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捷捷微电(300623)热点题材主题投资

 

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热点题材☆ ◇300623 捷捷微电 更新日期:2026-07-29◇ 通达信沪深京F10 ★本栏包括【1.所属板块】【2.主题投资】【3.事件驱动】【4.信息面面观】 【1.所属板块】 概念:5G概念、充电桩、汽车电子、新能源车、芯片、光刻机、汽车芯片、三代半导、高压快充 风格:融资融券、基金独门、近期弱势、重组股、专精特新 指数:小盘成长、国证成长、创业300、创业创新、创科技、创业200 【2.主题投资】 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2025-07-04│新能源车 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司聚焦新能源汽车和智能电网等应用,推出车规级SGT MOSFETs器件,部分产品已在新能 源车上实现车用,比如汽车小电机领域、车载无线充领域、汽车电子电驱领域等 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2024-11-20│汽车芯片 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司推出的车规级SGT MOSFETs产品,部分产品已在新能源车上实现车用 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2023-10-26│高压快充 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司超结MOS已量产,主要应用于高压应用领域,有充电器电源、充电桩等。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-06-27│5G概念 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司的功率TVS等将配套5G基站电源,主要功能为防雷保护。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-01-10│光刻机 │关联度:☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司拥有“高粘度光刻胶无胶丝匀胶装置”专利,以及子公司捷捷半导体拥有“一套光刻胶 残胶收集装置”。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-01-05│第三代半导体│关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的 半导体器件 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-01-05│汽车电子 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司拥有200多个品种的功率半导体芯片和器件产品,主要产品有应用于汽车电子的防雷击 和防静电保护领域。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2021-10-18│充电桩 │关联度:☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司在投资者互动平台表示,新能源汽车领域是未来的一个趋势,目前公司有部分产品已经 应用在汽车充电桩上。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2021-10-12│芯片 │关联度:☆☆☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 国内产品有涉及二极管。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-01-05│氮化镓 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的 半导体器件 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2021-12-30│柔性直流输电│关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司生产的晶闸管能用于特高压的柔性直流技术,目前应用较少 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2021-10-19│IGBT │关联度:☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司IGBT产品在持续研究推进过程中,尚未进入量产阶段,所占比例很小;20年2月,与中芯 国际(绍兴)签订了《功率器件战略合作协议》,在MOSFET、IGBT等相关高端功率器件的研发和生 产领域展开深度合作 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2020-06-22│中芯国际概念│关联度:☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司作为为客户和产品方负责产品设计和项目的实施及产品的市场推广;SMEC主要负责提供 工艺平台开发合作支持和产线产能,中芯国际是合作方。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2019-08-26│碳化硅 │关联度:☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司在碳化硅方面的研发工作一直在持续推进中 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2026-07-28│近期弱势 │关联度:☆☆☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 截止2026-07-28,20日跌幅为:-45.25% ──────┬──────┬──────────────────────────── 2026-03-31│基金独门 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 截止2026-03-31,公司仅出现在上海国泰海通证券资产管理有限公司旗下基金的投资前10名 股票中 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2024-09-30│并购重组股 │关联度:☆☆☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司重组已实施完成 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-12-09│专精特新 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司已入选工信部国家级专精特新小巨人企业名单。 【3.事件驱动】 ──────┬─────────────────────────────────── 2026-02-06│功率半导体巨头英飞凌宣布涨价 ──────┴─────────────────────────────────── 半导体大厂英飞凌2月5日发布涨价通知称,由于功率开关与相关芯片供给持续吃紧,以及原 材料与基础设施成本攀升,公司将自2026年4月1日起对这部分产品价格进行上调。AI导致的算力 和存力扩张传导至“电力”,推动AI相关功率分立器件(如MOSFET)订单大量涌入,同时英飞凌 产能向AI领域倾斜,进一步挤压了传统行业(如电信、汽车)同类产品供应。