57万股H股股票后（行 │
│ │使超额配售权之前）的总股本）的2%。本次减持计划实施前国材基金持有公│
│ │司3867.3994万股，占公司总股本的8.1%。 │
│ │天岳先进2026年5月1日公告，公司股东辽宁中德及其一致行动人海通新能源│
│ │、海通创新计划公告日起15个交易日后的3个月内，通过集中竞价、大宗交 │
│ │易方式减持公司股份合计不超过1066.1608万股，即不超过公司总股本的2.2│
│ │%。截至公告日，辽宁中德持有公司2370.0878万股，占公司总股本的4.8906│
│ │%；海通新能源持有公司747.7863万股，占公司总股本的1.543%。海通创新 │
│ │持有公司280.2708万股，占公司总股本的0.5783%。辽宁中德、海通新能源 │
│ │和海通创新合计持有公司3398.1449万股，占公司总股本的7.012%。 │
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│行业竞争格局│1、行业由粗放增长进入注重质量及效率时代，行业发展波动中龙头地位愈 │
│ │发凸显。 │
│ │2025年是碳化硅（SiC）产业发展的分水岭。技术进步进一步有效降低了单 │
│ │位生产成本，驱动行业渗透率增加，出货量持续攀升；同时市场在剧烈波动│
│ │中加速出清，行业竞争由规模扩张转向效率与质量的比拼。2025年，具备核│
│ │心技术与客户资源优势的龙头厂商份额明显提升，全球格局逐渐呈现出由海│
│ │外巨头主导转向由中国领先企业突围的方向发展。 │
│ │（1）技术驱动成本中枢系统性下移。报告期内，衬底大尺寸化与工艺改良 │
│ │成为行业降本的核心动能。同时，公司8英寸衬底工艺进一步优化，单位综 │
│ │合成本较6英寸显著降低。2025年，随着天岳先进等龙头企业良率逐步提升 │
│ │，带动衬底生产成本优化。此外，12英寸（300mm）衬底的研发攻关进一步 │
│ │打开了降本空间，行业正式进入更高维度的质量+效率竞争阶段。 │
│ │（2）出货量逆势激增，国产份额提高。尽管行业承压，但碳化硅成本下行 │
│ │刺激出更多的市场应用，新能源汽车、工业、光储充、智能电网的强劲需求│
│ │驱动出货量显著增长。以本公司为例，2024年产量已达41.02万片，2025年 │
│ │产量达到69.04万片，继续保持增长态势。价减量增的背后，是国产产业链 │
│ │凭借规模效应和良率突破，正成为全球碳化硅行业的大增长极。 │
│ │（3）行业加速出清，头部阵营呈现剧烈分化。在长达两年的行业调整期后 │
│ │，行业进入优胜劣汰的深水区。一方面，由于缺乏成本优势和客户黏性，大│
│ │量腰部及尾部中小厂商面临严重的产能利用率不足，行业在波动中逐渐出清│
│ │。另一方面，全球龙头企业的表现出现分化：部分海外厂商面临巨大的运营│
│ │挑战，中国等本土龙头企业通过大尺寸衬底优势、良率工艺改进跃升、下游│
│ │终端客户大市场的孵化正逐步建立行业新发展秩序，市场份额稳步提高。 │
│ │2、尺寸升级：6英寸仍为现实主流，8英寸快速起量，12英寸开启下一代赛 │
│ │道 │
│ │2025-2026年初，衬底尺寸升级依然是行业最重要的结构性趋势之一：6英寸│
│ │是行业目前最为主流出货品类，同时8英寸正快速起量，并成为盈利与成本 │
│ │博弈的胜负手，12英寸是下一代技术和话语权的高地。 │
│ │6英寸方面，由于工艺成熟、良率相对稳定且设备体系完善，6英寸导电型衬│
│ │底仍是当前出货的主流，在全球衬底出货中占比超过九成，尤其在国内应用│
│ │中仍承担着大部分量产需求。但6英寸器件市场已经进入“红海时代”，竞 │
│ │争最为激烈。 │
│ │8英寸方面，2025年头部企业转向快速起量阶段，天岳先进在8英寸出货方面│
│ │断代领先全球市场。8英寸的经济性逐步被验证，单片芯片产出量约为6英寸│
│ │的2倍左右，且在晶体生长技术进步和良率提升配合下，单位综合成本有望 │
