经营分析☆ ◇688234 天岳先进 更新日期：2026-04-01◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
碳化硅衬底的研发与产业化
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
碳化硅半导体材料(行业) 12.25亿 83.62 2.09亿 109.53 17.10
其他业务(行业) 2.40亿 16.38 -1821.60万 -9.53 -7.59
─────────────────────────────────────────────────
碳化硅半导体材料(产品) 12.25亿 83.62 2.09亿 109.53 17.10
其他业务(产品) 2.40亿 16.38 -1821.60万 -9.53 -7.59
─────────────────────────────────────────────────
境外(地区) 6.77亿 46.22 2.44亿 127.34 35.97
境内(地区) 5.48亿 37.41 -3406.00万 -17.81 -6.22
其他业务(地区) 2.40亿 16.38 -1821.60万 -9.53 -7.59
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 12.25亿 83.62 2.09亿 109.53 17.10
其他业务(销售模式) 2.40亿 16.38 -1821.60万 -9.53 -7.59
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
碳化硅半导体材料(产品) 6.58亿 82.83 1.36亿 92.61 20.63
其他业务(产品) 1.36亿 17.17 1082.22万 7.39 7.94
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
碳化硅半导体材料(行业) 14.74亿 83.35 4.85亿 105.95 32.92
其他业务(行业) 2.94亿 16.65 -2722.71万 -5.95 -9.25
─────────────────────────────────────────────────
碳化硅半导体材料(产品) 14.74亿 83.35 4.85亿 105.95 32.92
其他业务(产品) 2.94亿 16.65 -2722.71万 -5.95 -9.25
─────────────────────────────────────────────────
境外(地区) 8.40亿 47.53 3.53亿 77.19 42.05
境内(地区) 6.33亿 35.81 1.32亿 28.76 20.80
其他业务(地区) 2.94亿 16.65 -2722.71万 -5.95 -9.25
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
碳化硅半导体材料(产品) 7.53亿 82.50 2.06亿 98.08 27.36
其他业务(产品) 1.60亿 17.50 403.74万 1.92 2.53
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售8.37亿元，占营业收入的57.14%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 29548.35│ 20.17│
│客户二 │ 18534.53│ 12.65│
│客户三 │ 13979.42│ 9.54│
│客户四 │ 12311.29│ 8.40│
│客户五 │ 9329.18│ 6.37│
│合计 │ 83702.77│ 57.14│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购6.55亿元，占总采购额的42.99%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 25997.75│ 17.07│
│供应商二 │ 11722.49│ 7.70│
│供应商三 │ 10783.45│ 7.08│