机构指出,国际一 线厂商调价上移了行业价格天花板,为国产模拟及功率厂商提供了宝贵的盈利改善空间与替代机 遇。 ──────┬─────────────────────────────────── 2024-10-09│全球半导体行业销售额创历史新高 ──────┴─────────────────────────────────── 近日,美国半导体行业协会(SIA)宣布,2024年8月全球半导体销售额达到531亿美元,较202 3年8月的440亿美元增长20.6%,比2024年7月的513亿美元增长3.5%。从地区来看,美洲(43.9% )、中国(19.2%)、亚太/所有其他地区(17.1%)和日本(2.0%)的销售额同比上涨。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-09-07│日本新技术可将氮化镓半导体材料成本降90% ──────┴─────────────────────────────────── 据报道,日本最大的半导体晶圆企业信越化学工业和从事ATM及通信设备的OKI开发出了以低 成本制造使用氮化镓(GaN)的功率半导体材料的技术。制造成本可以降至传统制法的十分之一 以下。如果能够量产,用于快速充电器等用途广泛,有利于普及。具体来看,该新技术可以在特 有的基板上喷镓系气体,使晶体生长,晶体放在其他基板上作为功率半导体的晶圆使用。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-07-17│IGBT芯片价格居高不下,新能源汽车及光伏领域需求旺盛 ──────┴─────────────────────────────────── 目前IGBT缺货基本在39周以上,供需缺口已经拉长到50%以上,市场部分料号供货周期还是 维持在52周,最长达54周。IGBT领域龙头厂商英飞凌最新的Q2交期维持在39-50周,价格居高不 下。另一家大厂安森美2022-2023年的产能全部售罄,最新的Q2交期在47-52周,远高于英飞凌, 价格一直维持高位。IGBT是具有高电流、高电压、高效率的半导体电源控制元件,能够实现大电 流大电压的开关控制,主要应用于新能源汽车及光伏等领域的电力控制系统中,被誉为新能源汽 车的“CPU”。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-05-26│车用、工业IGBT供应依然吃紧,IGBT行业或受关注 ──────┴─────────────────────────────────── 据业内人士透露,IGBT在工业、车用领域供货仍吃紧,且主流IDM厂一路看好其长期需求。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-01-11│汽车芯片市场供应持续短缺,国产替代迫在眉睫 ──────┴─────────────────────────────────── 近期汽车芯片如MCU及部分功率半导体供应持续短缺,交期不断延长,部分大厂抛出涨价计 划。美国芯片供应商Sourcengine调查,截至2022年11月,功率半导体的交货时间已从2021年5月 底的31-51周延长至39-64周。AutoForecast Solutions的数据显示,由于汽车芯片短缺,2021年 全球累计减产1020万辆汽车,中国约减产198万辆汽车,约占全球总减产量的19%。预计2023年, 全球汽车行业将减产200万-300万辆汽车。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-12-14│超百亿元第三代半导体项目签约 ──────┴─────────────────────────────────── 西咸新区泾河新城官微发布消息称,其已经与江西誉鸿锦材料科技有限公司签订了战略合作 框架协议。此次签约意味着总投资116亿元的西安第三代化合物半导体芯片与器件产业化项目正 式落户泾河新城。第三代半导体主要应用的三大领域分别是光电子器件、射频电子器件和功率电 子器件。前瞻产业院预计,到2025年我国第三代半导体整体市场规模有望超过500亿元。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-03-09│半导体厂商Semtech近日发布涨价函 ──────┴─────────────────────────────────── 据媒体报道,半导体厂商Semtech近日发布涨价函,将于3月14日后对所有TVS(瞬态电压抑 制二极管)新订单进行涨价。 TVS即瞬态电压抑制器,是普遍使用的一种新型高效电路保护器件。它具有极快的响应时间(亚 纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力,可用于保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的 瞬变电压,以及感应雷所产生的过电压。普通的TVS二极管由单个PN节结构形成,结构单一,工 艺简单。ESD保护器件对结构设计和工艺要求更高,结构更加复杂,一般设计成多路PN结集成结 构,采用多次外延、双面扩结或沟槽设计。ESD保护器件能够确保小型化的集成电路芯片得到有 效保护,代表着当前TVS的技术水平和发展方向。 ──────┬─────────────────────────────────── 2021-07-26│台积电拟加大车用芯片产量 产业链有望持续高景气 ──────┴─────────────────────────────────── 据集微网报道,台积电、联电、力积电等代工厂均在增加相关芯片的产量,为汽车电子需求 的繁荣做准备。今年上半年,台积电汽车半导体的产量已比去年同期增长30%。 汽车产业正在快速向电动化、智能化、网联化发展。Strategy Analytics数据显示,2019年纯电 动车单车平均半导体价值达到775美元,为燃油车的两倍有余。 ──────┬─────────────────────────────────── 2021-07-13│三季度至少再涨20% MOSFET订单已排至年底 ──────┴─────────────────────────────────── 据行业媒体报道,马来西亚受疫情影响实施了更为强硬的“强化行动管制令”,当地IDM大 厂都被迫停工,IDM均已通知客户交期延长至少2周以上,MOSFET供给缺口将再扩大,成为现今终 端最缺的元器件之一。 受产能影响,MOSFET上半年已经掀起一波价格涨势。各类需求的堆积下,MOSFET今年订单早已排 至年底,交期普遍长达26 周以上。目前,马来西亚疫情未见降温,业界预期,受各家抢料及晶 圆成本上涨,MOSFET第三季价格可望再涨10%-20%。 ──────┬─────────────────────────────────── 2021-06-29│雷诺大手笔抢占碳化硅产能 新能源车企正快速导入碳化硅技术 ──────┴─────────────────────────────────── 据报道,日前雷诺集团和意法半导体宣布,双方达成了战略合作,意法半导体将确保在2026 -2030年满足雷诺的宽禁带(第三代半导体)器件产量需求。同时,双方还将合作开发高效、尺 寸合适的SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)技术和产品,以提高电动和混动汽车的功率性能。 ──────┬─────────────────────────────────── 2021-06-17│交期长达一年 功率半导体龙头酝酿新一轮涨价 ──────┴─────────────────────────────────── 有报道称全球功率半导体龙头英飞凌正在酝酿新一轮产品涨价,MOSFET(金氧半场效晶体管 )的涨幅将有12%,预计本月中旬执行。此外,功率半导体大厂ST(意法半导体)、安森美等也 表示将提升价格。国内部分功率半导体厂商也已发出了涨价函。 据富昌电子2021年二季度市场行情报告显示,几乎所有的芯片产品都面临着不同程度上的货期延 长,价格呈现上涨趋势,功率半导体领域也不例外。