│ │进一步下降，并能够与部分硅基产线设备协同使用。 │
│ │12英寸方面，2024-2025年是从实验室阶段迈向工程样片与小批供货的关键 │
│ │窗口期。报告期内，公司已经完成12英寸导电N型、导电P型及高纯半绝缘型│
│ │全系列产品技术攻关，并在国际展会上展示样品，部分头部客户已启动验证│
│ │或下达订单。8英寸的稳定量产及12英寸的前瞻布局使得公司在下一个时代 │
│ │的竞争中掌握先机。 │
│ │与此同时，部分下游国际龙头企业在200mm（8英寸）产线及后续更大尺寸产│
│ │线上加速投入，12英寸衬底已明确代表未来成本结构与竞争格局的重要方向│
│ │。 │
│ │3、需求结构从“新能源单核”走向“新能源+AI多核”，应用场景持续外溢│
│ │4、国产化与全球化并行 │
│ │国内碳化硅产业链在衬底、外延、器件与装备等环节加速突破，2025年国产│
│ │碳化硅产品加速发展，国内下游企业竞争力边际加强，国产厂商成为碳化硅│
│ │行业愈来愈重要的玩家；同时，海外IDM与国内厂商之间的合作亦在深化。 │
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│行业发展趋势│1、行业由粗放增长进入注重质量及效率时代，行业发展波动中龙头地位愈 │
│ │发凸显。 │
│ │行业由粗放扩张转向追求质量与系统化能力。站在2026年初的时间点回望，│
│ │单纯的产能规模已无法建立构筑有效的经营能力，行业竞争重心已全面向稳│
│ │定交付、品质保障、及客户生态圈迁移。头部企业正在凭借多年积累的大规│
│ │模、稳定、高质量交付的绩效，与全球头部客户建立更加紧密的合作关系。│
│ │碳化硅产业已告别草莽式的粗放增长阶段，正式步入以”先进品质、极致成│
│ │本、稳定供应”为特征的高质量发展时代。 │
│ │2、尺寸升级：6英寸仍为现实主流，8英寸快速起量，12英寸开启下一代赛 │
│ │道 │
│ │报告期内，中国碳化硅市场占全球份额显著提升，未来有望成为全球最大单│
│ │一市场；国内厂商在6英寸替代、8英寸突破和12英寸探索上同步推进，形成│
│ │了与海外龙头之间从“追赶”迈向“局部并跑乃至领先”的新格局。 │
│ │3、需求结构从“新能源单核”走向“新能源+AI多核”，应用场景持续外溢│
│ │在AI数据中心方面，弗若斯特沙利文预计2030年全球AI数据中心容量将达29│
│ │9GW，较2023年净增244GW，2023-2030年复合增速达27.4%，届时数据中心耗│
│ │电占全球电力消费比重或由1.4%升至10%；800VHVDC架构、SST、PSU等环节 │
│ │，碳化硅凭借高效率、高频、高温与高功率密度优势，被视为降低能耗、提│
│ │升机柜功率密度和优化散热设计的关键材料。 │
│ │在AI终端与光学领域，碳化硅材料凭借高折射率及优异光学性能，在AI眼镜│
│ │/AR眼镜光波导中的应用逐步从概念验证走向生态共建。多方预计2030年全 │
│ │球AI/AR眼镜出货量将超过6000万副，以碳化硅为基底的光波导片可带来更 │
│ │大视场角、更简化的全彩显示结构并降低重量和成本，公司已与全球光学领│
│ │域应用龙头建立联合开发关系，推动这一新兴场景的产业化落地。 │
│ │此外，在先进封装、高端散热、滤波器、智能电网、家电与工控等方向，碳│
│ │化硅的高热导、高频、耐高压与耐高温等多重特性不断被挖掘，例如用于AI│
│ │芯片封装的散热中介层、TF-SAW滤波器基底、特高压电网P型衬底等，需求 │
│ │端的多元化趋势日益显著。 │
│ │4、国产化与全球化并行 │
│ │碳化硅衬底的长验证周期和高切换成本决定了客户资源即是壁垒。具备全球│
│ │Tier1客户认证、签订长期供货协议（LTA）、并在EV、AI数据中心、工业、│
│ │光学先进封装等多场景深度协同的企业，将在价格战与景气波动中展现出更│
│ │强韧性。公司通过“A+H”双融资平台进一步增强海外品牌认知与资本实力 │
