经营分析☆ ◇688711 宏微科技 更新日期：2026-05-23◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
以IGBT、FRD为核心的功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产与销售
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率半导体器件(行业) 13.34亿 98.96 2.24亿 96.04 16.83
其他业务(行业) 1403.89万 1.04 924.95万 3.96 65.88
─────────────────────────────────────────────────
模块（封装）(产品) 10.34亿 76.74 1.65亿 70.50 15.93
单管（封装）(产品) 2.55亿 18.91 4606.22万 19.71 18.07
受托加工业务(产品) 2498.35万 1.85 736.50万 3.15 29.48
芯片(产品) 1952.86万 1.45 626.93万 2.68 32.10
其他业务(产品) 1403.89万 1.04 924.95万 3.96 65.88
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 13.04亿 96.74 2.17亿 93.04 16.68
外销(地区) 2995.51万 2.22 700.83万 3.00 23.40
其他业务(地区) 1403.89万 1.04 924.95万 3.96 65.88
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 12.40亿 92.00 2.28亿 97.67 18.41
经销(销售模式) 9383.04万 6.96 -380.32万 -1.63 -4.05
其他业务(销售模式) 1403.89万 1.04 924.95万 3.96 65.88
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
模块（封装）(产品) 5.02亿 73.83 7107.13万 66.15 14.15
单管（封装）(产品) 1.54亿 22.67 2730.38万 25.41 17.70
芯片(产品) 1169.96万 1.72 496.69万 4.62 42.45
受托加工业务(产品) 1105.42万 1.62 363.85万 3.39 32.91
其他(产品) 102.96万 0.15 45.66万 0.43 44.35
─────────────────────────────────────────────────
国内销售(地区) 6.65亿 97.78 1.03亿 95.75 15.46
出口销售(地区) 1509.26万 2.22 457.14万 4.25 30.29
─────────────────────────────────────────────────
线下销售(销售模式) 6.80亿 100.00 1.07亿 100.00 15.79
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率半导体器件(行业) 13.27亿 99.66 2.04亿 99.67 15.39
其他业务(行业) 454.32万 0.34 67.79万 0.33 14.92
─────────────────────────────────────────────────
模块（封装）(产品) 10.34亿 77.65 1.45亿 70.74 14.02
单管（封装）(产品) 2.46亿 18.48 4364.44万 21.30 17.74
芯片(产品) 2567.43万 1.93 873.64万 4.26 34.03
受托加工业务(产品) 2137.96万 1.61 688.91万 3.36 32.22
其他业务(产品) 454.32万 0.34 67.79万 0.33 14.92
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 13.00亿 97.64 1.96亿 95.79 15.10
