经营分析☆ ◇688498 源杰科技 更新日期：2026-08-01◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
光芯片的研发、设计、生产与销售
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
光芯片(行业) 6.01亿 99.90 3.49亿 99.97 58.15
其他业务(行业) 62.75万 0.10 11.21万 0.03 17.87
─────────────────────────────────────────────────
数据中心类产品(产品) 3.93亿 65.39 2.84亿 81.26 72.21
电信市场类产品(产品) 2.06亿 34.33 6436.46万 18.42 31.17
其他类产品(产品) 107.97万 0.18 102.26万 0.29 94.71
其他业务(产品) 62.75万 0.10 11.21万 0.03 17.87
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 5.99亿 99.58 3.48亿 99.58 58.11
境外(地区) 191.45万 0.32 136.46万 0.39 71.27
其他业务(地区) 62.75万 0.10 11.21万 0.03 17.87
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 5.37亿 89.25 3.28亿 93.86 61.11
经销(销售模式) 6402.91万 10.65 2135.88万 6.11 33.36
其他业务(销售模式) 62.75万 0.10 11.21万 0.03 17.87
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
数据中心类及其他(产品) 1.05亿 51.04 6987.75万 69.87 66.80
电信市场类(产品) 9987.35万 48.73 3012.10万 30.12 30.16
技术服务及其他(产品) 47.57万 0.23 1.35万 0.01 2.84
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 2.05亿 99.88 9984.31万 99.83 48.78
境外(地区) 25.56万 0.12 16.89万 0.17 66.09
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
光芯片(行业) 2.50亿 99.27 8394.17万 99.90 33.53
其他业务(行业) 183.05万 0.73 8.36万 0.10 4.57
─────────────────────────────────────────────────
电信市场类(产品) 2.02亿 80.22 4981.73万 59.29 24.62
数据中心及其他(产品) 4803.83万 19.05 3412.44万 40.61 71.04
其他业务(产品) 183.05万 0.73 8.36万 0.10 4.57
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 2.50亿 99.18 8376.30万 99.69 33.49
其他业务(地区) 183.05万 0.73 8.36万 0.10 4.57
境外(地区) 23.74万 0.09 17.87万 0.21 75.28
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 1.76亿 69.73 6556.52万 78.03 37.28
经销(销售模式) 7449.14万 29.54 1837.65万 21.87 24.67
其他业务(销售模式) 183.05万 0.73 8.36万 0.10 4.57
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
电信市场类(产品) 1.10亿 91.27 3289.02万 81.91 29.99
数据中心类及其他(产品) 922.26万 7.68 715.54万 17.82 77.59
技术服务及其他(产品) 126.98万 1.06 10.73万 0.27 8.45
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 1.20亿 99.84 4001.73万 99.66 33.36
境外(地区) 18.98万 0.16 13.56万 0.34 71.44
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售4.32亿元，占营业收入的71.80%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│第一名 │ 32084.71│ 53.35│
│第二名 │ 3994.84│ 6.64│
│第三名 │ 2758.09│ 4.59│
│第四名 │ 2233.20│ 3.71│
│第五名 │ 2114.84│ 3.52│
│合计 │ 43185.68│ 71.80│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购0.83亿元，占总采购额的48.09%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│第一名 │ 2069.32│ 11.97│
│第二名 │ 1727.31│ 9.99│
│第三名 │ 1606.96│ 9.30│
│第四名 │ 1555.50│ 9.00│
│第五名 │ 1352.55│ 7.83│
│合计 │ 8311.64│ 48.09│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-12-31
●发展回顾:
一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，目前公司的主要产品为光芯片
，主要应用于电信市场、数据中心市场、车载激光雷达市场等领域。其中电信市场可以分为光纤接入、移动
通信网络。在光通信领域中，公司主要产品包括2.5G、10G、25G、50G、100G、200G以及更高速率的DFB、EM
L激光器系列产品和50mW、70mW、100mW等大功率硅光光源产品，主要应用于光纤接入、4G/5G移动通信网络
和数据中心等领域。在车载激光雷达领域，公司产品涵盖1550波段车载激光雷达激光器芯片等产品。
经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的IDM全流程业
务体系，拥有多条覆盖MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试
、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。