│ │，配合在东南亚等地布局海外产能，应对地缘政治与贸易壁垒的能力更加扎│
│ │实，逐步建立起更加稳定的“Chinaforglobal”和“ChinaforChina”双循 │
│ │环的供应体系。 │
│ │2025-2026年是碳化硅行业发展的关键阶段：低端、无差异化能力的产能以 │
│ │及缺乏自研能力、无头部客户绑定的厂商将加速出清或边缘化；具备技术领│
│ │先、成本优势、多场景应用理解和系统解决方案能力的企业，将在AI与新能│
│ │源双轮驱动下获得更大的成长空间和行业话语权。 │
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│行业政策法规│《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标│
│ │纲要》、《“战略性先进电子材料”重点专项2020年度项目》 │
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│公司发展战略│1、保持创新领先性，引领碳化硅材料的渗透应用 │
│ │作为全球碳化硅行业的领导者和创新者，我们计划通过我们在全球半导体市│
│ │场深耕多年所形成的技术优势，引领碳化硅材料在下游应用市场的普及，建│
│ │立稳定的碳化硅生态系统。凭借我们领先的技术、产能及高效的生产优势，│
│ │我们将继续努力降低碳化硅衬底的整体成本，推动高性能碳化硅衬底在更多│
│ │应用领域的商业化，提高其在功率半导体市场的渗透率。 │
│ │2、加强研发能力，完善前沿技术布局，丰富产品组合 │
│ │我们将持续加强研发能力，丰富专利组合，以巩固我们在碳化硅行业的技术│
│ │领先地位。具体而言，我们计划(i)聚焦材料性能、晶体生长热动力学、晶 │
│ │体生长方法、晶体缺陷生成及演化机理的研究；（ii）在材料性能、晶体生│
│ │长和缺陷控制等核心技术领域开展密集试验，不断突破技术瓶颈，持续优化│
│ │碳化硅材料的制备工艺；(iii)加强我们对不同类型，以及不同尺寸的碳化 │
│ │硅衬底的研发能力，强化在大尺寸化生产技术、零缺陷技术、P型衬底技术 │
│ │、液相技术等领域的技术领先优势，带动材料性能提升和产品更新换代；(i│
│ │v)研发下一代变革性技术，推动碳化硅衬底在多种新兴领域的应用。 │
│ │3、保持并持续提升产能，提高生产效率和交付质量 │
│ │为有效满足下游客户不断变化的需求，我们将持续强化有效产能，特别聚焦│
│ │于大尺寸碳化硅衬底，从而巩固我们的行业领先地位。 │
│ │我们将持续投资于现有生产基地并进行技术升级，从而优化我们的整体产能│
│ │及效率。我们致力于(i)提升供应链的稳定性；(ii)开发具备技术领先性的 │
│ │设备；(iii)改进生产流程，提高设备利用率，提升物料使用效率，降低生 │
│ │产环节浪费；(iv)加强数字化运营系统，提高我们智慧工厂的自动化水平；│
│ │(v)持续优化工程参数，应用晶体快速生长和厚度提升等核心技术，提升生 │
│ │产效率、降低生产成本，实现规模化精益生产。 │
│ │4、加强全球合作生态系统建设，扩大客户群并深化客户关系 │
│ │通过与业内上游供应商及下游客户的合作，我们致力于建立共赢的碳化硅生│
│ │态系统。我们旨在在技术及应用层面扩大碳化硅材料市场规模和渗透率，引│
│ │领碳化硅行业的发展。 │
│ │我们致力于加强与上游供应商及下游客户的长期战略合作关系。同时，我们│
│ │将扩大国内外市场的客户群，进一步扩大我们的业务规模，提升全球市场占│
│ │有率。通过深化与全球领先公司的合作，我们持续引领行业趋势，巩固我们│
│ │的市场地位。与全球tier1客户的广泛合作将使我们能够共同定义产品工艺 │
│ │和供应链标准，加速新技术的商业化，并提高现有产品的性能和促进成本优│
│ │化，最终提升我们的市场渗透率。同时，不断拓展新客户，拓宽新应用领域│
│ │的客户覆盖广度，对我们的可持续发展及市场扩张极为重要。 │