外销(地区) 2689.00万 2.02 794.37万 3.88 29.54
其他业务(地区) 454.32万 0.34 67.79万 0.33 14.92
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 12.20亿 91.64 1.97亿 96.17 16.15
经销(销售模式) 1.07亿 8.02 716.01万 3.49 6.71
其他业务(销售模式) 454.32万 0.34 67.79万 0.33 14.92
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
模块(产品) 4.64亿 72.83 6227.60万 62.24 13.43
单管(产品) 1.42亿 22.27 2634.64万 26.33 18.59
芯片(产品) 1409.83万 2.21 279.20万 2.79 19.80
受托加工业务(产品) 1113.19万 1.75 466.17万 4.66 41.88
其他(产品) 594.76万 0.93 398.45万 3.98 66.99
─────────────────────────────────────────────────
国内销售(地区) 6.29亿 98.80 9727.39万 97.21 15.47
出口销售(地区) 764.61万 1.20 278.67万 2.79 36.45
─────────────────────────────────────────────────
线下销售(销售模式) 6.37亿 100.00 1.00亿 100.00 15.72
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售9.48亿元，占营业收入的70.33%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户1 │ 35983.46│ 26.70│
│客户2 │ 25943.12│ 19.25│
│客户3 │ 23739.04│ 17.61│
│客户4 │ 5156.27│ 3.83│
│客户5 │ 3959.40│ 2.94│
│合计 │ 94781.29│ 70.33│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购4.66亿元，占总采购额的48.25%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商1 │ 18549.32│ 19.19│
│供应商2 │ 10789.51│ 11.16│
│供应商3 │ 7962.92│ 8.24│
│供应商4 │ 5251.23│ 5.43│
│供应商5 │ 4085.98│ 4.23│
│合计 │ 46638.96│ 48.25│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-12-31
●发展回顾:
一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
公司是国内功率半导体领域的领军企业，自成立以来，始终专注于以IGBT、FRD、SiC、GaN为核心的功
率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产与销售。依托第三代半导体材料与工艺创新，公司在超微沟
槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术、模块塑封技术等领域形成独特技术壁垒，自主研发的
第七代功率芯片已实现关键性能指标对标国际先进水平。公司产品全面覆盖新能源汽车（电控系统、充电桩
和OBC电源）、新能源发电（光伏逆变器、风能变流器和电能质量管理）、储能、工业控制（变频器、伺服
电机、UPS及各种开关电源等）、家电消费等领域，产品性能与工艺技术处于行业先进水平。
(二)主要经营模式
1、研发模式
公司建立了以客户需求为导向的研发体系，并制定了《项目立项管理办法》《产品质量先期策划控制程
序》《设计和开发控制程序》等研发流程控制文件，研发流程主要包括立项、产品设计与开发、过程设计与