通过持续的研发投入构建差异化竞争优势，公司从电信市场收入为主的光芯片供应商，逐步发展成为国
内领先的“电信市场+数通市场”协同拓展的光芯片供应商。公司将继续深耕光芯片行业，致力成为国际一
流光电半导体芯片和技术服务供应商。
(二)主要经营模式
1、销售模式
公司采取以直销为主、经销为辅的销售模式，设立市场与销售部负责开发客户、产品推广以及维护客户
关系。市场与销售部根据客户需求情况制定销售计划，将接收到的订单需求反馈给生产与运营部，协调产品
研发、生产、交付、质量等服务工作，同时承担跟单、售后、技术支持等工作。
新产品及客户导入方面，由于光芯片产品设计参数、性能指标多，公司市场与销售部根据客户需求先与
其进行深度技术交流，研发中心在此基础上进行产品设计、材料选型、样品生产等工作，然后在厂内进行样
品性能测试、可靠性测试，并将样品送至客户处进行综合测试。测试通过后，客户会小批量下单采购，并在
多批次生产合格后，转入批量采购。公司的成熟产品主要通过展会、现有客户推荐、销售经理开发等方式寻
求新客户。
2、采购模式
每月月末，采购部根据生产与运营部提报的次月生产计划及安全库存数据，制定配套的生产原物料采购
计划（含需求预测）。采购员依据该计划向合格供应商下达采购订单（PO），明确技术规格、交货周期及相
关合作条款；同时通过搭建供应商管理库存（VMI）机制，保障关键物料供应稳定。
进料检验工作由IQC部门负责，该部门严格依据可接受质量水平（AQL）标准开展检验，并运用统计过程
控制（SPC）方法监控物料关键质量特性，最终出具的检验分析报告（COA），是物料入库放行的核心依据。
物料到货后，由仓管科核对到货单与采购订单的物料数量；财务部负责执行采购款项的最终结算工作。
研发、厂务、行政等非生产部门，需结合公司经营需求制定各自采购计划，提前提交采购部审核，审核
通过后由采购部统一组织采购。
在供应商管理层面，公司已建立健全的供应商认证及全生命周期管理流程：对新供应商开展资质评估与
实地考察，对其提供的样品进行严格验证，通过评审的供应商纳入《合格供方名单》。同时，公司对供应商
实施动态绩效考核与分级管理，按需推进物料替代方案管理及供应商稽核工作，确保采购质量符合ISO9001/
14001体系要求，采购活动全面达成质量、成本、交付、服务、环保（QCDS）综合目标。
3、生产模式
公司生产激光器芯片属于IDM模式，掌握芯片设计、晶圆外延等光芯片制造的核心技术，拥有覆盖芯片
设计、晶圆制造、芯片加工和测试等自主生产的能力，公司的IDM模式能够缩短产品开发周期，实现光芯片
制造的自主可控，快速响应客户并高效提供相应解决方案，能够迅速地应对动态市场需求。
公司生产以市场需求为导向，生产与运营部根据客户订单协调相关部门制定生产计划。公司根据年度销
售策略进行产能评估，提前适当备货以应对需求高峰，保持库存的适度水平，减轻生产压力。
4、研发模式
公司研发以行业发展、应用需求及研发项目为基础，新产品研发流程以研发中心《设计和开发控制程序
》体系进行管理，从立项开始先后经历6个阶段，主要包括：立项、设计输入输出、工程验证测试（EVT）、
设计验证测试（DVT）、研发转生产培训考核、批量过程验证测试优化（PVT）等阶段，各阶段要求满足后进
入下一阶段，具体如下：
（1）立项阶段
市场与销售部根据客户及市场需求，提出新项目立项申请，填写《项目研发建议书》，并提交市场与销
售部、研发中心及总经理共同评审。项目评审通过后，指定项目负责人制作项目可行性分析，包括项目方案
概况列举、项目预算、研发过程风险预估与对应措施，确定参与人员、明确客户指标需求等。
（2）设计输入输出阶段
项目负责人根据立项阶段资料，制作设计开发阶段指导文件及流程，包括产品技术参数、工艺指导文件
、结构设计、工艺流程设计、环保分析、研发过程失效分析及对应的控制措施等。
（3）工程验证测试阶段（EVT）
研发中心根据《设计和开发控制程序》要求进行投片，参照设计输入输出阶段工艺指导文件与流程进行
样品试制，在试制结束后对客户需求指标进行测试分析。此阶段针对产品特性与工艺生产异常关闭率进行评
审。第一轮样品试制若无法满足客户需求，研发项目团队总结样品试制过程中的问题，进行分析、提出设计
更改并重新输出对应指导文件，获得批准后进行下轮样品试制，直到满足客户需求后可转入下一阶段。
（4）设计验证测试阶段（DVT）
研发中心根据投片数量进行设计验证测试，对客户需求指标进行测试并分析。此阶段针对产品稳定性与
异常关闭率进行评审。设计验证测试结束若无法满足客户需求，研发项目团队总结生产过程中的问题，进行
分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，从上一阶段的工程验证测试（EVT）开始开发，直到满足客
户需求并通过验证。
（5）研发转生产培训考核
阶段研发转生产培训考核阶段，研发中心提供给生产与运营部相关资料，包括输出工艺标准指导书、工
单、参数对照表、质检标准、标准工时统计表、试生产任务单等，并根据需求对生产线相应的人员进行培训
与考核，通过评审后方可转入下个阶段。
（6）批量过程验证测试优化阶段（PVT）
批量过程验证测试优化阶段（PVT），生产与运营部接收研发转生产阶段文件后，评估产线产能、管理
投入设备并分析人员、安全和环境等因素，确认具备量产能力后，制定并组织实施生产计划，投入资源进行
批量验证与测试。在批量生产过程中，研发项目团队总结生产过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重
新输出对应指导文件，直到达到预期目标并通过验证。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
(1)行业的发展阶段及基本特点
随着全球信息互联规模不断扩大，人工智能等技术的兴起，光电信息技术正在被进一步广泛应用。在这
种趋势下，光芯片的下游应用场景不断扩展，需求量不断增加，同时对光芯片的速率、功率、传输距离也提
出更高的要求。目前在电信市场、数据中心市场，光芯片都得到了较为广泛的应用，其中电信市场又可以细
分为光纤接入和移动通信两个细分领域。
电信市场：5G、千兆光纤网络等新型基础设施建设进一步完善。在光纤接入市场：截至2025年底，三家
基础电信企业的固定互联网宽带接入用户总数达6.91亿户，全年净增2,099万户。1000Mbps及以上接入速率
的用户为2.38亿户，全年净增3,157万户，占总用户数的34.5%，占比较上年末提高3.6个百分点。截至2025
年底，固定互联网宽带接入端口数达到12.51亿个，比上年末净增4,877万个。其中，光纤接入（FTTH/O）端
口达到12.1亿个，比上年末净增5,030万个，占比由上年末的96.5%提升至96.8%。截至2025年底，具备千兆
网络服务能力的10GPON端口数达3,162万个，比上年末净增341.9万个。在无线通信领域，5G网络建设覆盖持
续深化。截至2025年底，全国移动电话基站总数达1,287万个，比上年末净增22.7万个。其中，4G基站为719
.2万个，比上年末净增8万个。5G基站为483.8万个，比上年末净增58.8万个，5G基站占移动电话基站总数达
37.6%，占比较上年末提升4个百分点。其中，具备5GRedCap接入能力的基站数达206.4万个，占5G基站的42.