│ │5、持续吸引顶尖人才，提升管理能力 │
│ │我们高度重视人才队伍的培养，计划打造一支具备创新能力、强大团队合作│
│ │精神并能灵活应对市场变动的专业团队，以提升技术创新能力、增强整体竞│
│ │争力，并支持我们的长期持续发展。 │
│ │我们将不断完善和优化组织管理体系，建设适应公司发展战略、匹配快速发│
│ │展的业务规模的组织，提升服务全球客户所需的管理能力，为科学高效的运│
│ │营管理提供有力保障。我们将持续提升在采购管理、库存管理、销售管理、│
│ │数字化运营方面的运营效率。 │
│ │6、寻求战略投资、合作或收购 │
│ │为增强技术能力、拓展业务布局，未来我们计划对与我们形成互补或协同效│
│ │应的半导体行业的技术、团队、资产或公司进行战略性投资、合作或收购。│
│ │通过战略性投资、合作或收购，我们计划完善我们的技术组合、提高生产工│
│ │艺、提升产品品质、拓展销售网络，并扩大我们的可触达市场，从而驱动我│
│ │们的未来增长。 │
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│公司日常经营│1、聚焦市场份额提升，逆势巩固行业领先地位。 │
│ │2025年，公司将抢占市场份额作为核心经营策略之一，在行业承压背景下仍│
│ │实现了份额提升。根据日本富士经济于2026年3月发布的报告测算，2025年 │
│ │全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进（SICC）市场份额为27.6%， │
│ │位居全球第一；其中6英寸市场份额为27.5%，8英寸市场份额为51.3%，充分│
│ │体现了公司战略执行的成果。 │
│ │报告期内，公司持续在产品品质、量产交付、技术迭代与客户协同上的加强│
│ │投入，保持与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上厂商的业务合作│
│ │关系，在行业下行周期中进一步扩大了优质客户覆盖范围，并持续开拓新领│
│ │域、新客户、新应用。 │
│ │通过前瞻性布局大尺寸产品，在行业从6英寸向8英寸加速切换过程中取得了│
│ │明显优势，2025年公司持续扩大6英寸市场份额，并在8英寸市场份额上占据│
│ │头部位置。同时大尺寸产品占比提升，不仅帮助公司扩大了市场份额，也有│
│ │助于改善产品结构、强化客户绑定并提升长期竞争壁垒。 │
│ │2、深化头部客户合作，持续扩大客户版图。 │
│ │报告期内，公司与各行业头部客户的合作进一步深化，新能源汽车、数据中│
│ │心、先进封装、微纳光学等领域的重点客户合作关系进一步加强，体现出公│
│ │司在产业链关键材料环节的综合竞争力。公司长期采取直销模式，依托销售│
│ │、研发、生产联动机制，能够快速响应客户需求并参与客户前期验证、产品│
│ │定义与工艺优化，从而增强合作深度和客户黏性。 │
│ │报告期内，公司与下游客户持续推进各项技术合作。如在微纳光学领域，公│
│ │司于2025年7月与舜宇奥来微纳光学（上海）有限公司达成战略合作，双方 │
│ │将整合碳化硅材料与光学技术优势，推动碳化硅衬底材料在光学领域应用，│
│ │开拓新的蓝海市场。在AI数据中心供电方案中，公司配合全球头部功率器件│
│ │厂商，就下一代电源管理芯片的研发展开密切合作。在先进封装领域，公司│
│ │配合全球头部客户推进SiC的应用突破；同时，在芯片散热方向，公司目前 │
│ │已成功将半绝缘碳化硅衬底应用于高功率激光器芯片的散热层，并已形成批│
│ │量出货，验证了碳化硅散热在产业端规模化应用的可行性。这些合作不仅体│
│ │现公司在新兴应用方向的前瞻布局，也标志着公司正从单一材料半导体器件│
│ │材料供应商向更广泛的先进材料平台型企业延伸。 │
│ │3、应用场景持续拓宽，碳化硅进入更广泛规模化应用阶段 │
│ │2025年，碳化硅应用从新能源汽车、光伏储能等传统高景气场景，进一步向│