开发、产品试生产、产品量产五个阶段，各个研发项目均由产品质量先期策划（APQP）小组承接项目，每个
阶段均由专门的评审委员会进行评审。为了确保产品设计开发的准确度和可靠性，每个新产品开发都需要经
过计算机仿真验证，通过对新产品的热-电-力多物理场仿真分析，提取关键特性参数，预先发现潜在问题并
加以设计优化。
2、采购模式
（1）采购流程
公司模块产品的原材料主要包括芯片、DBC基板、铜底板、焊料、铝铜线、硅凝胶、外壳和端子等，其
中芯片的采购主要通过自主研发设计并委托芯片代工企业制造加工，极少数特需芯片向英飞凌等国外生产厂
商直接采购；其他材料主要通过选取至少两家合格供应商比价采购的方式。公司采用订单采购的模式，对于
生产中常用的直接物料，由计划部门根据销售订单或销售预测通过ERP系统提交采购请求，由采购部根据供
应商的交货周期进行下单；对于偶然所需的临时物料，由需求部门填写《请购单》提出请购需求，通过公司
OA系统逐层提交至公司管理层审批，通过后由采购部负责统一采购。
（2）供应商管理
公司制定并完善采购管理、供应商管理等相关制度，规范公司的采购与付款行为，明确请购与审批、招
标与询价、供应商选择、合同签订、验收、付款、采购后评估等环节的职责和审批权限，对岗位分离与授权
控制均进行严格的规定，同时，建立采购价格监督机制，针对采购过程中的关键控制点及相关风险定期检查
与评估。公司采取工程物资集中化采购、通用物资战略供应商招标、常规采购一次询比价、二次审核的两级
采购管理机制等措施，有效节约采购成本，降低相关风险。
3、生产模式
公司具备完善的生产运营体系，主要采取“以销定产”的生产模式，由运营办公室综合考虑市场需求、
原材料供应和产能情况制定生产计划，公司产品的生产具体可分为自产模式和委托加工两种模式：
（1）自产模式
公司模块采用自产模式，通过自有生产线对功率半导体芯片进行模块化封装与测试，最终形成功率模块
。公司的模块产品可分为标准品和定制品，公司的标准品主要依据产品电压、电流等规格，设计生产出通用
的不同系列的产品，并向客户销售；定制品主要系公司与客户在技术层面深度合作，设计生产的产品以满足
客户的特殊需求。公司定制化产品分成量产前及正式量产后两个阶段。量产前，公司按客户要求进行生产工
艺设计及样品试制和可靠性测试，公司依据研发过程中投入的原材料、人工成本、测试费等向客户收取技术
服务费；量产后，公司按照设计方案、技术指标要求，组织生产并批量向客户交付产品。
（2）委托加工模式
公司采取Fabless模式（无晶圆厂模式），对于芯片及单管产品生产采用委托加工模式。公司专注于芯
片的研发和设计，将设计好的芯片委托给特定的芯片代工企业制造，公司利用芯片代工企业强大的芯片生产
能力来满足公司单管和模块中的芯片需求，实现产品链的一体化构建。由于国内从事单管产品封装厂家较多
，公司将单管产品的封装与测试环节委托给具备先进封装工艺的公司进行代工。
4、营销模式
公司销售采取以直销为主、经销为辅的方式。在直销模式下，公司通过网络宣传、派出经验丰富的营销
和技术团队进行业务走访、参加国内外各种行业展会和学术交流会议等方式向下游客户介绍公司产品、了解
客户需求、推荐使用方案并展开销售活动；在经销模式下，公司通常与营销能力较强且具备一定专业知识、
行业经验和市场资源的经销商合作，利用经销商的渠道和经验拓展客户资源，扩大市场占有率。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）发展阶段
根据国家统计局发布的《国民经济行业分类（2017年修订）》（GB/T4754-2017），公司所处行业为半
导体分立器件制造。
功率半导体作为能源转换与电路控制的核心器件，深度融入全球“碳中和”战略与智能化浪潮。其下游
应用从传统工业控制、消费电子拓展至新能源汽车、储能、数据中心及人形机器人等新兴领域，技术革新与
场景需求共同推动行业高速发展。以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料逐步替代传统硅基器件，通过工艺
创新（如8英寸晶圆制造、超微沟槽结构）显著提升效率与功率密度，驱动行业向高频化、低损耗方向升级
。新能源汽车高压平台普及加速SiC应用，储能市场中功率器件助力构建新型电力系统，AI算力需求推动高
效电源技术突破。
2025年，全球半导体市场持续扩张，美国半导体行业协会（SIA）数据显示，2025年11月全球半导体销