英飞凌的通用晶体管、低压MOSFET和IGBT产 品货期最长达52周,高压MOSFET货期也达到26至40周。 ──────┬─────────────────────────────────── 2021-05-28│IC设计大厂一季度营收集体大增 ──────┴─────────────────────────────────── 分析机构ICinsights发布全球前15大半导体公司在2021年第一季度的表现状况。根据报告, 前15大半导体企业中,营收增长最高的四位AMD(93%)、联发科(90%)、高通(55%)、英伟达 (51%)都是无晶圆IC设计厂商,第一季度营收年增长都超过了50%。 芯片设计作为国内半导体产业中最具发展活力的领域之一,近年来中国芯片设计产业在提升自给 率、政策支持、规格升级与创新应用等要素的驱动下,保持了高速成长的趋势。机构指出,议价 能力强的设计公司能够将晶圆、封测成本端影响更有效传导。叠加供需紧张下的马太效应,龙头 设计公司甚至能够在景气过程中获得量价齐升。 ──────┬─────────────────────────────────── 2020-11-09│全球最大氮化镓工厂英诺赛科预计月底通线试产 ──────┴─────────────────────────────────── 江苏省重大项目英诺赛科氮化镓(GaN)项目日前完成了一期厂房建设及生产设备搬入,预 计今年11月底实现通线试产,明年4月正式投产。英诺赛科苏州第三代半导体基地位于江苏省苏 州市吴江区汾湖高新区,一期投资总额超60亿元人民币,满产后将实现月产8英寸硅基氮化镓晶 圆65000片。 机构认为,随着行业大规模商用,GaN生产成本有望迅速下降,进一步刺激GaN器件渗透,有望成 为消费电子领域下一个杀手级应用。 ──────┬─────────────────────────────────── 2020-09-04│第三代半导体产业将写入十四五规划 ──────┴─────────────────────────────────── 权威消息人士透露,我国计划把大力支持发展第三代半导体产业,写入正在制定中的“十四 五”规划,计划在2021-2025年期间,在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面,大力支 持发展第三代半导体产业,以期实现产业独立自主。 由于传统半导体制程工艺已近物理极限,“摩尔定律”演进开始放缓,第三代半导体是“超越摩 尔定律”的重要发展内容。第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的 宽禁带的半导体材料,是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业 自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件。 ──────┬─────────────────────────────────── 2019-03-18│国内功率半导体需求持续上升 产品价格预期仍将上涨 ──────┴─────────────────────────────────── 2019年3月17日消息,集邦咨询在最新报告中指出,受益于新能源汽车、工业控制等终端市 场需求大量增加,MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价,带动了2018年中国功率半导体市场 规模大幅增长12.76%至2591亿元。集邦咨询预计,2019年前三季度功率分立器件产品缺货情况恐 难有明显好转,多家厂商的产品价格预期仍将上涨。可关注华微电子(600360)、扬杰科技(30037 3)、士兰微(600460)等。 ──────┬─────────────────────────────────── 2019-03-06│国家实施大规模减税降费 高端装备制造业受益明显 ──────┴─────────────────────────────────── 国务院总理李克强2019年3月5日在政府工作报告中说,今年要继续实施更大规模的减税降费 ,重点降低制造业和小微企业税收负担。将制造业等行业现行16%的税率降至13%,将交通运输业 、建筑业等行业现行10%的税率降至9%。据机构测算,有了政府工作报告中的具体减税降费政策 ,包括半导体、军工、自动化设备、光伏锂电半导体等中高端设备企业将明显受益于减税政策措 施。相关公司有捷捷微电、蓝英装备、中航沈飞等。 ──────┬─────────────────────────────────── 2019-02-12│二极管价格持续上涨 交期或最长延长到52周 ──────┴─────────────────────────────────── 2019年2月11日消息,据IC通路商最新市场行情报告指出,国际IDM大厂的分离式二极管于20 19年第一季价格持续喊涨。富昌电子调查显示,恩智浦、安森美、Vishay及STM等厂几近全面上 涨。除分离式二极管报价看涨外,桥式整流器、肖特基二极管、瞬态电压抑制、整流器、开关二 极管等产品交期都拉长到16-40周,最长甚至上看52周,报价也同步上涨。 ──────┬─────────────────────────────────── 2018-07-25│功率半导体MOSFET缺口扩大 相关供应商有望量价齐升 ──────┴─────────────────────────────────── 2018年7月24日据怀新资讯报道,据台湾工商时报报道,随着时间进入半导体市场传统旺季 ,金氧半场效晶体管(MOSFET)市场供给缺口持续扩大,第三季价格已顺利调涨约1成幅度,然 而中兴通讯重启运营后,带动大陆系统厂全面释出MOSFET急单,并传部分业者愿意再加价2成大 举扫货。下半年进入传统旺季,国际IDM厂的MOSFET交期再度延长,其中,低压及高压MOSFET交 期已拉长到30-40周。MOSFET供不应求,相关供应商有望量价齐升。 ──────┬─────────────────────────────────── 2018-07-11│特斯拉超级工厂将落户上海 供应链公司望率先受益 ──────┴─────────────────────────────────── 2018年7月10日据上证资讯报道,据上海市政府新闻办微信平台“上海发布”报道,上海市 政府和特斯拉10日签署合作备忘录。特斯拉将在临港地区独资建设集研发、制造、销售等功能于 一体的超级工厂,规划年生产50万辆纯电动整车。同日掲牌的还有特斯拉(上海)电动汽车研发 创新中心。机构认为,特斯拉品牌在全球市场均具有非常强的号召力,如果特斯拉国产化Model 3车型,可以快速打开国内市场。特斯拉国产化后,已进入特斯拉产业链的公司将率先受益。 ──────┬─────────────────────────────────── 2018-07-03│手机快充助力ESD芯片需求暴增5倍 行业有望量价齐升 ──────┴─────────────────────────────────── 2018年7月2日据怀新投资报道,据媒体报道,随着安卓阵营手机大厂陆续导入手机快充,ES D芯片成为手机与其充电设备的必要芯片。厂商分析,使用快充的智能手机对于ESD芯片的需求量 会是过去的五倍。二季度ESD及TVS等品种芯片供不应求已持续蔓延,随着三季度半导体产业及新 推手机旺季的到来,ESD芯片有望迎来量价齐升,相关公司有望受益。 ──────┬─────────────────────────────────── 2018-06-13│功率半导体MOSFET缺货发酵 台股相关公司股价暴涨 ──────┴─────────────────────────────────── 2018年6月12日据怀新资讯报道,近期功率半导体金氧半场效电晶体(MOSFET)及绝缘闸双 极电晶体(IGBT)缺货潮持续发酵,目前大厂手中库存均降至1个月以下,已低于2-3个月的安全 库存水准。茂硅、汉磊等代工大厂订单已满到年底。受行业利好刺激,台湾产业链公司股价全线 暴涨。