│ │AI数据中心、智能电网、先进封装、微纳光学、工业、充电设施、家电和更│
│ │多消费电子场景延展。这一趋势的底层驱动在于，随着碳化硅材料和器件技│
│ │术持续进步、尺寸升级、成本下降和规模效应显现，其相较传统硅基材料在│
│ │低中高压、高频、高效率、高功率密度和热管理上高效性能正在被更多终端│
│ │应用所接受。 │
│ │4、引领尺寸升级趋势，推动行业由6英寸向8英寸切换并布局12英寸 │
│ │报告期内，公司继续引领行业向大尺寸衬底升级，目前6英寸导电型衬底仍 │
│ │为主流、8英寸导电型衬底正快速起量、12英寸前瞻布局推进顺利。尤其是 │
│ │公司在8英寸导电型衬底的质量与批量供应能力处于全球领先位置，是全球 │
│ │少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户 │
│ │向8英寸转型。 │
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│公司经营计划│1、坚持主业聚焦，稳步提升大尺寸产能与有效利用率 │
│ │公司将继续以碳化硅衬底主业为核心，围绕济南与上海临港两大基地，系统│
│ │梳理并优化现有6/8英寸产线的产能结构与排产节奏，并审慎推进资本开支 │
│ │，稳步提升有效产能利用率与交付能力，并通过工艺优化、瓶颈环节扩能与│
│ │智能排产等方式，提升整体产出效率，保障客户供货稳定性。 │
│ │2、深化8英寸主流化应用，前瞻推进12英寸全系列产业化 │
│ │公司将继续以“8英寸绝对领先、全球头部客户首选供应商、大尺寸高质量 │
│ │衬底量产标杆”作为年度经营重点。在8英寸方面，公司计划在2026年继续 │
│ │推进8英寸产品占比：一方面通过进一步提升8英寸良率和稳定性，巩固其在│
│ │公司收入中的主力地位，另一方面加快更多车规级及工业客户的量产导入节│
│ │奏。在12英寸方面，将围绕已完成的导电N型、P型及高纯半绝缘型全系列产│
│ │品技术攻关，重点推进与头部客户的合作，为即将到来的具备规模化交付条│
│ │件时的快速产业化奠定基础。 │
│ │3、构筑基于高品质和高质量服务的品牌力，维护行业健康利润率 │
│ │2026年，公司计划以高品质产品和高质量服务为基底构筑品牌力，构筑以技│
│ │术和服务质量为锚的盈利修复路径，维护行业健康利润率。公司将坚持价值│
│ │定价，综合产品尺寸、质量、服务内容与长期战略保供能力，与客户建立以│
│ │性能与可靠性为基础的长期合作关系，杜绝内卷式的价格博弈，重视客户满│
│ │意度、良率与交付时效，并通过工艺进步和精益制造确保降本增效工作的顺│
│ │利展开，并以内生性盈利支撑持续研发和智能工厂迭代投入，有力提升经营│
│ │质量。 │
│ │4、围绕“AI+新能源”双轮驱动，系统优化产品与市场结构 │
│ │公司将围绕“新能源+AI”双主线下优化资源配置。一方面，继续深耕新能 │
│ │源汽车、光伏储能、电网及工业等传统高景气赛道，保障车规级6/8英寸导 │
│ │电型衬底稳定供货，支撑下游xEV领域碳化硅渗透率快速提升。另一方面， │
│ │重点面向AI数据中心电源、先进封装散热与AI/AR眼镜光波导片等新应用领 │
│ │域，完善导电性衬底、光学级衬底及先进封装材料等产品线布局，强化与电│
│ │力电子、AI智算、光学头部客户的联合开发，提升非车载业务在收入中的占│
│ │比，以多场景、高门槛应用提升整体毛利和品牌高度，提升盈利弹性。 │
│ │5、强化降本增效与精益制造，夯实成本优势 │
│ │2026年，公司将继续围绕长晶质量提升、低缺陷生产、智能排产等环节深挖│
│ │潜力，有效降低单位成本；同时，依托AI+智能制造管理体系，对长晶、切 │
│ │片、磨抛、清洗全流程进行更细颗粒度的监控和参数优化，减少人力成本、│
│ │提高良率与一致性；此外，公司将在采购端推进多元化供应体系，平滑原材│
│ │料价格波动。 │
│ │6、巩固并拓展全球头部客户生态，提升“A+H”平台下的国际化运营能力 │