售额达753亿美元，环比增长3.5%，同比增长29.8%；世界半导体贸易统计组织（WSTS）预计2025年全球半导
体营收将同比增长22.5%至7720亿美元，2026年进一步增长26.3%至9750亿美元。中国作为核心增长引擎，20
25年11月中国大陆销售额环比增长3.9%，同比增长22.9%，预计全年销售额突破1800亿美元，占全球市场份
额约27.8%，凸显市场潜力与国产替代空间。
在此背景下，国产化进程持续深化，通过技术突破与产业链协同，在功率半导体领域加速实现自主可控
，为新能源、高端装备等战略产业提供核心支撑。未来，行业将围绕新材料普及、封装技术迭代及智能化应
用持续演进，市场空间广阔。
（2）基本特点
半导体行业属于技术、人才和资本密集型行业，无论是技术研发、还是产线建设都需要大量的高端人才
和资金投入。公司目前正迎接新能源汽车、新能源发电、5G通讯、数据中心和人形机器人等下游新兴产业带
来的市场机遇，在未来发展和争取市场机遇过程中需要不断引进人才并投入大量的资金，以推动产品研发、
工艺升级、产能扩张和市场推广。
（3）主要技术门槛
自上世纪80年代IGBT工业化应用以来，全球市场长期由英飞凌、三菱电机、富士电机等国际巨头主导，
其产品覆盖600V至6500V全电压区间，通过沟槽栅场阻断结构、微细槽栅结构等技术迭代持续提升性能。制
造工艺方面，深沟槽刻蚀、精准掺杂、超薄片加工等技术形成高壁垒，成为制约产业自主化的关键。尽管国
内企业近年在芯片设计、封装技术及600V-1200V产品系列化方面取得突破，但在高压领域（如3300V以上）
仍依赖进口，整体技术水平与国际先进存在代差。
以SiC、GaN为代表的第三代半导体正重塑行业格局。SiC凭借耐高压、耐高温特性，在新能源汽车800V
平台、储能变流器及数据中心电源中加速渗透，Wolfspeed、意法半导体等企业已实现1200V-3300VSiCMOSFE
T量产，国内厂商通过衬底制备、晶圆制造技术突破，逐步缩小与国际差距。GaN则以高电子迁移率、低导通
电阻及高频性能见长，在消费电子快充、AI服务器电源及机器人驱动系统中展现优势，英飞凌等企业通过30
0mm晶圆工艺优化，推动GaN成本趋近硅基器件。然而，第三代半导体仍面临技术挑战：SiC需解决栅氧可靠
性与动态退化问题，GaN则需突破高温稳定性与大尺寸外延工艺。未来，行业将形成Si、SiC、GaN材料协同
发展的多元化格局，国产厂商通过垂直整合与产业链协同，加速在车规级、工业级市场的国产替代进程。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
在全球功率半导体行业格局中，欧美日企业（如英飞凌、意法半导体、安森美等）凭借技术积累占据主
导地位，而中国作为全球最大消费市场，正加速国产替代进程。公司作为国内功率半导体领域的领军企业，
深耕行业二十余年，通过技术创新与产业链协同，已形成覆盖芯片设计、封装测试、模块集成到应用方案的
垂直一体化全链条能力，形成全电压等级、硅基IGBT/MOSFET/FRD、SiC、GaN器件及功率模块的完整产品线
，在中高端市场实现突破，并在国家重点任务及产业化落地环节加强与上下游伙伴的联动，同时深度参与国
家及行业功率半导体标准制定，牵头参与多项功率半导体器件核心标准编制，推动国产技术规范与国际接轨
，共同推动功率半导体产品的国产化与前沿应用拓展。
公司致力于功率半导体芯片、单管及模块研发、生产与销售，通过技术创新、产品外延等手段不断延伸
产品线，能够满足不同终端客户对产品技术参数和性能的多样性需求，具有一定的市场占有率和较强的品牌
影响力。2023年，公司荣获“国家绿色供应链企业”；2024年，公司获批设立“博士后科研工作站”，荣获
“江苏省小巨人企业”称号及“江苏省智能车间”称号；2025年，公司荣获“国家级专精特新小巨人企业”
称号、“江苏省先进级智能工厂”称号、“国家级绿色工厂”称号、高可靠性活性金属钎焊覆铜陶瓷载板“
江苏省科技进步三等奖”、荣获第十六届亚洲电源技术发展论坛“国产功率器件行业-车规级-卓越奖”；宏
微爱赛650V增强型GaNHEMT产品荣获行家极光奖2025年度优秀产品奖。公司凭借可靠的产品质量和优质的服
务，与众多知名企业客户保持了良好的商业合作关系。同时，依托龙头客户产生的市场效应，公司不断向行