7%。随着无线和光纤接入部署逐步进入成熟期，下一代技术逐步开始布局。光纤接入领域开始向“万兆”加
速。作为ITU-T定义的下一代PON技术，50GPON比10GPON带宽提升了5倍、时延降低了100倍，具备提供确定性
业务体验的能力。万兆光网试点逐步落地，拉动了50GPON的市场需求。同时，由于5G-A在网络速度、延迟、
连接数等方面实现显著提升，引入了通感一体、无源物联、内生智能等全新的革命性技术，能更好地匹配人
联、物联、车联、高端制造、感知等场景，运营商也逐步推进其商用部署或组网试点。相关技术的成熟与推
广，有望对相关的产业链形成拉动作用。整体来看，电信市场需求具有较强的稳定性和持续性，其建设节奏
会受到技术迭代升级等因素的影响。
数据中心市场：随着AI技术规模化落地、大模型迭代及新兴应用爆发，算力需求指数级攀升，驱动数据
中心高速率光模块需求爆发式增长。2025年后，国内外CSP加速AI基础设施投资，光模块出货量激增同时拉
动光芯片需求。速率方面，2025年1.6T光模块已批量出货，2026年迈入商业化爆发期。算力提升推动业界对
光模块功耗、散热、成本要求更严苛，低功耗、小型化、集成化成为核心发展主线。技术上，硅光技术在高
速率模块中渗透率快速提升，拉动了光芯片领域CW产品的需求增长；CPO、NPO等新型的封装技术持续推进，
成为光互联领域新增量。由于光互联的需求增长，当前光芯片存在短期产能缺口。整体而言，AI是光模块（
光芯片）行业核心驱动力，增长确定性强。
(2)主要技术门槛
面向更高速率、更高功率、更长传输距离需求的光芯片，其技术研发与工艺设计面临着极高的开发难度
和行业门槛。首先，随着市场对光芯片性能需求的持续提升，芯片结构设计的精度要求已达到极高标准，其
技术研发与工艺开发需深度融合高速射频电路与电子学、微波导光学、半导体量子力学、半导体材料学等多
个前沿学科，通过多维度技术协同，设计出兼具精度与尺寸要求的芯片结构，任何单一学科技术的短板都将
制约研发进程。其次，生产工艺的高稳定性与高成熟度门槛。激光器芯片的生产流程极为复杂，需历经几十
至几百道精密工序，每一道工序的参数偏差、操作误差都将直接影响产品最终的光电性能与长期可靠性，这
就对生产线的工艺成熟度、流程稳定性以及过程管控能力提出了严苛要求，需实现全流程的精准把控，门槛
显著高于普通半导体器件。此外，高速率产品的关键结构开发壁垒尤为突出。相较于中低速率光芯片，高速
率激光器芯片需在量子阱有源区、光栅层结构区、模斑转化器区域、光波导结构区、电流限制结构区、高频
电极结构、谐振腔反射膜等多个关键结构的设计与开发中，综合平衡光电特性、产品可靠性与制备工艺可行
性等相互制约的核心因素，既要保障各结构的独立性能达标，又要实现整体协同适配，进一步提升了技术开
发的难度与行业壁垒。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的IDM全流程业
务体系，拥有多条覆盖MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试
、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。通过研发、市场、服务、产品等多个维度的
协同发展，公司已经获得国内客户的认可，并从电信市场收入为主的光芯片供应商，逐步发展国内领先的“
电信市场+数通市场”协同拓展的光芯片供应商。公司将继续深耕光芯片行业，致力成为国际一流光电半导
体芯片和技术服务供应商。
在电信市场中，目前所需的2.5G、10G激光器芯片市场国产化程度较高，但不同波段产品应用场景不同
，工艺难度差异大，公司凭借长期技术积累实现激光器光源发散角更小、抗反射光能力更强等差异化特性，
为光模块厂商提供全波段、多品类产品，同时提供更低成本的集成方案，实现差异化竞争；25G/50GPON接入
网对光芯片的要求也将进一步提升，大功率、低色散、高速调制的场景需求提升了光芯片的技术门槛，公司
已开发相应的集成技术与光放大器集成技术平台，适配高速接入网的需求，使公司能够快速满足下游客户25
G/50GPON的需求，研发出满足客户需求的光芯片产品，在下一代高速PON需求迭代过程中确保行业地位。
在数据中心市场中，尤其是以人工智能为代表的应用拉动了400G/800G、1.6T或以上高速光模块的需求
增加，进而带动了高速率、大功率的芯片需求，比如主要为100GPAM4EML光芯片、70mW、100mW大功率激光器
等。目前数据中心市场仍以海外供应商为主。公司基于多年在光芯片领域的研发和生产积累，已推出相应的
高速EML、大功率激光器产品，无论是单波或是多波长的CWDM、LWDM需求，来适配相关的高速光模块的需求
，且性能及可靠性等指标可对标海外同类型产品。目前，公司在AI数据中心市场实现销售突破。尤其是硅光
模块解决方案所需的全系列大功率CW激光器产品，2025年面向高速可插拔硅光模块的CW芯片产品已实现大批
量的出货，奠定了公司在该领域较为领先的行业地位。同时，人工智能的发展导致数据中心领域光互联的技
术迭代较快，更高速率、不同封装方式的需求均在快速发展，公司目前在数据中心领域实现了光芯片大批量
出货的基础，相关技术、商务、产能储备处于行业领先地位，这些因素将有助于公司把握新一代的需求，巩
固行业地位。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
（1）硅光技术已成为算力场景降本增效的核心方案，渗透率持续加速提升
降本、降功耗、增效仍是全球算力发展的核心诉求，尤其随着AI大模型向万亿参数级迭代，算力需求爆
发式增长，直接推动光模块速率与数量需求激增，进一步凸显硅光技术的核心优势，客户接受度已实现实质
性提升，成为行业主流选择之一。硅光子技术基于硅和硅基衬底材料，依托现有CMOS工艺实现光器件的开发
与集成，契合光模块规模化、低成本生产需求，适配AI数据中心短距高带宽场景的核心需求，相较于传统方