预计MOSFET缺货情况将延续到明年,价格将逐季调涨。受益于行业高景气,国内相关公司 有望分享行业红利。公司方面,扬杰科技、捷捷微电、士兰微等与MOSFET相关。 【4.信息面面观】 ┌──────┬─────────────────────────────────┐ │栏目名称 │ 栏目内容 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │公司简介 │江苏捷捷微电子股份有限公司创建于1995年,是一家专业从事半导体分立器│ │ │件、电力电子元器件研发、制造和销售的江苏省高新技术企业、江苏省创新│ │ │型企业、中国半导体协会会员单位、中国电器工业协会电力电子分会先进会│ │ │员单位,同时也是国内生产“方片式”单、双向可控硅最早及品种最齐全的│ │ │厂家之一。 │ │ │公司建有“省级企业技术中心”、“省级工程技术研究中心”,捷捷微电的│ │ │产品在国内市场已拥有很高的知名度和市场占有率,多年来部分产品已销往│ │ │日本、韩国、西班牙、新加坡、中国台湾等国家和地区,可靠的质量得到了│ │ │用户的充分肯定,同时“捷捷微电”产品被评为江苏省著名商标、江苏省名│ │ │牌产品。 │ │ │公司于2017年3月14日在深圳创业板上市,股票代码300623。我们始终坚持 │ │ │不同(定制化)优于更好的价值取向,恪守“一技专长、生计无虞”专业、│ │ │专注的工匠精神,努力将捷捷微电建成一个具有国际竞争力的功率(电力)│ │ │半导体器件制造商(IDM)和品牌运营商。公司自成立以来,一直从事半导 │ │ │体分立器件、电力电子器件的研发、生产和销售。企业在大力开展技术创新│ │ │的同时,非常注重自主知识产权的创造与保护工作。公司现共获得授权专利│ │ │160项,其中发明专利26项,实用型新专利133项;外观专利1项。已受理发 │ │ │明专利107项,受理实用新型专利16项目。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │产品业务 │公司主营产品为各类电力电子器件和芯片,分别为:晶闸管器件和芯片、防│ │ │护类器件和芯片(包括:TVS、放电管、ESD、集成放电管、贴片Y电容、压 │ │ │敏电阻等)、二极管器件和芯片(包括:整流二极管、快恢复二极管、肖特│ │ │基二极管等)、厚膜组件、晶体管器件和芯片、MOSFET器件和芯片、IGBT器│ │ │件及组件、碳化硅器件等。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │经营模式 │1、采购模式 │ │ │公司物资管理部负责原材料、辅助生产材料的采购,具体采购程序如下:(│ │ │1)根据采购计划对采购产品进行分类 │ │ │(2)采购信息的编制和确定 │ │ │物资管理部根据《采购计划单》编制《采购合同》,主要原材料采购文件应│ │ │包括拟采购产品必要的信息。如有必要,物资采购部应请相关技术、品质管│ │ │理部参与采购要求和规范的制定,或与供方共同制定采购要求和规范,以便│ │ │利用供方专业人员的知识使公司获益。 │ │ │(3)采购的执行 │ │ │物资管理部根据经批准的《采购合同》,在《合格供方名录》的供方范围内│ │ │进行采购。采购通常以与供方签订供货合同的方式进行,以明确采购产品的│ │ │价格、交货期限、技术标准、验收条件、质量要求、违约责任等相关内容;│ │ │对于长年供货的供方,物资管理部在以合同的方式向供方明确采购产品的技│ │ │术标准、验收条件、质量要求、违约责任等相关内容后,可以采用传真购货│ │ │或口头通知的方式进行具体的采购;物资管理部应及时跟踪采购进度,反馈│ │ │给相关部门。 │ │ │(4)采购产品的验证 │ │ │物资管理部应协调采购产品的验证活动;当公司或公司客户提出在供方的现│ │ │场实施验证时,物资管理部应在采购信息中对需要在供应商现场开展验证的│ │ │安排作出规定;采购产品到达公司后,材料仓库进行登记并存放于待检区,│ │ │报相关技术、品质管理部进行检验;与供应商签订的技术协议应交品质管理│ │ │部进行审核,品质管理部负责技术协议文件的管理和发放,确保公司使用的│ │ │技术协议是现行有效的。 │ │ │2、生产模式 │ │ │(1)晶闸管和防护器件 │ │ │公司根据销售订单要求,制定生产计划,由技术管理部制定工艺卡、作业指│ │ │导书和检验规程,交给生产人员在生产中参照执行。公司生产部门分为芯片│ │ │制造部和封装制造部。 │ │ │(2)MOSFET │ │ │公司MOSFET采用垂直整合(IDM)一体化的经营模式和部分产品的委外流片 │ │ │相结合的业务模式。公司部分产品的芯片委托芯片代工厂进行芯片制造,由│ │ │于产能紧张及发挥产业内的协同创新作用,芯片一部分用于公司自主封装,│ │ │另一部分委托外部封测厂进行封测。 │ │ │(3)IGBT │ │ │公司IGBT采用垂直整合(IDM)一体化的经营模式和部分产品的委外流片相 │ │ │结合的业务模式。公司部分产品的芯片委托芯片代工厂进行芯片制造,由于│ │ │产能紧张及发挥产业内的协同创新作用,芯片一部分用于公司自主封装,另│ │ │一部分委托外部封测厂进行封测(主要为消费领域类器件)。 │ │ │(4)光电耦合器 │ │ │公司光电耦合器采用分公司+总部垂直整合(IDM)一体化的经营模式相结合│ │ │的业务模式。公司部分产品的接收芯片采购其他外部公司产品,所有LED芯 │ │ │片均采购其他公司产品,由于产能紧张及发挥产业内的协同创新作用,一部│ │ │分产品委托外部封测厂进行封测。 │ │ │(5)模块 │ │ │公司根据销售订单要求,制定生产计划,由技术部制定工艺卡、作业指导书│ │ │和检验规程,生产部门按照标准进行生产作业 │ │ │3、研发模式 │ │ │公司主要采用自主研发模式,公司设有工程技术研究中心,主导新技术、新│ │ │产品的研究和开发。为提高研发人员的积极性,公司建立了鼓励发明创造的│ │ │奖励制度。该奖励制度不仅提高了研发人员的工作积极性,还可以激励全体│ │ │员工参与技术革新活动,取得了较为明显的成效。 │ │ │4、销售模式 │ │ │(1)营销理念 │ │ │公司的营销理念为:建立售前、售中、售后一体的市场营销团队,发展知名│ │ │品牌客户和优质渠道商,与客户形成战略性合作,树立公司国际品牌形象,│ │ │提高市场占有率。 │ │ │(2)营销方式 │ │ │公司产品应用的市场领域较多,产品规格多,且对产品性能要求各异。公司│ │ │既销售公司通用规格的产品,也可以根据客户的诉求为其设计、生产定制化│ │ │产品,并可对客户提供全方位的技术服务。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │行业地位 │国内晶闸管及半导体防护器件领域的领先企业 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │核心竞争力 │1、技术优势 │ │ │(1)芯片研发能力和定制化设计能力 │ │ │国外大型半导体公司以销售标准化产品为主,较少为客户生产定制产品,并│ │ │且在为客户定制产品时,开发周期相对较长。国内大多数电力电子器件制造│ │ │商不具备芯片设计制造能力,仅从事半导体分立器件的封装制造。公司立足│ │ │于我国市场的实际情况,根据终端产品需求多样化和升级换代快的特点,依│ │ │托于芯片研发设计技术优势,目前已经研发并生产多种型号和规格的标准产│ │ │品,并通过对客户需求的评估生产个性化产品。 │ │ │公司多项功率半导体芯片和器件的核心技术不仅保证公司产品性能优良、工│ │ │艺领先、质量稳定可靠、性价比高,还可及时根据客户需求设计、生产定制│ │ │产品,不断推出新产品。 │ │ │(2)先进制造力优势和完善的管理体系 │ │ │一般来说,半导体行业的运作模式分为IDM(整合元件制造商,即覆盖了整 │ │ │个芯片产业链,集芯片设计、制造和封装测试一体的半导体厂商)、Foundr│ │ │y(从事芯片加工制造,拥有晶圆生产技术而不参与设计的半导体公司)、F│ │ │abless(主要负责芯片设计而不从事制造的芯片企业)三种。