业内其他企业拓展，凭借在技术创新、绿色发展以及高端科研平台建设等方面的卓越成就，进一步巩固了公
司在行业内的领先地位。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
在“双碳”目标指引下，新能源、新能源汽车、储能、高端电源等战略新兴产业加速发展，功率半导体
作为能源转换核心器件，迎来技术迭代与市场扩容的双重机遇。以IGBT为代表的硅基器件仍是当前主流，其
高效节能特性显著提升电力电子装置能效，在光伏逆变器、新能源汽车电控系统中发挥关键作用。随着微细
槽栅结构设计优化及工艺创新，IGBT芯片实现12寸量产突破，反向恢复二极管（FRD）通过软度协调技术提
升极端工况可靠性，推动行业向更高功率密度与更低损耗演进。
以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料正重塑产业格局。SiC凭借高耐压、耐高温特性，在新能源汽车8
00V高压平台、轨道交通及数据中心电源中加速渗透，国内企业通过衬底制备、晶圆制造技术突破，逐步缩
小与国际差距。GaN则以高电子迁移率、低导通电阻及高频性能见长，在消费电子快充、AI服务器电源及机
器人驱动系统中展现优势，300mm晶圆工艺优化推动成本趋近硅基器件。功率半导体行业已形成硅基、SiC、
GaN材料协同发展的多元化生态。硅基器件通过沟槽栅、超薄晶圆等技术持续优化性能，主导中低压市场；S
iC聚焦高压场景，突破栅氧可靠性与动态退化难题；GaN则深耕高频领域，解决高温稳定性与大尺寸外延工
艺瓶颈。未来，随着“双碳”战略深化及智能化浪潮推进，功率半导体在储能、智能电网、人形机器人等新
兴场景的渗透率将持续提升，为全球能源转型与工业升级注入核心动能。
报告期内，公司立足功率半导体核心主业，以“技术协同、产业联动、成果转化”为核心，通过签署战
略合作协议、搭建联合攻关平台等新模式，深度链接产业链上下游优质资源，聚焦前沿领域与关键技术突破
，推动新技术与新产业深度融合，培育新业态，拓展发展新空间。
（1）布局可控核聚变前沿领域，抢占未来能源技术制高点。公司与瀚海聚能签署战略合作协议，双方
聚焦可控核聚变前沿领域，联合攻关聚变装置（重点围绕FRC技术路径）所需高性能、高可靠性功率半导体
开关核心技术。依托公司成熟完备的IGBT产业化积淀，融合瀚海聚能在FRC装置研发领域的创新经验，合力
突破聚变电源系统关键技术瓶颈。本次合作是公司紧扣国家核聚变未来能源战略的前瞻性布局，为搭建自主
可控的聚变产业链筑牢核心器件支撑，助力加快实现“人造太阳”能源愿景。
（2）深化SiC技术协同，推动第三代半导体国产化落地。公司与北京怀柔实验室达成碳化硅技术及成果
转化战略合作，聚焦SiC芯片、器件及模块在国家能源关键领域的落地应用，全力推进第三代功率半导体国
产化、自主化进程。双方计划依托产业转化合资平台，攻坚高压大电流SiC芯片设计、制造工艺、高可靠性
封装等核心关键技术，加速产品在新能源基地、柔性输配电等国家级重大工程中的示范应用，推动前沿技术
创新与规模化量产深度融合，全面提升国产高端功率器件的市场核心竞争力。
（3）聚焦人形机器人等新兴赛道，拓展产业应用新场景。公司携手国内传动领域控制设备与系统集成
龙头企业签订战略合作协议，聚焦电控系统、液压控制系统、伺服系统及人形机器人核心零部件（执行器、
电动缸、控制器）配套功率半导体器件研发，重点围绕GaN产品开展联合研发与技术共创。此次合作具备重
要战略导向意义，将助力公司GaN系列产品快速切入工控、液压、伺服、机器人等优质赛道，深度拓宽新兴
市场版图，精准契合企业长期战略发展规划。
（4）深化制造端协同合作，强化功率半导体主业根基。公司与华虹宏力签署五年期《战略合作谅解备
忘录》，双方聚焦IGBT、FRD等核心产品领域深化协作，通过联合组建研发项目组，集中力量推进技术创新
与平台优化，这一深度合作将直接推动公司IGBT、SiCMOSFET等产品性能对标国际先进水平，为国产功率半
导体器件突破国际技术壁垒提供核心动能。该战略举措显著强化了公司以设计与模块封装为核心的“虚拟ID
M”模式竞争力，既规避了IDM模式（垂直整合制造模式）的资本重负，又通过绑定顶尖代工厂的专项工艺支
持获得类似垂直整合的协同效应。这一制造端战略支点的确立，不仅夯实了公司作为国内功率半导体设计及