│ │公司将继续绑定关键客户，服务多元终端赛道。一方面，稳固与全球头部功│
│ │率半导体龙头厂商的长期合作，通过满足其连续迭代的产品规格要求，确保│
│ │在其全球供应链中的核心地位；另一方面，加快与AI数据中心、电网、微纳│
│ │光学、先进封装等领域头部客户的联合开发与产业化推进节奏，推动更多新│
│ │应用项目进入批量出货阶段。 │
│ │7、持续加大研发投入与人才建设，强化“技术+知识产权”双重护城河 │
│ │在2025年研发费用已达1.66亿元、同比增长16.91%的基础上，公司计划继续│
│ │保持研发投入强度，将资金重点用于12英寸、液相法P型衬底、面向电力电 │
│ │子领域新应用方向的各类导电性衬底、光学衬底、先进封装散热材料与射频│
│ │等新材料方向。人才方面，公司将通过激励措施、科研平台与国际合作吸引│
│ │和稳定高层次人才，为公司在未来行业技术拐点与应用切换中保持长期竞争│
│ │力提供保障。 │
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│公司资金需求│本公司的政策是确保拥有充足的现金以偿还到期债务。流动性风险由本公司│
│ │的财务部门集中控制。财务部门通过监控现金余额、可随时变现的有价证券│
│ │以及对未来12个月现金流量的滚动预测，确保公司在所有合理预测的情况下│
│ │拥有充足的资金偿还债务。同时持续监控公司是否符合借款协议的规定，从│
│ │主要金融机构获得提供足够备用资金的承诺，以满足短期和长期的资金需求│
│ │。 │
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│可能面对风险│(一)业绩大幅下滑或亏损的风险 │
│ │报告期内公司营业收入、归属于母公司所有者的净利润、基本每股收益下降│
│ │幅度较大，主要原因系碳化硅衬底产品平均价格下降导致营收及毛利下滑，│
│ │叠加销售、研发费用同比上升，以及所得税费用和滞纳金支出增加等因素。│
│ │经公司审慎研判，公司主营业务、核心竞争力未发生重大不利变化，持续经│
│ │营能力不存在重大风险。公司所处的宽禁带半导体产业属于前沿新兴领域，│
│ │行业整体持续向好，但前期投入大，研发支出高，未来如公司持续进行战略│
│ │扩张，投资幅度加大，公司业绩仍存在亏损的风险。 │
│ │(二)经营风险 │
│ │1、公司的业绩受到下游行业需求和原材料供应波动的影响。下游行业增长 │
│ │放缓或原材料成本的变化，可能会对公司的业务、财务状况和经营业绩产生│
│ │不利影响。 │
│ │2、公司的业务在很大程度上依赖于管理层和包括研发人员在内的高等人才 │
│ │的努力，若相关人员流失，将对公司的营运造成不利影响。 │
│ │3、公司产品中未被检测出的缺陷、故障或可靠性问题可能会减少市场对公 │
│ │司产品的采用，损害公司的声誉或使公司面临产品责任和其他索赔。 │
│ │4、公司生产基地的任何运营中断都可能限制公司的日常业务运营，并对公 │
│ │司的财务状况和经营结果产生重大不利影响。 │
│ │5、公司面临依赖主要客户和供应商的集中风险。如果未来公司依赖上述客 │
│ │户不进行业务拓展，或新客户拓展不及预期，将对公司扩大经营产生不利影│
│ │响。 │
│ │6、公司未来可能会面临碳化硅衬底价格下降的风险。如公司无法通过增加 │
│ │销量、降低成本或产品组合升级消除价格下降的影响，将对公司的财务表现│
│ │及经营业绩产生不利影响。 │
│ │(三)财务风险 │
│ │1、公司在过往年度实现了营业收入的快速增长，并于2024年度实现扭亏为 │
│ │盈，经营业绩呈现向好的趋势，因公司所处的宽禁带半导体产业属于前沿新│
│ │兴领域，前期投入大，研发支出高，2025年公司业绩出现了大幅波动，未来│
│ │如公司持续进行产能扩张，公司业绩仍存在亏损的风险。 │
│ │2、若公司未能维持足够的存货，或者存货管理不善，可能会失去销售机会 │