其中,IDM模 │ │ │式对于公司的资本实力和技术实力要求最高,Foundry模式其次,Fabless模│ │ │式最为常见。 │ │ │由于公司在功率半导体分立器件的运作模式中采取的是以IDM模式为主、部 │ │ │分Fabless+封测的模式,IDM模式即公司所生产的功率半导体分立器件从设 │ │ │计、生产制造、封装测试都是公司独立完成的。公司先进的工艺技术全面应│ │ │用到芯片设计和制造、成品封装及品质监控及检测的生产过程中,大大提高│ │ │了产品的性能。 │ │ │2、市场优势 │ │ │公司通过技术创新提高产品的附加值,为客户设计生产定制化产品,提高了│ │ │产品的性价比。公司在维持老客户稳定发展的同时,逐步打开高端客户的市│ │ │场空间,境内市场份额迅速提高。 │ │ │3、替代进口优势 │ │ │长期以来,我国功率半导体分立器件行业整体技术水平较国际先进技术水平│ │ │有较大差距,因此我国功率半导体分立器件下游行业的知名企业长期购买和│ │ │使用国际大型半导体公司的分立器件产品,以确保其产品性能先进、质量稳│ │ │定。 │ │ │4、品牌知名度优势 │ │ │公司突出的芯片研发能力和产品质量持续提升公司品牌在行业内的美誉度和│ │ │认可度。 │ │ │公司现有国内外知名客户如海尔集团、中兴通讯、正浩创新、三花、阳光电│ │ │源等在前期小批量试用公司产品后,不断增加对公司产品的采购数量,现已│ │ │成为公司重要客户。与此同时,更多国内外知名半导体分立器件制造商或下│ │ │游行业的知名企业正在与公司开展技术、生产和质量等方面的全面接触,对│ │ │公司产品进行考核、认定、现场审核或小批量试用等不同阶段,公司客户结│ │ │构向大型化、国际化方向发展,品牌知名度和市场影响力日益增强。 │ │ │5、人才引育和团队建设的优势 │ │ │公司核心研发团队稳定,以黄善兵、王成森、黄健、刘启星、张超、黎重林│ │ │等为核心的技术团队长期从事电力电子技术等研究与开发工作,在产品技术│ │ │创新与协同、生产工艺优化与升级、产品开发与成果转化等方面具有丰富的│ │ │经验。公司核心管理团队成员结构合理,以黄善兵、黄健、沈卫群、黎重林│ │ │、张家铨等为核心,涵盖了经营管理、运营管理、市场营销、产品应用、信│ │ │息化管理及公司治理结构等方面,协同性和执行力强,保证了公司决策的科│ │ │学性和有效性。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │经营指标 │1、2025年,实现营业收入349413.45万元,较上年同期增加22.83%,实现归│ │ │属于母公司所有者的净利润47668.91万元,较上年同期增加0.77%。营业利 │ │ │润53799.08万元,较上年同期减少11.81%。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │竞争对手 │扬杰科技、台基股份、华微电子、士兰微、意法半导体公司 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │品牌/专利/经│专利:截至本报告期内,公司获得授权专利332件,其中:发明专利117项,│ │营权 │实用新型专利211项,外观专利4项。已受理发明专利70项,受理实用新型专│ │ │利43项,受理外观专利3项,集成电路布图2项。捷捷微电子截至期末获得授│ │ │权专利101项,其中发明专利39项、实用新型专利59项、外观设计3项。申请│ │ │受理专利共计28件,其中:发明专利22件,实用新型专利3项、外观专利3项│ │ │。捷捷半导体截至期末获得授权专利133项,其中发明专利48项、实用新型 │ │ │专利84项、外观专利1项。申请受理专利共计28件,其中:发明专利18件, │ │ │实用新型10件。捷捷上海截至期末获得授权专利31项,其中发明专利12项,│ │ │实用新型专利19项。申请受理专利共计1件,其中:发明专利1件。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │核心风险 │市场竞争风险加剧;产品研发不达预期;宏观经济影响市场需求。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │投资逻辑 │报告期内,公司拥有的核心技术与研发能力、产品质量控制能力以及全行业│ │ │覆盖的市场与销售体系仍是公司立足行业领先地位的核心竞争力。同时,公│ │ │司的核心管理团队稳定,提高管理效率,优化流程,提升管理水平,坚持诚│ │ │信为重、质量第一,为客户提供优质的产品和服务。 │ │ │、报告期内,实现营业收入349413.45万元,较上年同期增加22.83%,实现 │ │ │归属于母公司所有者的净利润47668.91万元,较上年同期增加0.77%。营业 │ │ │利润53799.08万元,较上年同期减少11.81%。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │消费群体 │消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动控制、计算机及周边设备│ │ │、网络通讯等众多国民经济领域 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │主营业务 │功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │主要产品 │功率半导体芯片、功率半导体器件、功率器件封测 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │项目投资 │投建功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线建设项目:捷捷微电2021年7月│ │ │3日公告,公司在全资子公司捷捷半导体有限公司建设“功率半导体6英寸晶│ │ │圆及器件封测生产线建设项目”,总投资5.1亿元。 │ │ │投建高端功率半导体产业化建设项目(二期):捷捷微电2022年4月26日公 │ │ │告,公司在控股子公司捷捷(南通)科技有限公司建设“高端功率半导体产│ │ │业化建设项目(二期)”,总投资65,000.08万元。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │股权收购 │拟2.84亿元收购捷捷南通科技8.45%股权:捷捷微电2024年12月31日公告, │ │ │公司拟以现金28400万元收购捷捷微电(南通)科技有限公司(简称“捷捷 │ │ │南通科技”)8.45%的股权。交易完成后,公司将直接持有捷捷南通科技100│ │ │%的股权,捷捷南通科技将成为公司的全资子公司。捷捷南通科技主要从事 │ │ │功率半导体芯片的研发、生产和销售。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │对外投资 │设立智能科技公司:捷捷微电2019年11月25日公告,公司与芯马信息、捷成│ │ │信息三方共同出资2000万元成立“捷捷微电(上海)科技有限公司”(简称│ │ │“捷捷上海”)。其中,公司出资1800万元,占捷捷上海注册资本的90%。 │ │ │捷捷上海经营范围为智能科技、半导体科技、电子科技领域内的技术开发、│ │ │技术咨询、技术服务、技术转让等。本次投资,将致力于开拓功率半导体器│ │ │件应用市场,进一步增厚国产功率半导体器件进口替代空间,提高企业核心│ │ │竞争力。 │ │ │捷捷微电2023年5月26日公告,公司拟以自有资金在南通苏锡通科技产业园 │ │ │设立全资子公司,注册资本15.8亿元。经营范围:功率半导体芯片制造、测│ │ │试及销售;电子元器件及光学元器件研发、制造及销售等。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │行业竞争格局│随着计算机、消费电子、汽车电子、工业电子等众多下游行业呈现爆发式增│ │ │长,国内半导体分立器件行业也呈现蓬勃发展的态势,半导体分立器件的产│ │ │销规模保持增长趋势。 │ │ │2017年,我国半导体分立器件行业的整体销售规模为2473.9亿元,至2024年│ │ │销售规模已达4138.7亿元,2017年至2024年,我国半导体分立器件的销售规│ │ │模年均复合增长率达到7.63%。 │ │ │近年来,凭借长期的技术积累和自主创新,我国半导体分立器件企业不断增│ │ │加,分立器件的产量随之攀升;2017年,我国半导体分立器件的整体生产规│ │ │模为7301.5亿只,至2024年增长至16946.1亿只;2017年至2024年,我国半 │ │ │导体分立器件的整体生产规模年均复合增长率达到12.78%。 │ │ │近年来,新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴 │ │ │应用领域将成为国内半导体分立器件产业的持续增长点,我国分立器件市场│ │ │各应用领域均保持着较高的增长速度行业呈现良好的发展态势。在国家产业│ │ │支持和下游行业需求的拉动下,国内半导体分立器件行业内企业在技术研发│ │ │、先进设备方面进行了大量投资,紧跟国际先进企业的技术发展,并向中高│ │ │端产品领域渗透。 │ │ │从市场需求来看,2017年至2024年国内半导体分立器件市场需求保持了6.05│ │ │%的年均复合增长,2024年国内半导体分立器件市场需求达到3707.8亿元。 │ │ │其中,半导体功率器件仍是带动中国半导体分立器件市场加速增长的主要动│ │ │力。 │ │ │技术水平的提升使得分立器件应用领域逐步拓展,国产替代空间巨大,推动│ │ │了国内半导体分立器件需求的高速增长。根据中国半导体行业协会预测,到│ │ │2026年分立器件的市场需求将达到4311亿元。整体来看,我国半导体分立器│ │ │件市场需求在经历短期调整后,已重回增长轨道,且未来两年增速有望持续│ │ │提升,展现出强劲的发展韧性与广阔的市场潜力,这主要得益于功率半导体│ │ │国产替代进程加速、新能源等下游应用场景持续拓展等因素的推动。 │ │ │据中国半导体行业协会统计,2017-2024年我国半导体分立器件进口额整体 │ │ │呈波动变化态势,2017-2021年:进口额从281.8亿美元逐步攀升至333.6亿 │ │ │美元,其中2021年同比增长24.8%,为期间最高增速,进口规模实现显著增 │ │ │长。2022-2024年:进口额连续三年下滑,2022年为325.1亿美元,2023年降│ │ │至263.8亿美元,2024年进一步回落至235.5亿美元,2023年、2024年同比分│ │ │别下降18.9%、10.7%。从趋势来看,2021年之后我国半导体分立器件进口规│ │ │模收缩明显。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │行业发展趋势│随着整体半导体行业的发展,我国半导体分立器件行业通过行业周期低点区│ │ │域,在消费类电子复苏、新能源领域产能释放和低压车规级器件替代加速、│ │ │AI服务器爆发等因素的带动下,继续保持平稳增长。据WSTS统计,2025年全│ │ │球半导体行业市场规模(以销售额口径统计)7722亿美元,同比增长预计达│ │ │到22.5%。2026年预计达9755亿美元,同比增长26.3%。 │ │ │(1)市场结构:高端领域成增长主力,国产替代持续深化 │ │ │全球半导体分立器件市场正呈现“传统领域稳中有升、新兴领域爆发式扩张│ │ │”的二元结构。传统消费电子领域虽仍占据基础份额,但增长动能逐渐向新│ │ │能源汽车、工业控制、智能电网等高端赛道转移。 │ │ │在市场竞争格局上,国际巨头如英飞凌、安森美、意法半导体凭借技术与规│ │ │模优势占据高端市场主导地位,但本土企业通过技术突破和产能扩张正加速│ │ │追赶。目前,国产功率分立器件在中低端市场(如MOSFET、IGBT)的替代率│ │ │已超60%,实现了自主可控。在高端领域,国内企业也在不断突破技术壁垒 │ │ │,部分车规级SiC模块产品已实现量产和商用,预计未来高端市场国产替代 │ │ │进程将持续深化,形成“高端突破+中低端巩固”的产业新格局。 │ │ │(2)新兴场景驱动需求多元化 │ │ │随着5G通信、物联网、人工智能、工业自动化等新兴技术的快速发展,半导│ │ │体分立器件的应用场景不断拓展,需求呈现多元化态势。在新能源汽车领域│ │ │,除了电机控制器、车载充电器等核心部件对功率器件的需求外,自动驾驶│ │ │系统中的传感器、毫米波雷达等也需要大量的半导体分立器件;在光伏储能│ │ │领域,逆变器、储能变流器等设备对高性能功率器件的需求持续增长;在工│ │ │业自动化领域,工业机器人、数控机床等设备的智能化升级,也为半导体分│ │ │立器件带来了新的市场空间。 │ │ │同时,传统应用领域也在不断升级,智能家电、消费电子的高端化、智能化│ │ │发展,对半导体分立器件的性能提出了更高要求,如更快的响应速度、更低│ │ │的功耗、更高的可靠性等,进一步推动了行业技术的迭代与产品的升级。 │ │ │(3)产业链重构:自主可控与全球化布局并行 │ │ │全球半导体产业格局的加速重构,使得半导体分立器件行业的产业链安全问│ │ │题备受关注。一方面,国内企业通过加大研发投入、加强产业链上下游协同│ │ │合作,不断提升产业链自主可控能力。 │ │ │在原材料方面,国内硅片、光刻胶等关键材料的产能与技术水平不断提升,│ │ │逐步摆脱对进口的依赖;在设备方面,本土半导体设备企业也在不断突破技│ │ │术瓶颈,部分设备已实现国产化替代。 │ │ │另一方面,行业头部企业也在积极推进全球化布局,通过在海外设立研发中│ │ │心、生产基地等方式,整合全球资源,提升国际竞争力。同时,全球产业链│ │ │的区域化特征也日益明显,亚太地区凭借完整的产业链布局与庞大的终端需│ │ │求,已成为全球分立器件产能的核心聚集地,中国、日本、韩国等国家在封│ │ │装测试环节占据全球领先地位,共同推动着行业的发展。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │行业政策法规│《国民经济行业分类与代码》、《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第│ │ │2号——创业板上市公司规范运作》、《工业和信息化部办公厅关于推进5G │ │ │轻量化(RedCap)技术演进和应用创新发展的通知》、《关于推动未来产业│ │ │创新发展的实施意见》、《关于加快推进视听电子产业高质量发展的指导意│ │ │见》、《上市公司监管指引第10号——市值管理》、《江苏捷捷微电子股份│ │ │有限公司市值管理制度》、《8D控制程序》、《数据分析与持续改进控制程│ │ │序》、《中华人民共和国证券法》、《纠正预防措施控制程序》、《国务院│ │ │关于加强监管防范风险推动资本市场高质量发展的若干意见》、《推动能源│ │ │电子产业发展的指导意见》、《深圳证券交易所创业板股票上市规则》、《│ │ │QCC活动管理办法》、《关于推动5G加快发展的通知》、《产业结构调整指 │ │ │导目录》、《证券法》、《中华人民共和国公司法》、《中华人民共和国国│ │ │民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》、《电子信息│ │ │制造业2023—2024年稳增长行动方案》、《公司法》、《江苏捷捷微电子股│ │ │份有限公司章程》、《国务院办公厅关于深化电子电器行业管理制度改革的│ │ │意见》、《关于推动技能强企工作的指导意见》 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │公司发展战略│1、提升产品的优势地位,紧随科技进步扩展产业链 │ │ │(1)行业定位:专注于功率半导体领域、努力将捷捷微电建成一个具有国 │ │ │际竞争力的功率(电力)半导体器件制造商(IDM)和品牌运营商。 │ │ │(2)经营方针:坚持以客户为中心、坚持以市场为导向、坚持奋斗者为本 │ │ │、坚持创新驱动、坚持质量第一,夯实推进“规模、品牌、人才”三大优势│ │ │,充分发挥出色的技术能力与供应链能力双引擎,进一步提升产品矩阵、快│ │ │速交付能力和市场竞争能力,促进收入、利润、现金流及ROE等核心指标高 │ │ │质量可持续增长。 │ │ │(3)经营目标:塑封晶闸管器件和模块、“方片式”晶闸管芯片及半导体 │ │ │防护器件、MOSFET、IGBT、光耦、模块和第三代功率半导体器件等多元细分│ │ │行业领域内成为国内龙头,打造捷捷微电成为国内领先且具备国际影响力的│ │ │知名功率半导体品牌。 │ │ │2、增强公司综合竞争力,提升公司的行业地位 │ │ │(1)行业及市场定位与规划: │ │ │1)致力于功率半导体器件的设计、制造和销售,聚焦进口替代和应用创新 │ │ │,打造具有国际竞争力的一流产品,不断提升国内国际市场影响力。 │ │ │2)在现有基础上进行升级优化,保持并进一步拓展晶闸管器件在家用电器 │ │ │、低压电器、工业设备等领域的市场份额,确保细分领域国内领先、世界一│ │ │流,努力提升在国际市场的知名度。 │ │ │3)积极拓展车规级功率半导体防护器件的产品系列,进一步扩大功率半导 │ │ │体防护器件在通讯设备、智能家居、安防、工业控制、仪器仪表、照明、移│ │ │动终端设备、防雷模块等领域的应用,力争国内领先。 │ │ │4)积极布局有特色的FRD、高端整流器产品线,拓展在新能源汽车、光伏、│ │ │风电、电焊机、各类变频电源等领域的应用。 │ │ │5)加快功率MOSFET、IGBT、碳化硅、氮化镓等新型电力半导体器件的研发 │ │ │和推广,从先进封装、芯片设计等多方面同步切入,快速进入新能源汽车电│ │ │子(如电机马达和车载电子)、5G核心通信电源模块、智能穿戴、智能监控│ │ │、光伏、物联网、工业控制和消费类电子等领域。 │ │ │6)积极推进研发投入,加大研发投入与技术创新,研发投入与成果转化保 │ │ │持正相关增长。 │ │ │7)先进制造,持续精益制造技术和制造工艺,持续提升产品在温度、特征 │ │ │电学特性参数的一致性;夯实质量控制和管理,在优化制造成本的同时,进│ │ │一步提升产品的良率。 │ │ │8)面向人工智能、先进计算、物联网、新能源、新基建等新兴需求,开发 │ │ │重点应用领域急需的小型化、高性能、高效率、高可靠电子元器件,推动整│ │ │机企业积极应用创新型产品,加速元器件产品迭代升级。优化生产工艺及质│ │ │量管控系统,开展智能工厂建设,提升智能制造水平,打造功率半导体IDM │ │ │全产业链。 │ │ │9)通过兼并重组、资本运作等方式整合资源、扩大生产规模、增强核心竞 │ │ │争力、提高合规履责和抗风险能力。努力打造具有自主知识产权、产品附加│ │ │值高、有核心竞争力的功率半导体产业单项冠军。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │公司日常经营│1、报告期内,实现营业收入284468.50万元,较上年同期增加35.05%,实现│ │ │归属于母公司所有者的净利润47303.82万元,比上年同期增加115.87%。营 │ │ │业利润61000.21万元,较上年同期增加194.50%。 │ │ │2、报告期内,营业成本181086.49为万元,较上年同期增加30.51%,主要原│ │ │因系销售增加同步增加营业成本所致。 │ │ │3、报告期内,财务费用-759.09为万元,较上年同期减少126.24%,主要系 │ │ │子公司捷捷微电(南通)科技收到贷款贴息所致。 │ │ │4、报告期内,信用减值损失为545.56万元,较上年同比增加314.49%,主要│ │ │原因系计提的应收账款坏账准备增加所致。 │ │ │5、报告期内,资产减值损失为6324.84万元,较上年同比增加122.88%,主 │ │ │要原因系公司本年计提的存货跌价准备较上年同期增加所致。 │ │ │6、报告期内,投资收益为323.95万元,较上年同比减少30.15%,主要系公 │ │ │司购买的结构性存款减少所致。 │ │ │7、报告期内,资产处置收益为3499.86万元,较上年同期增加7714.95%,主│ │ │要原因系公司出售厂房利得增加所致。 │ │ │8、报告期内,其他收益为9526.80万元,较上年同期增加138.27%,主要系 │ │ │公司收到与日常经营活动相关的政府补助较上年同期增加所致。 │ │ │9、报告期内,公允价值变动收益为-188.78万元,较上年同期减少59.49%,│ │ │主要原因系公司购买的结构性存款减少,按照预期收益率确认持有的结构性│ │ │存款公允价值变动,在结构性存款到期赎回时,确认的公允价值变动收益冲│ │ │减在建工程-利息费用同比减少所致。 │ │ │10、报告期内,营业外收入为114.55万元,较上年同期减少60.32%,主要原│ │ │因系子公司2023年江苏捷捷半导体技术研究院有限公司免付租赁费所致。 │ │ │11、报告期内,经营活动产生的现金流量净额较上年同期减少21467.43万元│ │ │,变动比例为-22.97%,主要原因系子公司捷捷微电(南通)科技2023年收 │ │ │到增值税留抵退税所致。 │ │ │12、报告期内,投资活动产生的现金流量净额较上年同期增加35656.52万元│ │ │,变动比例为-47.79%,主要原因系公司随着项目推进支付的工程、设备款 │ │ │项减少所致。 │ │ │13、报告期内,筹资活动产生的现金净额较上年同期增加31977.42万元,变│ │ │动比例为-100.76%,主要原因系公司收到发行股份及支付现金购买资产并募│ │ │集配套资金之向特定对象发行股票募集的配套资金所致。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │公司经营计划│1.积极跟进项目进展,建设高质量发展 │ │ │根据公司战略规划和经营发展需要,进一步提高企业核心竞争力,落实公司│ │ │的战略发展规划,为建设高质量的发展打好基础建设。公司主要项目“功率│ │ │半导体‘车规级’封测产业化项目”、南通“高端功率半导体器件产业化项│ │ │目”(二期)、“功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线”等项目都已建 │ │ │设完成,目前处于产能爬坡期。主要项目的高质量完成有助于推动高端功率 │ │ │半导体发展,满足下游市场需求,扩大市场占有率,缓解MOSFET产能紧张的问 │ │ │题等,进一步提升了公司市场竞争力、综合实力与治理能力,完善公司核心“│ │ │功率半导体器件IDM”供应链的战略布局。 │ │ │2.实施高端人才计划,储备技术管理人才 │ │ │半导体行业是技术密集型行业,公司重视研发管理,在现有和未来产品系列│ │ │分别设立研发项目组,公司有针对性地研发新产品和新技术的同时,不断吸│ │ │收引进先进人才,将人员管理与培养围绕公司战略规划展开。通过激励措施│ │ │和实践培养,继续推行科学的、有吸引力的薪酬制度和激励机制,建设一支│ │ │在研发、信息化、数字化水平处于同行前列且企业运营管理有自己优势和特│ │ │色的核心队伍,以高端人才为支撑推动公司高质量发展,为公司未来发展储│ │ │备技术、营销、采购等方面的管理人才。 │ │ │3.加强投资者关系管理,提升信息披露质量 │ │ │公司将严格按照新修订的法律法规、规范性文件及监管部门的有关规定,继│ │ │续规范信息披露工作,提升信息披露工作的整体质量,保证信息披露的及时│ │ │性、真实性、准确性和完整性。同时,公司也将继续完善投资者关系管理的│ │ │工作机制,高度重视投资者关系管理,保持与中小投资者的日常沟通与交流│ │ │,积极通过业绩说明会、接待调研、互动易平台、投资者咨询热线、公司邮│ │ │箱等多种途径,增强投资者对企业的了解。此外,公司通过可视化定期报告│ │ │、ESG报告等多种宣传手段,全方位展示公司经营成果。 │ │ │4.强化生产计划,优化产品工序 │ │ │公司将提高精益生产的组织能力,合理调配人力,严控能源消耗,减少工艺│ │ │损耗,提高效率,降低成本。