模块解决方案龙头的主导地位，更通过技术、产能、成本的多维跃升，为其跻身国际一线功率半导体供应商
梯队提供了可落地的跳板，标志着中国功率半导体产业从单点突破迈向全链条高端化的关键跨越。
二、经营情况讨论与分析
（一）行业景气度回升，业绩实现扭亏为盈
2025年度，公司所处的功率半导体行业景气度回升。全球智算投资持续加码，新能源发电、工业控制、
AI服务器电源等领域对新型电力电子装置的需求加速迭代。
在此背景下，2025年度，公司实现营业收入134770.66万元，同比增长1.23%；归属于上市公司股东净利
润1711.49万元，同比增长218.30%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润874.14万元，同比增
长125.72%。公司把握市场机遇，持续丰富IGBT、MOSFET、FRD及SiC、GaN产品组合，扩大业务外延，丰富客
户结构，根据客户需求提供标准化及定制化的功率器件解决方案，带动了整体盈利能力提升。
2026年度，公司将围绕“提升产品竞争力，打造柔性供应链，巩固质量品牌力，抢占市场制高点”的工
作方针，全面贯彻公司“一体两翼”战略，在巩固现有硅基器件主航道优势的同时，加速渗透SiC和GaN为代
表的第三代半导体高性能功率模块在多场景中的规模化应用，重点布局AIDC、人形机器人、低空经济、核聚
变、智能电网等成长性领域，持续深化技术研发与客户合作，提升产品的核心竞争力，力争在新兴赛道构建
先发优势，为公司的可持续发展蓄力护航。
（二）研发技术不断突破，主要产品持续放量
报告期内，公司聚焦功率半导体核心技术迭代，围绕光伏储能、新能源汽车、工业控制、AI算力、人形
机器人等战略场景，推进IGBT/FRD、SiC、GaN芯片与模块全谱系研发，关键产品完成开发、认证、量产与客
户导入，技术指标对标国际先进水平，全产业链自主可控能力持续强化，为业绩增长与市场拓展提供核心支
撑。
1、芯片产品研发进展
（1）风光储应用的IGBT&FRD芯片：公司的1000V/1200VM7iU系列IGBT和M7dFRD芯片已完成开发和认证，
并实现量产，以上产品已通过HV-H3TRB（高温高湿高压高反偏）可靠性测试，满足风光储领域对器件高可靠
性的要求。针对风电应用场景，重点开发了1700VIGBT&FRD芯片，已经通过了国内主流厂商的整机测试并开
始小批量出货。1200VM7d+FRD新平台完成发布，损耗较M7d平台再优化15%左右，特性可对标行业标杆最新技
术代际水平。
（2）车规级IGBT芯片：公司的车用750VM7i+EDT3芯片完成开发，已通过HV-H3TRB（高温高湿高压高反
偏）可靠性测试，最高结温可达185℃，已通过头部新能源车企完整认证并实现量产，后续将根据不同车型
平台的技术需求进行系列化产品开发。
（3）工控应用的IGBT芯片：公司成功开发集成1200V300AM7i大电流芯片，部分GWB模块已通过工程机械
电动化客户验证。该产品有望成为公司未来在工业控制及重型装备领域的重要业绩增长点。
（4）SiCMOSFET芯片：公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V1
3mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证，第三代SiCMOSFET平台已通过特性及可靠性验证，并已
实现小批量出货，SiC芯片技术矩阵日趋完善。
（5）SiCSBD芯片：公司自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性和
系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品实现批量出货。
（6）GaN芯片：公司自主研发的GaN650V75mohm芯片研制成功，已通过内部可靠性验证流程，正进入客
户导入阶段，现有序安排向多家战略合作客户送样验证。GaN100V平台研发已启动，预计2026年第二季度提
供100V7mohm样品。GaN功率器件的技术实力取得实质性跃升，为拓展AI服务器电源和人形机器人等高增长市
场奠定基础，进一步强化了公司在第三代半导体技术路线的战略竞争力。
未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大研发投入，加速SiC、G