│供应商四 │ 9522.70│ 6.25│
│供应商五 │ 7453.50│ 4.89│
│合计 │ 65479.88│ 42.99│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-12-31
●发展回顾:
一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务
公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化
。根据日本富士经济于2026年3月发布的报告测算，2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进（S
ICC）市场份额为27.6%，位居全球第一。
公司专注于碳化硅行业已超过15年，较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，并进一步实现导
电型碳化硅衬底的产业化。公司依托研发、生产和管理经验，在产品大尺寸化上的优势不断提高，量产碳化
硅衬底的尺寸已从2英寸迭代升级至8英寸，并于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底，于2025年完成了12
英寸导电N型和导电P型、半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的技术攻关，将全球碳化硅衬底行业全面带入12英
寸新时代。在实现从2英寸到12英寸全尺寸产业化的同时，公司也在半绝缘衬底、导电型衬底、P型衬底、光
学衬底、先进封装散热中介层等多元化产品上取得关键技术突破，持续推进关键设备国产化替代，实现了从
原料到成品的全过程自主可控。
2、主要产品及服务情况
碳化硅材料是一种化合物宽禁带半导体材料，与传统硅相比具有以下优势：
2.1禁带宽度更大，可适应更高的电压、频率及温度；
2.2热导率更高，非常适合热负荷较大的器件；
2.3击穿电场强度更高，可使器件更薄，导通电阻更低；
2.4饱和电子漂移速率更高，开关速度更快。
上述特性提高了使用碳化硅衬底的终端产品的性能，使产品能够在更高的温度、电压及频率下运作，同
时保持出色的效率。这使得功率密度提高，能量损耗减少，电子元件及系统的可靠性增强。因此，乘着可再
生能源及AI领域需求激增的浪潮，以碳化硅为代表的创新宽禁带半导体材料对半导体行业产生重大影响，碳
化硅材料已经成为赋能能源变革及AI实现核心发展目标的基石之一。
公司是全球领先的宽禁带半导体材料生产商，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。
公司专注于碳化硅衬底领域已超过15年，已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业
务合作关系，致力于为客户提供优质碳化硅衬底。通过科技创新，公司持续提升客户产品在各行业中的性能
。公司主要提供4英寸、6英寸、8英寸及12英寸碳化硅衬底，是全球少数能同时提供各种尺寸的导电型及半
绝缘型碳化硅衬底的公司之一。
公司是研发及生产碳化硅衬底的先驱及创新者。我们是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场
参与者之一。凭借公司的内部研发能力，公司已掌握涵盖碳化硅衬底生产所有阶段的核心技术，包括设备设
计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工及质量检验，这使得公司能够于2023年量产8英寸碳化硅衬
底，于2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底，克服了生产碳化硅衬底高质量生长界面控制及缺陷控制
的难题。
2025年，公司完成了12英寸导电N型和导电P型、12英寸半绝缘型碳化硅衬底全系列大尺寸产品的布局。
截至目前，12英寸碳化硅衬底产品已获得头部客户订单并实现交付，这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代
迈出了重要一步。
(二)主要经营模式
1、研发模式