案可实现功耗降低与更高的集成度。从当前渗透率来看，硅光方案在400G/800G/1.6T光模块中已形成规模化
应用，且头部厂商硅光方案占比持续提升。在硅光方案中，CW激光器芯片作为外置核心光源，硅基芯片承担
速率调制功能。未来，CW大功率激光器芯片的性能要求进一步提高，需同时具备更大功率、高耦合效率、宽
工作温度的核心指标。
（2）关注CPO、NPO等新技术的演进
随着单通道速率提升，电链路距离越长损耗越大，需要将光引擎更靠近交换芯片。因此，CPO/NPO等新
一代封装技术缩短了交换芯片和光引擎之间的距离，从而帮助电信号在芯片和引擎之间更快地传输，减少尺
寸，提高效率，降低功耗。从技术路径来看，以CPO交换机为例，其中CW光源单颗价值量与功率需求均持续
提升，进一步带动大功率CW激光器芯片需求增长。在应用场景上看，CPO/NPO在柜内的应用，也将带来新的
需求增长。但目前CPO/NPO仍面临成本、解耦程度低、产业不成熟等问题，仍需产业链上下游协同发力突破
。
（3）光芯片下游应用市场不断拓展
光芯片的应用领域正在不断拓展。在传感领域，如环境监测、气体检测，光芯片被用作传感器，能够检
测光信号并转换为电信号，用于数据采集和分析。在汽车领域，随着传统乘用车的电动化、智能化发展，高
级别的辅助驾驶技术逐步普及，核心传感器件激光雷达的应用规模将会增大。基于砷化镓（GaAs）和磷化铟
（InP）的光芯片作为激光雷达的核心部件，其未来的市场需求将会不断增加。
二、经营情况讨论与分析
1、主要经营情况
2025年，公司实现营业收入60,143.45万元，同比增加138.50%；实现归属于上市公司股东的净利润19,0
92.40万元，同比扭亏为盈。公司的电信市场业务实现收入20,646.96万元，较上年同期增加2.06%。公司的
数据中心业务实现收入39,325.78万元，较上年同期上升719.06%。
报告期内，电信市场业务基本保持平稳，公司进一步优化产品结构，在原有2.5G、10GDFB光芯片的基础
上，加大10GEML产品的客户推广。面向下一代25/50GPON网络的光芯片产品实现批量交付并形成了规模收入
，产品技术指标对标国际厂商。电信市场中，EML产品已经成为重要的收入组成部分之一。
报告期内，在人工智能技术发展持续拉动光芯片需求增长的背景下，公司基于技术积累和产品性能，优
化资源配置，提升资源投入效率和经营质量，数据中心领域销售额实现大幅度增长，收入占比超过50%，成
为公司重要的收入来源。主要产品是硅光方案所需的大功率CW激光器芯片。该芯片要求同时具备大功率、高
耦合效率、宽工作温度的性能指标，对激光器芯片无论从设计、生产制造工艺以及测试稳定性提出更高要求
。公司基于多年在DFB激光器领域“设计+工艺+测试”的深度积累，针对高速光模块需求，CW70mW激光器芯
片批量出货，该产品是数据中心业务的主要产品。同时，在市场端加强了商务拓展，逐步进入更广泛的客户
供应链。
报告期内，数据中心产品毛利率水平高于电信市场，上述因素推动公司收入及利润实现增长。电信业务
板块经营情况基本保持稳定。
整体来看，公司在持续深耕电信市场的基础上，积极把握AI发展带来的数据中心市场机遇，加速完成“
电信+数通”双轮驱动的高端光芯片解决方案供应商的转型。
2、技术与研发情况
电信市场领域，对原有的2.5G、10G的DFB、EML产品持续加强生产过程管控，借以提升产品的良率和稳
定性。随着无线和10GPON光纤接入部署逐步进入成熟期，行业需求增长放缓。公司在此背景下，积极配合海
内外设备商提前布局下一代25G/50GPON所需DFB/EML产品，此应用需根据不同的上下行要求对应不同芯片规
格，公司具备和客户一同推进方案开发的先发优势，在良好的产品匹配度下，已实现批量发货，为把握未来
电信市场增长机遇奠定了坚实的基础。
数据中心领域，随着人工智能的快速发展，光模块正加速向高速率演进，逐步从400G/800G向1.6T等更
高速率发展。报告期内，公司的CW70mW激光器产品实现大批量交付，并逐步优化工艺水平。该产品采用非制
冷设计，具备高功率输出和低功耗特性，适用于数据中心高速场景，成为公司新的增长极。公司推出的CW10
0mW激光器产品，在同样具备高可靠性的前提下，报告期内也实现批量交付。2025年，公司在可插拔的硅光
光模块领域，以70mW的光源需求为主。公司的高速EML产品，在100GPAM4EML产品完成客户验证的基础上，更
高速率的200GPAM4EML产品也开始推进客户验证。
与此同时，CPO/NPO等新型封装技术通过高度集成实现了更高的带宽密度和更低的功耗，被视为1.6T及
以上速率的解决方案之一。公司瞄准这一机遇，研发了300mW等更高功率的CW光源，目前正在进一步了解客
户需求来完善产品的相关研发工作。针对OIO领域的CW光芯片需求，公司已开展相关预研工作。
3、人才建设情况
人才是公司的核心，公司持续推进人才队伍建设，在业务拓展的同时，注重人才引进和培养。公司通过
校园招聘、社会招聘、内部推荐及晋升等多种渠道，积极引进行业资深人员与优秀毕业生，2025年度员工人
数稳步增长，为市场拓展和业绩提升提供了有力保障。同时，公司致力于为员工提供公平、公正的竞争环境
与可持续发展平台，重视现有员工的培训与能力提升，加强专业技能和综合素质培养，结合内部晋升机制，
为优秀、高潜员工提供成长通道，持续优化人才结构，以适应公司业务发展需要。通过持续的人才储备，为
公司长期发展巩固基础。
4、生产制造方面
公司采用全流程自有工艺进行激光器芯片制造，涵盖外延生长、光刻、刻蚀、薄膜沉积、测试等关键步
骤。公司在生产制造方面着力于产能的提升和自动化的升级改造。为满足光通信高速增长的市场需求，2025
年，公司持续增加晶圆工艺、芯片工艺设备的采购，扩大产能。依托人工智能的高速发展，随着公司规模扩
大及单一产品产量稳定，为自动化生产线搭建提供前提条件。报告期内，公司持续推进设备升级，制程优化