尤其是在原材料价格存在波动的情况下,更加│ │ │重视提升生产环节中各工序生产效率,提升并稳定中间产品出成率,节能减│ │ │耗,对冲制造成本畸高风险,同时科学安排生产,制定应急预案,以应对限│ │ │电限产等特殊情况。 │ │ │5.优化财务管理体系,降低运营成本 │ │ │在生产运营精益求精的同时,公司将提高资金使用效率,也将对自身财务资│ │ │金管理体系进行优化升级,以捷捷微电总部为核心,深入统筹、充分前瞻各│ │ │子公司的融资计划和营运资金,采取措施积极提高资金运转效率和使用效率│ │ │,降低营运资本的占用,在存量资源中为股东挖掘更多价值。 │ │ │6.持续打造全球市场营销中心,突出营销地位 │ │ │公司将突出全球市场营销中心的作用,整合公司相关业务的市场营销资源,│ │ │在资源集中的优势下,更有效的汇集客户需求,提升客户的满意度及沟通对│ │ │接效率,帮助公司产品线提升面向更大客户群体的产品开发能力。此外公司│ │ │还将进一步加强芯片研发能力和定制化设计能力,根据终端产品需求多样化│ │ │和升级换代快的特点,以及我国市场的实际情况,公司依托于芯片研发设计│ │ │技术优势,目前已经研发并生产多种型号和规格的标准产品,并通过对客户│ │ │需求的评估生产个性化产品。公司为客户定制产品,需要结合生产工艺的调│ │ │整和关键技术的协调匹配,是公司芯片研发能力的重要体现,也是公司差异│ │ │化发展的重要标志。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │公司资金需求│本公司统筹负责公司内各子公司的现金管理工作,包括现金盈余的短期投资│ │ │和筹措贷款以应付预计现金需求。本公司的政策是定期监控短期和长期的流│ │ │动资金需求,以及是否符合借款协议的规定,以确保维持充裕的现金储备和│ │ │可供随时变现的有价证券。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │可能面对风险│1、管理及人力资源风险。公司业务正处于快速发展阶段,多个投资项目实 │ │ │施建设后,资产与业务规模的扩张将对公司的管理及人力资源需求提出更高│ │ │的要求,公司管理及销售人员将增加,技术人员、生产线工人将在现有基础│ │ │上大幅增加,且国内制造业用工成本逐年增长,公司存在人力资源不足及人│ │ │力成本上升的风险;同时,公司业务及资产规模的扩张将对公司现有的管理│ │ │体系及管理制度形成挑战,如公司管理体系及管理制度不能适应扩大后的业│ │ │务及资产规模,公司将面临经营管理风险。 │ │ │2、市场竞争加剧的风险。国际知名大型半导体公司占据了我国半导体市场5│ │ │0%左右的份额,我国本土功率半导体分立器件生产企业众多,但主要集中在│ │ │封装产品代工层面,与国际技术水平有较大差距。公司具备功率半导体芯片│ │ │和器件的研发、设计、生产和销售一体化的业务体系,主要竞争对手为国际│ │ │知名大型半导体公司,随着公司销售规模的扩大,公司与国际大型半导体公│ │ │司形成日益激烈的市场竞争关系,加剧了公司在市场上的竞争风险。 │ │ │3、资产折旧摊销增加的风险。随着公司“高端功率半导体产业化建设项目 │ │ │”等投资项目的投入使用,固定资产规模相应增加,资产折旧摊销随之加大│ │ │,若不能及时释放产能产生效益,将对公司经营业务产生不利影响。 │ │ │4、重点研发项目进展不及预期的风险。近年来,公司一直致力于产业链的 │ │ │拓宽和产品的转型升级,包括捷捷南通科技“高端功率半导体产业化建设项│ │ │目”、捷捷半导体“6英寸功率芯片和封测生产线及配套建设项目”,及捷 │ │ │捷微电“功率半导体车规级产业化项目”等重大项目的投入使用,并以重点│ │ │研发项目为牵引,加大研发投入力度。由于国外先进半导体制造商产品更具│ │ │品牌效应和关键技术可靠性与稳定性,客户对于新产品的立项或论证(可替│ │ │换)周期较长,在建项目工程施工的执行过程中,也存在法律、法规、政策│ │ │、履约能力、技术、市场等方面不确定性,还可能受外部环境发生重大变化│ │ │、突发意外事件,以及其他不可抗力因素影响等,公司可能会面临重点研发│ │ │项目及在建工程进展不及预期的风险。 │ │ │5、国际政治经济环境变化风险。全球经济复苏仍面临不确定性,国际贸易 │ │ │摩擦和地缘政治等因素对我国半导体行业的发展提出了新的挑战。近年来,│ │ │国际环境复杂多变,美国对中国半导体行业采取了多项限制措施,包括限制│ │ │中国企业获取高性能芯片和先进计算机、限制美国人为涉及中国的特定半导│ │ │体活动提供支持、限制中国获取先进半导体制造物项与设备等。公司所处行│ │ │业属于美国加以压制的行业之一,面对国际环境复杂多变、贸易摩擦升级,│ │ │公司面临的外部环境不利因素增多,如果贸易摩擦持续升级,将对公司的经│ │ │营活动带来一定的不利影响。 │ │ │6、环保风险。功率半导体分立器件制造过程涉及多种化学工艺,会产生以 │ │ │废水、废气为主的污染物。环保问题已经越来越受到我国政府的重视,不排│ │ │除今后由于环保标准提高导致公司环保费用增加的可能。此外,若在生产过│ │ │程中因管理疏忽、不可抗力等因素以致出现环境事故,可能会对环境造成一│ │ │定的破坏和不良后果。若出现环保方面的意外事件、对环境造成污染、触犯│ │ │环保方面法律法规,则会对公司的声誉及日常经营造成不利影响。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │股东回报规划│根据《公司法》等有关法律法规及《公司章程》的规定,公司制定未来三年│ │ │(2024-2026年)股东回报规划:①2024-2026年,公司将每年以现金形式分│ │ │配的利润不少于当年实现的可供分配利润的20%。②在确保足额现金股利分 │ │ │配的前提下,公司可以另行增加股票股利分配。公司在每个会计年度结束后│ │ │,由董事会提出分红议案,并由股东大会审议通过。公司接受所有股东对公│ │ │司分红的建议和监督。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │战略合作 │捷捷微电2020年3月3日公告,公司与中芯集成电路制造(绍兴)有限公司(简│ │ │称“SMEC”)签订了《功率器件战略合作协议》。基于公司【包括公司控股│ │ │子公司捷捷微电(上海)科技有限公司】产品设计方案,SMEC为产品开发平│ │ │台保证研发资源支持与交付能力,SMEC为捷捷微电的产品开发,新工艺调试│ │ │,工程批流片提供便利。协议有效期为三年。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │定增募资加码│捷捷微电2018年9月24日发布定增预案,公司拟非公开发行不超过3500万股 │ │主业 │股份,募集资金总额不超过91113.27万元,拟用于:1)电力电子器件生产 │ │ │线建设项目,总投资55136万元,拟投入募集资金53101.05万元,建设期2年│ │ │。达产后的税后利润为12262.73万元。2)捷捷半导体有限公司新型片式元 │ │ │器件、光电混合集成电路封测生产线建设项目,总投资2.3亿元,拟投入募 │ │ │集资金19012.22万元,建设期2年。达产后的税后利润为4592.43万元。3) │ │ │补充流动资金,拟投入募集资金1.9亿元。 │ └──────┴─────────────────────────────────┘ 〖免责条款〗 1、本公司力求但不保证提供的任何信息的真实性、准确性、完整性及原创性等,投资者使 用前请自行予以核实,如有错漏请以中国证监会指定上市公司信息披露媒体为准,本公司 不对因上述信息全部或部分内容而引致的盈亏承担任何责任。 2、本公司无法保证该项服务能满足用户的要求,也不担保服务不会受中断,对服务的及时 性、安全性以及出错发生都不作担保。 3、本公司提供的任何信息仅供投资者参考,不作为投资决策的依据,本公司不对投资者依 据上述信息进行投资决策所产生的收益和损失承担任何责任。投资有风险,应谨慎至上。

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