我们的研发工作由研发团队主导，实行层级管理的项目制运作，流程如下：
1.1我们的雇员结合日常营运中收集到的信息、与行业参与者的合作、市场调研及对客户反馈的分析，
向研发团队提交需求申请；
1.2需求申请获批准后，研发团队选定项目负责人及项目组成员，组建指定项目组，并由项目负责人编
写《项目立项报告》，内容包括项目名称、背景、可行性分析、项目目标及财务预算；
1.3项目组根据项目需求编写研发设计方案，细化实验方案及计划，并根据设计方案完成实验验证；
1.4项目负责人结合项目计划与交付完成情况，判断所有项目目标完成，发起项目验收申请，编写《项
目验收报告》并交至研发团队审核；
1.5项目验收后，研发团队评估研发成果，并采取多种手段保护知识产权。
2、采购模式
碳化硅衬底生产依赖优质原材料，其内在质量直接影响碳化硅衬底的效率、可靠性及有效性，使其就生
产先进半导体器件而言不可或缺。因此，优质原材料的最大供应商通常选择与公司这样表现出对卓越及创新
承诺的领先市场参与者合作。通过与上述最大供应商建立长期合作关系，公司确保能够稳定获得必要的资源
，使公司能够在碳化硅衬底方面保持一致的质量及绩效标准，从而巩固公司在市场上的竞争地位。
公司采购制造碳化硅衬底所需的各种材料及设备，包括碳粉、硅粉、石墨保温材料以及晶体生长、切片
、研磨及抛光设备。为减轻原材料成本上升的潜在影响，公司主要与石墨保温材料等关键生产材料的供应商
订立长期合作协议、保持密切沟通并实施战略性采购。公司实施定期审阅机制，考虑公司的存货水平、销售
前景及市场趋势，监控公司的原材料成本。
公司已确定一份合格供应商名单，以便公司根据采购计划选择最合适的原材料供应商。公司的采购计划
根据生产进度、存货水平、供应商交货时间及产品寿命制定。在采购计划批准后，公司的采购部门将进行询
价，根据供应商的基本信息及价格、质量、资质文件及交付时间等标准对潜在供应商进行评估。为应对供应
商的潜在价格上涨，我们对其他同类供应商同步进行评估，以减轻对我们原材料成本的影响。
3、生产模式
公司的生产模式有利于满足客户的不同需求，有利于提高订单按时交付率、产品品质一致性和客户满意
度，有助于控制库存水平及提高资金利用效率。
公司已开发并实施一套信息系统，以便处理客户订单及生产流程控制。公司结合人工智能数字化仿真及
大数据技术，使公司的碳化硅衬底生产流程自动化。一方面，智能化生产能够降低人为干预带来的风险，对
于制备高质量碳化硅衬底至关重要。另一方面，高度自动化能够切实优化生产中的人工成本，为公司的技术
升级及产品迭代奠定坚实的基础。
公司已建立全面的生产阶段控制计划，以确保全面的生产及产品质量控制。当产品出现质量不合格问题
时，公司将启动不合格产品控制程序，启动不合格评审、进行根本原因分析以及指定纠正及预防措施。公司
的生产流程管理措施有助于防止不合格产品流出，并减少质量问题的再次发生。
4、营销模式
公司采用直销模式，并拥有一支经验丰富且训练有素的销售及营销团队，积极发现市场机会并设计销售
策略。
公司的销售及营销团队主要负责与客户联系，并为其提供售后服务。采用直销模式使我们能够取得以下
优势：
4.1自客户获得有关我们产品的即时且未经过滤的反馈；
4.2精确了解客户偏好并确定需要改进的领域；
4.3响应客户要求，使我们能够提供满足客户需求的高品质产品；
4.4凭借第一手的客户洞察力，快速适应不断变化的市场需求或客户偏好，从而制定灵活的营销战略；
4.5通过直接解决客户关切的问题，改善客户体验，从而提高满意度和忠诚度。
公司主要通过与不同应用领域的顶级公司开展持续、全面和深入的合作，以及其他定向营销及推广活动
，利用良好的品牌声誉和巨大的行业影响力赢得客户。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
可再生能源及AI技术革命使得全球工业发生重大转变，构建一个增长、创新、可持续发展的世界是能源
变革和AI技术进步和融合发展的核心目标，推动对更强大、更高效的功率半导体器件需求的增长。传统的硅
半导体因其固有的局限性已难以满足产业升级需求，这促使半导体行业寻求效率更高、寿命更长及性能更佳
的材料。在行业创新发展过程中，碳化硅已成为改变游戏规则的材料，凭借其优异的性能为各行各业带来革
命性的变化。
碳化硅是一种由碳和硅元素组成的化合材料，具有较高硬度和优异的物理化学性能。碳化硅材料拥有耐