，提升生产效率；持续加大自动化生产和智能制造系统的投入，优化工艺参数，以提高良率，并降低生产成
本。公司联合设备厂家开展生产设备自动化定制化开发，攻克设备协议接口统一、不同厂家设备信号统一等
技术难点，有效提升了自动化水平，并有效降低了因人员操作差异、设备状态波动导致的质量波动，从而保
障了产品的一致性。同时，公司强化关键原材料、关键设备的采购管理，加强与上游供应商的合作，降低供
应链风险，并进一步完善全球的产能布局。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1、技术积累与研发优势
公司是光芯片领域的高新技术企业。光芯片行业具有较高的技术壁垒，产品的迭代更新需要深厚的芯片
设计经验和制造工艺经验，迭代过程中需要对芯片结构、材料特性、制造工艺、生产设备等开展大量创新性
的工作，才能够保证良好的产品特性及可靠性。公司自成立以来一直致力于光芯片的研发、设计、生产与销
售，自主打造晶圆生产线，购置配套专业生产设备，培养专业人才，经过长期研发投入积累一系列核心技术
。同时，公司持续增加研发投入，在现有研发积累的基础上，通过扩大升级研发实验室、材料科学实验室，
优化研发环境及引进一批先进的研发、生产、检测设备和专业技术人才，提升整体研发能力。公司以市场发
展的趋势为导向，及时调整原产品迭代升级与新产品的技术预研方向，使产品持续跟随市场发展趋势。
在研发管理方面，公司将不断完善研发激励机制，对在产品的技术研发、参数改进、专利申请等方面做
出贡献的技术研发人员均给予相应的奖励，激发技术研发人员的工作热情。公司建立了多层次的研发体系，
培养了大批基础扎实、技术一流的芯片设计及制造的工程技术人员，同时不断吸纳高质量人才的加入，不断
提升技术团队的自主创新能力和技术水平。
2、客户资源优势
公司的光芯片产品的特性、可靠性、批量供货能力经过了下游客户的长期验证，得到了客户的高度认可
。公司已在市场上树立了质量可靠、服务完善的良好品牌形象，同时也在国内外市场开拓了众多的直接或间
接优质客户。光芯片产品在下游客户的导入需经过较长的验证过程，公司率先进入了国内外客户的供应体系
，建立了较高的客户资源壁垒，为公司的持续发展建立了良好的市场基础。
3、产品结构优势
公司产品广泛应用于光纤接入、移动通信、数据中心、车载激光雷达等领域。下游不同场景、不同客户
对光芯片产品的性能指标有诸多差异化需求。公司目前产品包括2.5G、10G、25G、50G、100G、200G光芯片
产品、CW光源、车载激光雷达光源等产品，多元化的产品体系可以发掘更多市场需求，更好的满足客户需求
，打开更广阔的市场空间。
4、人才团队优势
公司以顶尖人才引领技术突破，以智能制造保障质量稳定，以全球视野定义行业标准，经过在光芯片行
业的多年深耕，已培养一批与公司高度粘合、拥有丰富技术开发经验的精英团队，拥有深厚的理论基础和技
术储备，持续攻坚克难，不断实现技术创新与突破。同时，公司选派优秀工程师赴美国、德国等进行技术交
流，让员工在新鲜挑战中加速职业成长。
同时，为确保技术攻关与稳定生产的双重能力，公司不断加大投入自动化生产线，培养骨干工人转型为
操控、维护智能设备的“新工匠”，不断提升效率，提升产能，最终实现“技术领先-质量可靠-交付高效”
的良性循环。
5、生产制造优势
公司十年来积累了丰富的生产管理经验、较强的产品质量控制能力，并形成了一定的产业规模，在生产
方面具有一定的技术先发优势与规模优势。在先进的外延生长与芯片制造方面，公司具备高精度的外延工艺
、光刻工艺、刻蚀工艺，确保芯片性能。在自动化生产方面，为了进一步满足国内外大客户的需求，公司进
一步优化了智能制造系统，加强了产线的自动化水平，提升生产效率，确保产品品质的稳定性。在规模化制
造与成本控制方面，公司生产设备已具备大功率激光器、DFB激光器、EML激光器等产品的生产制造能力，并
且多数设备可以实现不同产品生产制造即时切换，实现互相备份，充分保证和响应客户的不同需求生产交付
，并优化生产材料供应体系，确保长期供应，降低原材料波动带来的影响。在先进封装与测试方面，公司具
备全自动化封装与测试生产线，提升产品一致性和交付能力。同时公司的全球化产能布局，有利于减少外部
因素对产品交付的潜在影响。
(三)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
（1）核心技术的情况
经过多年研发与产业化积累，公司形成了“掩埋型激光器芯片制造平台”“脊波导型激光器芯片制造平
台”“光放大器集成芯片制造平台”“高速调制激光器芯片技术”“异质化合物半导体材料对接生长技术”
“小发散角技术”“集成式光芯片高可靠性技术”“大功率激光器高可靠性技术”“高速激光器芯片的封装
技术”等技术。
（2）核心技术的先进性
1）高速调制激光器芯片技术，实现高速激光器芯片的规模化生产
移动通信网络与数据中心数据高速传输的需求，要求激光器芯片调制速率提升至25G及以上。高速调制
激光器的开发难点在于对有源区量子阱进行高速应用设计、纳米级精度的外延生长技术与高速芯片谐振腔的
设计。
公司高速调制激光器芯片技术完成以下难点开发：①通过理论计算，建立结构模型，进行高度专业化仿
真，以完成高速芯片结构设计，有效减少试错成本与开发周期；②有源区晶圆外延工艺参数匹配调试；③高
速应用之相移光栅工艺条件开发验证；④各项高速验证指标评测系统搭建。公司凭借该项技术，在保证产品
可靠性的同时，解决高速晶圆外延精度问题、芯片高温环境运行可靠性、寄生电容限制芯片高速特性等技术
难题，突破了高速激光器芯片产品的技术瓶颈，有助于实现25G、50GPAM4DFB激光器芯片的规模化、高质量
、低成本的生产制造。2020年，公司凭借25GMWDM12波段DFB激光器芯片，成为满足中国移动相关5G建设方案
批量供货的厂商。
2）电吸收调制器集成技术，实现100G/200GPAM4EML激光器芯片的海外技术领先