│ │或产生高额的存货相关费用，这可能对公司的财务状况及经营业绩产生负面│
│ │影响。 │
│ │3、原材料价格的上涨或供应短缺可能会扰乱公司的供应链，增加生产成本 │
│ │，导致公司延迟向客户交付产品，对公司业绩产生不利影响。 │
│ │4、公司可能面临来自贸易应收款项的回收风险。未能及时或完全无法收回 │
│ │贸易应收款项可能会对公司的业务、财务状况、流动资金及前景造成重大不│
│ │利影响。 │
│ │5、公司已根据股权激励计划授予并可能继续授予若干奖励，这可能会导致 │
│ │股份支付薪酬开支增加，影响公司的财务状况及经营业绩，并可能摊薄现有│
│ │股东的股权。 │
│ │(四)行业风险 │
│ │1、半导体材料行业竞争激烈。若公司未能成功竞争，公司的业务、经营业 │
│ │绩和未来前景将受到损害。 │
│ │2、若公司无法跟上半导体行业的技术进步，可能无法保留现有客户，吸引 │
│ │新客户，或保持公司的市场地位。 │
│ │(五)宏观环境风险 │
│ │1、公司扩展至海外市场可能面临营运、财务及监管风险。 │
│ │2、公司的业务、财务状况和经营业绩可能会受到国际政策、国际出口管制 │
│ │和经济制裁的重大不利影响。 │
│ │3、全球经济状况的下滑或波动可能对公司的业务、财务状况、经营业绩及 │
│ │流动性产生重大不利影响。 │
│ │4、人民币对美元汇率波动对出口导向型、跨国经营上市公司汇兑损益风险 │
│ │的影响日益显著，直接关系到企业盈利稳定性。 │
│ │5、全球政治、社会条件或公司运营所在国家和地区的政府政策变化，可能 │
│ │对公司的业务和运营产生重大不利影响。 │
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│股东回报规划│根据《公司法》等有关法律法规及《公司章程》的规定，公司制定未来三年│
│ │（2024年-2026年）股东回报规划：每一年度结束后，公司符合利润分配条 │
│ │件的，可采取现金、股票、现金与股票相结合或者法律、法规允许的其他方│
│ │式。在满足现金分红条件时，每年以现金方式分配的利润应不低于当次利润│
│ │分配的20%，且任意三个连续会计年度内，公司以现金方式累计分配的利润 │
│ │不少于该三年实现的年均可分配利润的30%。公司在经营情况良好，并且董 │
│ │事会认为公司股票价格与公司股本规模不匹配、发放股票股利有利于公司全│
│ │体股东整体利益时，可以在满足上述现金分红的条件下，提出股票股利分配│
│ │预案。 │
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│股权激励 │天岳先进2024年4月29日发布限制性股票激励计划，公司拟授予508万股限制│
│ │性股票，其中首次向不超过80名激励对象授予408万股，授予价格为32元/股│
│ │；预留100万股。首次授予的限制性股票自首次授予日起满一年后分三期解 │
│ │锁，解锁比例分别为30%、30%、40%。主要解锁条件为：2024-2026年营业收│
│ │入较2023年增长分别不低于100%、150%、200%。2024年净利润为正；2025年│
│ │净利润为正，且较2024年增长不低于100%；2026年净利润为正，且较2024年│
│ │增长不低于150%。 │
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│重大合同 │天岳先进2022年7月22日公告，公司与某客户签订了一份长期协议，约定202│
│ │3年至2025年公司及上海天岳向合同对方销售6英寸导电型碳化硅衬底产品，│
│ │按照合同约定年度基准单价测算（美元兑人民币汇率以6.7折算），预计含 │
│ │税销售三年合计金额为人民币13.93亿元。相关合同的履行将对公司的营业 │
│ │收入和净利润产生积极影响。 │
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