高压、耐高频、高热导性、高温稳定性、高折射率等特点，可作为诸多行业实现降本增效的关键性材料。碳
化硅材料率先促进半导体行业变革，并开始在更多领域加速渗透应用，行业前景广阔。
相较硅基半导体，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体从材料端至器件端的性能优势突出，具备高
频、高效、高功率、耐高压、耐高温等特点，是未来半导体行业发展的重要方向。其中，碳化硅展现出独特
的物理化学性能。碳化硅的高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率和高热导率等特性，使其在
电力电子器件等应用中发挥着至关重要的作用。这些特性使得碳化硅在新能源汽车及光伏等高性能应用领域
中具有显著优势，尤其是在稳定性和耐用性方面。碳化硅衬底可被广泛应用于功率半导体器件、射频半导体
器件以及光波导、TF-SAW滤波器、散热部件等下游产品中，主要应用行业包括新能源汽车、光伏及储能系统
、电力电网、轨道交通、通信、AI眼镜、智能手机、半导体激光等。
功率半导体器件是电力电子产品中用作开关或整流器的半导体器件，主要包括功率二极管、功率三极管
、晶闸管、MOSFET、IGBT等。
根据弗若斯特沙利文的资料，从2019年到2023年，碳化硅功率半导体器件市场显著增长。全球碳化硅功
率半导体器件在全球功率半导体器件市场中的渗透率由1.1%增至5.8%，预计于2030年将达到22.6%。
从具体应用领域来看，根据弗若斯特沙利文的资料，从2019年到2023年，应用于新能源汽车的碳化硅功
率半导体器件全球收入的复合年增长率高达66.7%，而从2024年到2030年，新能源汽车领域的复合年增长率
仍高达36.1%，将继续引领全球碳化硅功率半导体器件市场的增长。光伏储能、电网、轨道交通领域亦表现
出强劲的增长势头，未来预测期间的复合年增长率将分别达到27.2%、24.5%及25.3%。家用电器、低空飞行
和数据中心等碳化硅功率半导体器件新兴应用领域将展现出最快的增长速度，应用于上述领域的碳化硅功率
半导体器件全球收入的预测复合年增长率预计将达到39.2%。
随着全球新能源产业的持续扩张，市场对碳化硅材料的需求正呈现爆发式增长。碳化硅材料亦是AI产业
增长与创新的必然选择，并在数据中心、电力基础设施与终端应用上均具有巨大潜力。随着AI发展所需算力
迅猛增长，数据中心的能源耗用也在快速增加。
除此之外，碳化硅在其他新兴领域的应用也在层出不穷，如AI眼镜领域。碳化硅材料可应用于AI眼镜的
光波导镜片中。碳化硅材料折射率显著高于高折射率玻璃和铌酸锂，可以实现更大的视角及更简单的全彩显
示结构，减少AI眼镜的尺寸、重量以及制造成本和复杂性，从而显著提升AI眼镜的用户体验。由于碳化硅材
料卓越的光学特性，AI眼镜行业市场预计将大幅增长，至2030年，全球出货量将超过6000万副。
公司作为衬底制造商，属于整个碳化硅半导体器件产业链的上游参与者，是产业链中将原材料转化为可
供下游使用的衬底产品的关键环节。
根据弗若斯特沙利文的资料，以销售收入计，全球碳化硅衬底市场由2019年的人民币26亿元增长至2023
年的人民币74亿元，复合年增长率为29.4%。预计到2030年，市场规模将有望增长至人民币664亿元，复合年
增长率为39.0%。
伴随着下游应用领域旺盛的需求，碳化硅市场产能持续稳定释放、上下游产业链的协同发展、碳化硅厂
商的核心技术竞争力将成为全球宽禁带半导体行业未来发展的重点。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
根据国家统计局《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业为第39大类“计算机、通信
和其他电子设备制造业”之第398中类“电子元件及电子专用材料制造”。根据国家统计局发布的《战略性
新兴产业分类（2018）》分类，公司的产品属于“1.2.3高储能和关键电子材料制造”和“3.4.3.1半导体晶
体制造”，是国家重点鼓励、扶持的战略性新兴产业。
公司在材料科学领域的持续深耕正在引领多个产业的发展，以碳化硅材料创新为新能源与AI两大产业提
供核心支撑，赋能未来科技革命。公司的碳化硅衬底可广泛应用于新能源汽车、AI数据中心、光伏系统、AI