目前国际先进的100GPAM4EML激光器芯片采用电吸收调制器集成技术，其将DFB激光器芯片技术与电吸收
调制器芯片技术进行集成，以此突破高速瓶颈。电吸收调制器集成技术的开发难点在于，集成大功率DFB激
光器芯片和高速调制器于同一芯片，在不同区域分别实现发射光源和高速调制的功能。如集成设计及生产过
程不合宜，会导致对接介面缺陷、晶向失配等材料缺陷问题，影响产品的可靠性。在此基础上，公司迭代开
发出200GPAM4EML产品，成果展示于2025年OFC研讨会上，成为国际少数在此产品技术领先的光芯片制造商。
公司电吸收调制器集成技术完成以下技术突破：①分别设计发射光源区与调制区的晶圆量子阱结构，实
现功能独离优化；②光波导光路计算与仿真；③异质波导有源区外延工艺技术开发；④芯片高频寄生电容优
化；⑤大功率发射光源与高速调制器低损耗对接技术。公司凭借该技术，设计定型了100G/200GPAM4EML激光
器芯片，打破海外领先光芯片企业垄断的局面，实现海外技术领先，为公司长期发展提供技术保障。
3）异质化合物半导体材料对接生长技术，实现高温、大电流工作环境中高速激光器芯片产品的高可靠
性
速率要求达到10G及以上的激光器芯片制程中，量子阱发光区一般使用铝铟镓砷（AlInGaAs）等复合化
合物半导体材料，因该材料在空气中易氧化，导致芯片在高温工作环境中快速裂化失效，极大限制终端室外
通信设备的可靠性。
公司异质化合物半导体材料对接生长技术完成以下难点开发：①异质化合物半导体材料光波导设计与仿
真；②异质化合物半导体材料对接生长晶圆外延工艺参数匹配调试；公司利用较稳定的化合物半导体材料进
行异质半导体材料对接生长，降低半导体材料在制程时曝露空气产生缺陷的概率，从根本上解决可靠性劣化
问题。公司该项技术开发难度极高，提供了产品劣化解决方案，实现高速率激光器芯片的高可靠性，使得产
品成功用于国内外大型通信设备商，并最终应用于中国移动、中国联通、中国电信等国内外知名运营商网络
中。
4）非气密环境下光芯片设计与制造技术，实现客户拓展至数据中心市场
数据中心的应用场景中，客户持续降低成本的需求，促使光模块厂商采用非气密设计。该设计方案下，
光芯片易受到水和氧气侵蚀，导致性能失效，因此，对光芯片高温高湿耐受能力要求极高。非气密环境下光
芯片设计与制造技术开发难点在于高温高湿环境失效机理研究、钝化膜材料选择、集成工艺等。
公司非气密应用芯片结构技术完成以下技术突破：①抵抗高温、高湿的光学镀膜材料和设计方案；②多
种材料的实验与理论验证；③激光器芯片的高温高湿环境模拟与测试系统；④多层光学膜与钝化膜的设计与
集成制造。公司凭借该项技术，实现高速激光器芯片在高温、高湿环境下的长期可靠工作，成功实现向大型
数据中心客户的批量供货，将产品的应用场景延伸至数据中心。
5）相移光栅技术，实现非周期光栅制作
光通信要求光信号在传输过程中不失真，因此激光器芯片的信噪比指标非常重要。信噪比代表主信号与
背景噪声的比值，信噪比越大代表主信号占优势，能顺利将信息传递而不受噪声干扰。相移光栅技术是改善
激光器芯片信噪比的重要技术，相移光栅具备优异的单模光输出性能（光的单色性、光的纯度），能够提升
主信号的比值，减小噪声的影响。该技术近年来被大量应用于高端高速光芯片，已成为行业中高度认可的制
造高速激光器芯片必须技术之一。传统的光栅技术通过全息系统实现，但仅能够制作等周期间距的光栅，无
法制作特殊非等周期的光栅结构。相移光栅技术的开发难点在于光栅相移量的理论设计非常繁杂，涉及光和
电的综合知识，此外搭建相移光栅制作系统需花费大量的开发时间与资金成本。
公司相移光栅技术完成以下难点开发：①建立理论模型，进行高度专业化仿真，完成10G/25G/50G芯片
光栅设计；②电子束光栅设备的投资与操作技术开发；③相移光栅工艺条件开发验证；实现制作特殊相移光
栅技术。公司将该技术成功应用于所有激光器芯片中，大幅提升了产品良率与性能指标。
6）大功率激光器芯片技术，开发下一代高速光模块用大功率激光器芯片
高速数据中心市场中，800G、1.6T及更高速率光模块代表行业最先进的技术，其要求使用的激光器芯片
直调速率达到100G及以上，已成为直调激光器芯片设计与制作的极限。硅光子集成技术成为400G、800G、1.
6T及更高速率光模块的解决方案，其要求激光器芯片发射光源耦合到硅基材料的波导中，但存在不同材料间
光源的耦合效率低、光传输损耗较大的问题。大功率激光器芯片技术能够实现产品的高光功率输出，弥补光
传输损耗问题，其开发难点在于有源区的量子阱设计、外延生长技术及芯片谐振腔几何结构的设计等。
公司大功率激光器芯片技术完成以下难点开发：①结构设计与理论仿真；②晶圆外延工艺和光波导设计
；③光栅设计与制造；④大功率芯片测试与可靠性评估系统。公司凭借该项技术，在保证产品可靠性的同时
，解决光功率在高温下饱和的问题，成功实现50mW/70mW/100mW大功率激光器芯片的开发。目前，主要为海
外头部光芯片厂商能够提供相关产品，公司将该技术应用于大功率激光器芯片的开发，为行业内下一代高速
光模块的新兴技术提供稳定与高性能的激光器芯片。
7）小发散角技术，降低封装成本并减少进口依赖
光通信系统中，激光器芯片发射出的光信号需耦合到光纤中，才能真正用于通信传输，因此芯片发光耦
合到光纤的效率为下游模块厂商关注的重点。为提升耦合效率，传统耦合方案中下游模块厂商常采用昂贵的
进口耦合透镜，与激光器芯片进行光模块的封装生产。小发散角技术可以整形激光器芯片发射的光斑，使得
芯片输出的光信号更易耦合至光纤中，从而使得模块厂商采用国产普通耦合透镜，就可封装出高性能的产品
，有效提升了耦合效率，降低了生产成本。
公司小发散角技术完成以下难点开发：①光斑转换器（SSC）光波导设计与仿真；②光斑转换器光波导
工艺制作与开发。公司凭借该技术，以光在波导的传输行为理论为基础，开发出于有源区以外的光斑转换器
结构制作技术，在不牺牲芯片性能前提下实现小发散角的功能。公司将该技术应用于各类激光器芯片中，在