aN器件在战略新兴领域的产业化导入，探索AI服务器电源、智能电网等成长性应用场景，并挖掘先进能源与
新型电力系统等前沿方向的应用潜力，形成从技术积累到成果转化的持续推进。
2、模块产品研发进展
（1）服务器电源SiC模块：公司自主研发的NCBSiC模块成功通过海外主流AI服务器厂商整机认证，并实
现小批量供货。不间断电源（UPS）系统定制的三电平SiC混合模块完成开发，已实现批量供货。
（2）风光储模块：公司的光伏用1000V三电平定制模块开发顺利并大批量交付，储能用650V三电平产品
批量交付。
（3）M7i芯片平台系列化模块：基于自主研制的M7i芯片平台完成系列化功率模块产品的开发，该系列
模块已通过多家行业头部客户的性能测试和认证，技术指标满足风光储等高端应用场景需求，后续将按照计
划启动规模化量产进程。1200V800AGWB模块进入工程机械电动化新赛道。
（4）车规级灌封模块：针对新能源汽车主驱逆变侧和发电侧的不同应用场景，公司相继成功开发了280
-820A/750V灌封模块，均已通过AQG324等相关车规级认证，并通过客户端整车认证，进入大批量生产阶段。
（5）车规级塑封模块：公司的400-800A/750V双面/单面散热塑封模块已批量生产，顺应市场需求，产
能实现翻倍升级，报告期内累计出货170余万只，该塑封模块平台产品对公司2025年新能源汽车主驱逆变模
块的销售增长提供新动力。
（6）EDT3芯片平台车规模块：基于自主研制的EDT3芯片平台，公司成功开发出符合车规级应用的高功
率密度、高可靠性功率模块产品，该系列产品已完成AQG324等车规标准可靠性认证及性能验证流程，并顺利
通过多家头部车企客户的测试和认证审核，部分产品实现批量交付。这标志着公司从芯片设计到模块封装的
全产业链自主可控能力得到头部客户的认可，也为公司进一步拓展新能源汽车主驱市场奠定了坚实基础。
（7）车规级1200VSiC自研模块完成开发，均通过AQG324等车规级认证，并已实现批量供货。
（8）1700V系列化产品：多款产品（75-600A）完成开发，用于高压变频、风电变流器和SVG等多领域，
且产品已通过客户端认证，正在批量供应市场。
（三）研发投入持续加码，核心竞争力稳步增强
2025年，公司持续加大对核心技术的研发投入，并致力于技术产品创新和升级。截至报告期末，公司研
发人员数量为220人，同比增长13.99%，其中硕士、博士合计46人，占研发人员总数的比例为20.91%。2025
年，公司研发投入11535.77万元，占营业收入的比例为8.56%，研发投入同比增长5.10%。截至报告期末，公
司共有专利148项，其中发明专利52项，实用新型专利84项，外观设计专利12项。
（四）品质创优筑根基，卓越追求无止境
2025年，是质量提升之年，公司围绕“提升宏微质量品牌，降低不良质量成本，优化客户质量服务”的
主题，在研发质量、供应商质量、客户质量服务等方面开展了一系列的改善活动，强化质量管理系统建设；
扩大统计过程控制的涵盖项目，对成品测试进行统计良率管控，严控制造过程波动；提高可靠性监控频次和
覆盖面，确保出货产品的高可靠性；加强供应商管理，制定物料质量要求，推行“三化一稳定，严进严出”
理念，对重点物料安排驻厂督造，从源头保障供应链质量。2025年，公司IGBT模块整体良率提升1%，市场端
失效率降低28.20%。公司的整体质量表现获得国内外头部客户的一致认可。
（五）深化战略客户合作，拓宽高端市场布局
公司长期致力于IGBT、FRD、SiC、GaN为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售
，同时为客户提供功率半导体器件及系统的解决方案。2025年，公司依托核心技术优势，在工业控制、新能
源汽车、新能源发电等重点应用领域持续突破与积累，优质客户资源不断夯实。在家用电器领域，公司与头
部家电企业达成战略合作，为其新一代智能空调等提供定制化IGBT模块；在新能源汽车领域，公司与国内头
部车企客户实现项目定点，进一步扩大SiC产品在车载领域的配套份额，有力巩固并提升了公司在第三代半
导体赛道的市场竞争力与行业地位。公司在稳步扩容现有客户订单份额的基础上，持续加大营销力度，积极
开拓新客户及新市场，客户
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