眼镜、轨道交通、电网、家电及先进通信基站等领域。凭借行业领先的技术创新能力、强大的量产能力、高
质量的产品组合、与上下游市场参与者建立的紧密合作生态及高效的管理能力，公司正在引领碳化硅行业蓬
勃向前发展。公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底的商业化
的公司之一、也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司，并且是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之
一。
公司已跻身为国际知名半导体公司的重要供应商，公司的产品亦在国际上获得广泛认可。我们已与全球
前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系。公司的碳化硅衬底经客户制成功率器
件及射频器件，该等器件最终应用于诸如新能源汽车、AI数据中心及光伏储能等多领域的终端产品中，同时
，公司积极向AI数据中心、微纳光学、先进封装等新兴领域拓展，碳化硅衬底材料在新兴领域发展潜力巨大
。
公司已经形成了全面的技术体系，覆盖设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工、质量检
测等各个生产碳化硅衬底关键环节，公司的自主技术工具包支撑公司在产品缺陷控制和成本优化方面达到国
际一流的水准。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据，公司在碳化硅衬底专利位列全球前五。
全球碳化硅衬底市场由少数头部企业主导，头部企业在技术实力、生产规模、品牌知名度和认可度方面
具有显著优势。根据日本富士经济于2026年3月发布的报告测算，2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中
，天岳先进（SICC）市场份额为27.6%，位居全球第一；其中6英寸市场份额为27.5%，8英寸市场份额为51.3
%，充分体现了公司战略执行的成果。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
3.1碳化硅材料深度赋能“AI+新能源”，成为新质生产力基石。
报告期内，全球科技革命进入由“能源变革”与“人工智能（AI）”共同驱动的新阶段。碳化硅（SiC
）半导体材料凭借其高禁带宽度、高击穿电场、高热导率等优异物理特性，已成为这两大战略性领域的底层
核心支撑。
在新能源领域，碳化硅在新能源汽车高压平台、光伏逆变器及储能系统中的渗透率进一步提升，已从“
高端选配”向“主流标配”转型。在人工智能领域，随着AI算力需求的爆发，数据中心对电源转换效率和散
热管理提出了极高要求。碳化硅功率器件能够显著提升服务器电源（PSU）的功率密度和转化效率，有效降
低数据中心的能耗（PUE值），成为AI基础设施绿色化发展的必然选择。公司紧抓双轮驱动机遇，通过提供
高质量衬底材料，助力下游客户在绿色能源与智能算力领域的深度融合。
3.2技术进步驱动单位成本持续降低，经济性提升加速全行业渗透。
2025年，碳化硅行业正处于尺寸升级与工艺革新的关键窗口期。报告期内，衬底技术向大尺寸化演进的
趋势愈发明确。随着公司大尺寸衬底生产技术的日臻成熟和良率的稳步提升，技术端晶体生长、切片、磨抛
工艺的进步显著提升了碳化硅衬底的生产效率，并降低了生产成本。随着技术的不断进步和产能的扩大，预
计碳化硅衬底的成本将进一步降低，经济性和市场渗透率将继续提升。
技术进步带来的经济性红利，促使碳化硅的应用门槛进一步降低。碳化硅的使用经济性优势已不再局限
于新能源汽车和数据中心等顶尖领域，在工业自动化、智能电网、轨道交通以及以空调、洗衣机为代表的高
端家电等消费电子领域，碳化硅替代传统硅基半导体的进程明显加快。行业报告显示，公司本年度8英寸衬
底市场占比已超过50%，6英寸占比27.5%，公司引领的尺寸升级不仅提升了自身竞争力，更带动了全产业链
的规模化效应，推动SiC应用向全工业领域渗透。
3.3多元物理特性触发跨界融合，SiC加速向新兴蓝海市场延伸。
报告期内，碳化硅材料的应用逻辑正从单一的“电力电子功率器件”向基于其多元物理特性的“多功能