同类产品实现了差异化竞争，并降低模块厂商对进口组件的依赖，有助于解决大规模光网络部署的供应链安
全及成本问题。
8）抗反射技术，降低封装成本并减少进口依赖
光信号在光通信系统传递过程中，如遇到不同段光纤之间的接口或连结器件，容易形成光反射并沿光纤
返回激光器芯片，产生相干效应，引起同调性下降、光路信号噪音崩溃等问题，影响激光器芯片的性能。传
统解决方案为在光模块中的激光器与光纤接口间额外增加光隔离器，过滤反射光并仅让正向传输的光信号通
过，避免反射光对激光器芯片的影响。光隔离器的核心器件常采用进口的法拉第旋光片，增加了光模块的尺
寸及封装厂的封装难度和成本，也形成了对进口组件的依赖。
公司抗反射技术完成以下技术突破：①抗反射光损耗波导设计与仿真；②反射光损耗波导外延工艺制作
与开发；③芯片级反射光测评系统搭建与开发。公司凭借该技术，成功开发出有源区出光端集成反射光损耗
波导结构制作技术，将隔离器功能集成于芯片结构中，实现激光器芯片对系统造成的反射光不再敏感。下游
模块厂商在使用公司这类芯片进行模块生产时，可以减少使用昂贵的进口隔离器，降低了封装成本，以及对
进口器件的依赖。
9）掩埋型激光器芯片制造平台，实现高电光转化效率产品的制造
光纤接入应用的大功率2.5G激光器芯片、数据中心应用的大功率激光器芯片，均要求激光器芯片的高光
功率、低电功耗，掩埋型结构的激光器芯片相较于脊波导型激光器芯片具有更高电光转化效率。掩埋型结构
开发难点在于晶圆外延与晶圆刻蚀的工艺技术开发，需开发者具备成熟与高精度的制造工艺水平。
公司经过多年生产经验积累及工艺打磨，开发了掩埋型激光器芯片制造平台，积累的主要技术及生产工
艺包括：①晶圆的量子阱外延技术；②晶圆的电流阻挡层外延技术；③晶圆的台阶刻蚀技术；④晶圆的低缺
陷多次外延技术；⑤完整的可靠性验证与测试。公司凭借此平台制造的大功率2.5G激光器芯片是公司的主要
产品之一，采用该平台成功开发的70mW/100mW大功率激光器芯片也将成为满足目前硅光应用趋势的产品。
10）脊波导型激光器芯片制造平台，实现高速率产品的制造
目前10G、25G以及更高速激光器芯片通常采用的是脊波导结构。公司通过技术人员的研发、核心生产人
员培训及生产经验积累，解决脊波导结构制造过程中的设计、工艺与生产等技术和工程问题，实现了高速率
芯片的量产，也为更高速率产品的研发奠定了基础。脊波导型结构开发难点在于需精确控制脊波导尺寸，尺
寸控制不佳会降低电注入效率与产品高速性能。
公司经过多年生产经验积累及工艺打磨，开发了脊波导型激光器芯片制造平台，积累的主要技术及生产
工艺包括：①高精度电子束光栅曝光系统的生产工艺；②高精度低缺陷脊波导刻蚀工艺；③针对不同应用的
异质结波导技术；④脊波导激光器芯片的可靠性与高频验证体系。公司凭借该技术，开发了低缺陷的脊波导
型激光器芯片结构，实现10G、25G激光器芯片的高性能指标、高可靠性及批量出货。
11）集成式光芯片高可靠性技术，实现集成式光芯片各区的可靠性要求
集成式光芯片通过将不同功能局域进行集成，可在单一光芯片上展现更强的性能，此类集成芯片形成量
产的前提必须保证分区集成光芯片上各区域的可靠性，确保集成式光芯片的使用寿命，而集成式光芯片中不
同功能区域可能为不同的外延材料、组份、结构等所组成，因此要兼顾集成芯片中不同区域的可靠性能力具
备相当的难度，公司经过多年不同材料、结构的生产经验积累及工艺打磨，熟悉不同材料、结构在可靠性方
面的技术难点，因此结合相关设计开发经验于集成式光芯片上，从设计开发之初，考量分区的结构材料、组
份、应力、掺杂、几何结构、光电转换、热分布等差异化的区域特性，在保证芯片可靠性的大前提下，进行
性能设计开发，使集成式光芯片能同时实现高可靠性与多功能性能的绝对优势。
此类技术应用于所有集成式光芯片，场景包含数据中心与AI计算领域的高速光模块、长距离接入网等场
景，由于集成式光芯片的应用场景广，具备此类集成式产品的高可靠性技术力已成为行业中的竞争优势。
12）大功率激光器高可靠性技术，实现大功率光芯片严苛操作场景下的可靠性要求
硅光子集成技术成为400G、800G及更高速率光模块的解决方案，而硅光子集成技术中需求的大功率激光
器芯片能够实现高光功率输出，弥补硅光子集成技术光传输损耗问题，但是此类激光器长期在大电流输入与
高光功率输出操作下，承受相对于一般激光器更大的输入输出能耗，因此在产品的可靠性设计方面有较高的
开发门槛。
公司在材料科学与产品可靠性工程的大量研发投入，已针对此类高应力操作场景进行专项开发多年，从
专项开发所需的设备、软件、工艺能力、材料知识、专家人才等方面着手，完成了大功率光芯片的可靠性专
项能力的提升，可用于大功率光输出激光器的可靠性需求。
13）光放大器集成芯片制造平台，光放大器集成于光芯片上，实现长距离场景、高分光比场景下的应用
需求
光放大器在光通信系统链路中，能提供中继光放大的功效，用以解决系统链路中光损耗造成的光功率不
足问题，将此光放大器直接集成于激光器发射端，或是集成于光接收器端，非常有利于降低链路成本，因此
开发光放大器集成芯片制造平台，已成为集成芯片技术中，非常具备竞争力的技术平台，例如：现有的高速
EML激光器集成光放大器后，能同时具备高速调制与大功率输出的优势。
此类技术平台开发难点在于外延能力的限制，分区集成的光芯片必须于每个区域各司其职，发光、高速
调制、光放大这些功能的实现，需要有不同的分区结构与外延设计，这提升了外延与集成工艺的难度，公司
已在上述分立的主动式光器件积累多年开发经验，具备相当的外延能力与工艺经验积累，逐步于近年实现光
放大器集成芯片制造平台的开发。
长距离场景与高分光比场景下，都是需要大光功率的技术以减少链路上的损耗，光芯片加上了光放大器
的集成能力，非常合适于应用在此类场景，由于适用面广、可降低链路成本，此技术平台已成为光芯片产品
的核心竞争力之一。
14）高速激光器芯片的封装技术