应用”转变。碳化硅具备的高禁带宽度、高热导率、高折射率及化学稳定性，使其在多个新兴赛道展现出巨
大的应用潜力。
微纳光学领域：碳化硅的高折射率和低损耗特性，使其成为制造微透镜、光波导等微纳光学元件的理想
材料。公司通过与光学头部客户的战略合作，已实现在AR/VR及精密光学传感领域的初步应用。
先进封装领域：利用碳化硅极高的热导率，将其作为大功率芯片的散热基板或封装材料，能够有效解决
高性能芯片的“热管理”难题。
超高压电力领域：随着高质量P型碳化硅衬底的研发突破，其在智能电网、特高压直流输电等领域的应
用正进入实测阶段，为构建新型电力系统提供了关键材料保障。
未来，随着12英寸等更大尺寸衬底布局的推进，以及液相法等前沿制备技术的产业化，碳化硅衬底将持
续打破现有应用边界，形成“一材多用、跨界赋能”的新产业格局，为公司提供持续的增长动力。
二、经营情况讨论与分析
公司自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬
底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底商业化的公司之一，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司。
2025年，全球能源变革与人工智能（AI）技术加速融合，推动功率半导体和新型半导体材料需求持续演
进。碳化硅材料凭借高耐压、高频、高热导、高温稳定性等综合优势，正在成为绿色低碳与高效算力基础设
施的重要材料支撑。伴随新能源汽车、电网与新能源绿电、储能升级、数据中心能效提升、工业与消费电子
能效提升，以及光学与先进封装等新场景的发展，碳化硅下游应用由点到面扩展的趋势进一步清晰。
与此同时，2025年行业竞争格局进一步优化，价格波动、产业规模提升与客户导入周期并存，行业处于
从早期无序扩张向大尺寸化、规模化、成本优化和结构升级并行推进的重要阶段。公司在此背景下，坚持长
期主义，围绕“市场份额提升”与“技术持续进步”两条主线推进经营，一方面抓住行业调整窗口，持续巩
固与全球头部客户合作关系，另一方面通过大尺寸产品、工艺优化与应用拓展提升长期竞争壁垒。
从产业趋势看，2025年已成为碳化硅进一步扩大规模化应用的重要一年。随着技术进步、单位成本下降
以及头部企业规模增长，碳化硅在新能源汽车、数据中心、先进封装、微纳光学之外，以及更加广义的工业
、电网、光伏、储能、充电设施、家电及消费电子等领域均表现出相较传统半导体材料的综合优势，应用渗
透进入“规模化导入”阶段。公司围绕这一趋势，持续完善产品矩阵、加强客户共研、推进大尺寸化与多元
应用布局，力争在行业新一轮发展中占据更有利位置。公司也正从半导体器件材料供应商向更广泛的先进材
料平台型企业延伸。同时，作为全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，公司管理层紧紧围绕公司发展战略
和年度经营目标，持续优化内部生产管理、改进工艺技术、提升产品良率，坚持研发创新和市场拓展；同时
，公司积极主动开源节流，合理管控成本费用，推进精益改善等一系列措施实现降本增效。
（一）公司经营情况
1、聚焦市场份额提升，逆势巩固行业领先地位。
2025年，公司将抢占市场份额作为核心经营策略之一，在行业承压背景下仍实现了份额提升。根据日本
富士经济于2026年3月发布的报告测算，2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进（SICC）市场
份额为27.6%，位居全球第一；其中6英寸市场份额为27.5%，8英寸市场份额为51.3%，充分体现了公司战略
执行的成果。
从经营逻辑看，行业下行阶段往往更能检验公司的真实竞争力。公司之所以能在2025年逆势实现份额增
长，核心在于：一是前瞻布局8英寸和12英寸，把握了行业尺寸升级方向；二是客户合作深、认证壁垒高，
在长周期验证体系下具有较强黏性；三是规模化交付与质量稳定性经过国际头部客户验证，能够在行业竞争
中获得更多订单与导入机会。
报告期内，公司持续在产品品质、量产交付、技术迭代与客户协同上的加强投入，保持与全球前十大功
率半导体器件制造商中一半以上厂商的业务合作关系，在行业下行周期中进一步扩大了优质客户覆盖范围，
并持续开拓新领域、新客户、新应用。
通过前瞻性布局大尺寸产品，在行业从6英寸向8英寸加速切换过程中取得了明显优势，2025年公司持续
扩大6英寸市场份额，并在8英寸市场份额上占据头部位置。同时大尺寸产品占比提升，不仅帮助公司扩大了
市场份额，也有助于改善产品结构、强化客户绑定并提升长期竞争壁垒。
2、深化头部客户合作，持续扩大客户版图。
报告期内，公司与各行业头部客户的合作进一步深化，新能源汽车、数据中心、先进封装、微纳光学等
领域的重点客户合作关系进一步加强，体现出公司在产业链关键材料环节的综合竞争力。公司长期采取直销
模式，依托销售、研发、生产联动机制，能够快速响应客户需求并参与客户前期验证、产品定义与工艺优化
，从而增强合作深度和客户黏性。
在新能源汽车及功率器件领域，公司持续服务全球领先客户。公司已与全球前十大功率半导体器件制造
商中一半以上建立合作关系，并与国际客户形成长期稳定合作生态。报告期内，行业大尺寸化的趋势进一步
确定，随着公司大尺寸产品经济性持续加强，行业从6英寸向8英寸切换，公司通过大尺寸产品进一步加深与
客户的合作关系；同时，由于碳化硅衬底作为器件制造关键材料，需要经过外延、芯片制造、封装测试等复
杂验证程序，下游客户一旦完成验证通常不会轻易更换供应商，这使得公司在服务头部客户后具有较强持续
供货优势。
报告期内，公司与下游客户持续推进各项技术合作。如在微纳光学领域，公司于2025年7月与舜宇奥来
微纳光学（上海）有限公司达成战略合作，双方将整合碳化硅材料与光学技术优势，推动碳化硅衬底材料在
光学领域应用，开拓新的蓝海市场。在AI数据中心供电方案中，公司配合全球头部功率器件厂商，就下一代
电源管理芯片的研发展开密切合作。在先进封装领域，公司配合全球头部客户推进SiC的应用突破；同时，
在芯片散热方向，公司目前已成功将半绝缘碳化硅衬底应用于高功率激光器芯片的散热层，并已形成批量出
货，验证了碳化硅散热在产业端规模化应用的可行性。这些合作不仅体现公司在新兴应用方向的前瞻布局，
也标志着公司正从单一材料半导体器件材料供应商向更广泛的先进材料平台型企业延伸。
此外，公司在与重要合作伙伴关系上持续深化。如公司于2025年10月获得“博世全球供应商奖”，标志
双方产业链协同进入深度绑定阶段，与博世的长期战略合作伙伴关系进一步加深。这类合作关系的持续稳定
，有利于公司在行业波动期保持订单韧性，并进一步提升全球影响力。整体来说，公司深度融入碳化硅行业
价值链，与上下游企业建立了紧密的合作生态。公司以先进的技术能力为核心，精准把握全球客户的最新需
求，链接全球顶尖的供应链资源，不断推动大尺寸、高质量的碳化硅衬底产品在各领域的渗透率提升，并最
终实现产业链共赢，持续提升全球影响力。
3、应用场景持续拓宽，碳化硅进入更广泛规模化应用阶段
2025年，碳化硅应用从新能源汽车、光伏储能等传统高景气场景，进一步向AI数据中心、智能电网、先
进封装、微纳光学、工业、充电设施、家电和更多消费电子场景延展。这一趋势的底层驱动在于，随着碳化
硅材料和器件技术持续进步、尺寸升级、成本下降和规模效应显现，其相较传统硅基材料在低中高压、高频
、高效率、高功率密度和热管理上高效性能正在被更多终端应用所接受。
在AI数据中心领域，随着AI算力快速增长，数据中心能耗与供电效率问题日益突出。根据弗若斯特沙利
文的数据，至2030年全球AI数据中心容量将增长至299GW，较2023年净增加244GW，2023年至2030年复合年增
长率达到27.4%，数据中心耗电量占全球电力消费比例将由1.4%提升至10.0%。碳化硅功率器件在数据中心电
源、UPS、服务器电源等场景可实现更高转换效率与功率密度，因此对高品质碳化硅衬底的需求具有明确增
量意义。
在AI眼镜-微纳光学领域，碳化硅材料凭借优异光学特性和轻量化潜力，正在成为重要的显示新材料。
资料显示，至2030年全球AI眼镜出货量有望超过6000万副；公司2025年在该领域已形成实质性布局，不仅与
舜宇奥来达成战略合作，还凭借“碳化硅光波导片在AI眼镜中的应用”方案入选中国信通院优秀案例，表明
公司在碳化硅材料跨界应用方向已具备较强产业化落地能力。在电网、工业、光伏储能、轨道交通和家电等
领域，碳化硅优秀的材料特性带来的性能提升则更为明显。根据相关预测，2024年至2030年，碳化硅功率半
导体器件在光伏
|