高速激光器芯片的封装，不同于传统的单颗芯片封装，高速调制的芯片电路需要做信号匹配和抗干扰处
理，一方面基板的设计非常重要，能有效降低反射等带来的损耗，另一方面，封装过程中，需要搭配多个电
容、电阻等元器件，同时实现多芯片的贴装，保持一定的封装精度，在完成封装的同时，需要进行COC的老
化、测试等环节，直至产出性能、可靠性均达标的成品。
公司可实现基板的自主设计开发，同时搭配先进的封装工艺设备，生产过程自动化，工艺过程可追溯，
整个生产制造平台已经具备量产经验，拥有批量交付能力。
2、报告期内获得的研发成果
截至2025年12月31日，公司累计获得各类知识产权54项，其中发明专利23项，实用新型专利15项，商标
11项，作品著作权5项。
●未来展望:
(一)公司发展战略
公司将立足AI产业爆发所带来的机遇，以“迭代核心产品、扩大产能优势、深化市场拓展、强化人才支
撑”为目标，推动公司发展。
坚持研发引领，依托现有技术与工艺壁垒，聚焦800G、1.6T等高速率光模块，以及NPO、CPO等新兴封装
路线需求，加大更高功率CW光源、高速EML激光器研发与商业化落地力度。持续培育并强化前瞻设计开发与
知识产权、晶圆工艺开发梯队、高端设备应用与相应制程技术三大关键能力，推进研发设备高端化升级，加
强专业技术培训与工艺优化，筑牢技术壁垒。同时，通过自研及并购等方式，探索光芯片产品在新兴领域的
应用及其他业务方向。
加快产能扩产升级，以拟投建的光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目为契机，匹配市场增
长需求。加大数字化投入，推动智能制造全流程应用，实现生产自动化、可视化管控，提升运营效率及品质
稳定性。
加速融入全球AI产业生态，拓展全球客户覆盖，以便于更好的匹配高速光互联需求，把握AI算力迭代机
遇。
人才建设上，坚持人才优先，吸纳复合型人才，搭建结构化人才梯队；完善培养、激励与晋升机制，推
动员工与公司共成长，为抢占产业制高点筑牢人才根基。
(二)经营计划
1、市场计划
公司把握光芯片市场的发展契机，密切关注市场需求的发展动态，持续加强市场开拓力度，以自主光芯
片核心能力构建的技术实力为驱动，积极拓展下游客户，稳固并提升公司的行业地位。面向PON市场、无线
市场、数通市场几大应用市场开展业务。在目前需求发展较快的数据中心市场，公司立足于已经进入国内外
主流客户体系的基础，把握人工智能带来的市场机遇，将持续投入资源加强销售体系建设，提升整体营销水
平，在产品销售、服务、信息反馈等环节为客户提供专业化的服务和解决方案。此外，为公司未来拓展其他
客户做好充足准备，公司定期对营销和技术服务人员进行培训，内容包括产品及技术参数理解、销售专业技
能、客户技术服务等。同时，关注新的技术方向可能带来的行业变化，加强产业链内生态伙伴的合作，把握
市场机遇。
2、研发计划
公司始终坚持以客户需求为导向，紧盯世界光芯片的发展前沿，尤其人工智能带来的对光芯片的需求的
变革，向更高速率、更大功率、更高集成度等方向研发探索。围绕制造平台升级、产品技术拓展、制程效率
提升和品质保障体系四个层面加大研发投入。公司持续增加研发投入，将在现有研发积累的基础上，通过扩
大升级研发实验室，优化研发环境及引进一批先进的研发、生产、检测设备和专业技术人才，提升整体研发
能力。在研发管理方面，公司将不断完善研发激励机制，对在产品的技术研发、参数改进、专利申请等方面
做出贡献的技术研发人员均给予相应的奖励，激发技术研发人员的工作热情。同时，公司将加强与相关高校
的技术合作，增强自主创新能力，实现研发与生产的紧密结合，从而促进公司产品技术水平的提高，提升核
心竞争优势。
3、人才计划
人才是公司实现高质量、可持续发展的核心资源。公司结合行业技术迭代速度与全球化竞争格局，制定
了人才发展规划。紧扣核心技术研发与产业化战略目标，打造与企业发展相匹配的高素质、专业化人才队伍
，构建“基础研究-应用开发-量产转化”全链条人才梯队，为公司持续技术突破与市场拓展提供坚实人才支
撑。
未来，公司将持续致力于人才队伍的建设与优化，以战略眼光布局人才，以创新机制激活人才，以产业
需求锤炼人才，最终实现“人才领先-技术突破-市场领先”的良性循环。重点培养技术领军人才，持续扩充
研发团队，打造一支兼具技术创新能力、产业化落地能力的人才队伍，为公司实现长期可持续发展筑牢人才
根基。加强对员工的关怀和激励，鼓励员工敢于创新和挑战，通过坚实的人力资源基础，支撑公司在技术创
新与市场竞争中行稳致远。
4、生产计划
公司将进一步优化生产制造体系，重点围绕产能扩张、技术升级、自动化提升、生产管理等几方面展开
：通过光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目的实施，加大对核心设备进行采购，稳步扩大产能
，提升高端激光器芯片制造产能；在制程工艺方面，稳定现有制程，开发新工艺，搭建下一代工艺制造平台
；继续提升制造和检测自动化水平，保证制程稳定，提升生产效率；加强数字化管理能力，全面升级智能制
造管理系统；提升人员制造管理水平，通过加强部门协同，精细化工序管理，提升交付能力及效率，并进一
步优化库存管理；进一步完善全球化产能布局，有序推进海外建厂工作。
〖免责条款〗
1、本公司力求但不保证提供的任何信息的真实性、准确性、完整性及原创性等，投资者使
用前请自行予以核实，如有错漏请以中国证监会指定上市公司信息披露媒体为准，本公司
不对因上述信息全部或部分内容而引致的盈亏承担任何责任。
2、本公司无法保证该项服务能满足用户的要求，也不担保服务不会受中断，对服务的及时
性、安全性以及出错发生都不作担保。
3、本公司提供的任何信息仅供投资者参考，不作为投资决策的依据，本公司不对投资者依
据上述信息进行投资决策所产生的收益和损失承担任何责任。投资有风险，应谨慎至上。
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