经营分析☆ ◇688012 中微公司 更新日期：2026-09-16◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备收入(行业) 123.85亿 100.00 48.50亿 100.00 39.17
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备相关产品(产品) 123.85亿 100.00 48.50亿 100.00 39.17
─────────────────────────────────────────────────
大陆地区(地区) 120.58亿 97.37 47.22亿 97.35 39.16
中国台湾地区(地区) 2.15亿 1.74 9806.09万 2.02 45.54
其他国家和地区(地区) 1.11亿 0.90 3051.96万 0.63 27.50
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 123.85亿 100.00 48.50亿 100.00 39.17
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备收入(行业) 90.65亿 100.00 37.22亿 100.00 41.06
─────────────────────────────────────────────────
专用设备(产品) 78.12亿 86.17 31.09亿 83.53 39.80
备品备件(产品) 11.64亿 12.84 5.61亿 15.06 48.18
其他(产品) 8954.77万 0.99 5220.73万 1.40 58.30
─────────────────────────────────────────────────
大陆地区(地区) 86.09亿 94.96 35.24亿 94.67 40.93
中国台湾地区(地区) 3.15亿 3.47 1.42亿 3.80 44.94
其他国家和地区(地区) 1.42亿 1.56 5696.55万 1.53 40.25
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 90.65亿 100.00 37.22亿 100.00 41.06
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备收入(行业) 62.64亿 100.00 28.70亿 100.00 45.83
─────────────────────────────────────────────────
专用设备(产品) 51.66亿 82.47 23.33亿 81.28 45.17
备品备件(产品) 9.71亿 15.51 4.69亿 16.34 48.30
其他(产品) 1.27亿 2.02 6806.44万 2.37 53.68
─────────────────────────────────────────────────
大陆地区(地区) 57.64亿 92.03 26.49亿 92.28 45.95
中国台湾地区(地区) 4.22亿 6.74 1.77亿 6.16 41.90
其他国家和地区(地区) 7722.81万 1.23 4462.52万 1.55 57.78
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 62.64亿 100.00 28.70亿 100.00 45.83
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备收入(行业) 47.40亿 100.00 21.68亿 100.00 45.74
─────────────────────────────────────────────────
专用设备(产品) 38.47亿 81.17 17.38亿 80.18 45.18
备品备件(产品) 8.35亿 17.62 3.91亿 18.06 46.88
服务收入(产品) 5743.46万 1.21 3818.18万 1.76 66.48
─────────────────────────────────────────────────
大陆地区(地区) 41.99亿 88.59 19.13亿 88.23 45.55
中国台湾地区(地区) 4.54亿 9.58 2.05亿 9.44 45.10
其他国家和地区(地区) 8677.66万 1.83 5046.30万 2.33 58.15
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 47.40亿 100.00 21.68亿 100.00 45.74
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售92.88亿元，占营业收入的75.00%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 495215.50│ 39.99│
│客户二 │ 238652.61│ 19.27│
│客户三 │ 88534.34│ 7.15│
│客户四 │ 63027.85│ 5.09│
│客户五 │ 43392.88│ 3.50│
│合计 │ 928823.18│ 75.00│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购24.09亿元，占总采购额的27.01%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 88862.36│ 9.96│
│供应商二 │ 44268.14│ 4.96│
│供应商三 │ 36980.87│ 4.15│
│供应商四 │ 35494.58│ 3.98│
│供应商五 │ 35338.84│ 3.96│
│合计 │ 240944.79│ 27.01│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2026-06-30
●发展回顾:
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）所属行业情况
近年来数码产业蓬勃发展，已成为国民经济发展最重要的引擎，也促进全球半导体芯片和晶圆制造领域
的持续投资，推动半导体设备行业的快速发展。数码产业占全球企业总产值40%以上，而且在不断增长，和
传统工业已经成为国民经济的两大支柱，数码产业的发展正在彻底改变人类的生产方式和生活方式。半导体
微观加工设备是发展集成电路和数码产业的关键，已成为人们最关注的硬科技产业之一。
半导体设备是集成电路和泛半导体微观器件产业的基石，而集成电路和泛半导体微观器件，又是数码产
业的基础。半导体设备微观加工的能力是数码产业发展的关键。没有能加工微米和纳米尺度的光刻机、等离
子体刻蚀机和薄膜沉积等设备，就不可能制造出集成电路和微观器件。随着微观器件尺寸越做越小，结构从
平面2D到三维立体，半导体设备的极端重要性更加凸显出来。中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴
旺。在政府的大力推动和业界的努力下，在半导体设备的门类、性能和大规模量产能力等方面，国产设备和
国外设备相比正在快速缩小差距，发展迅速并已初具规模，中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年
提升。根据国际半导体产业协会（SEMI）在发布《年中总半导体设备市场预测报告》中指出，预测2026年全
球半导体制造设备（OEM）总销售额将创下1659亿美元的历史新高，同比增长23.2%。人工智能正在加速对更
强大、更高效芯片的需求，重塑半导体制造投资格局，推动整个半导体设备市场的规模快速增长。
（二）公司主营业务情况
中微公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于
在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率
器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。中微公司开发的CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻
蚀两大类、包括二十几种细分刻蚀设备已可以覆盖大多数刻蚀应用。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛
应用于国内和国际一线客户，从65纳米到3纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用，并已实现CMP湿法设备多种应
用研发和客户验证。中微公司最近十年着重开发多种导体和半导体化学薄膜设备，如MOCVD，LPCVD，ALD，P
VD，PECVD和EPl设备，并取得了可喜的进步。中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备早
已在客户生产线上投入量产，并在全球氮化镓基LEDMOCVD设备市场占据领先地位。此外，中微公司已全面布
局光学和电子束量检测设备，并开发多种泛半导体微观加工设备，包括大平板显示设备等。
公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、薄膜沉积
设备、化学机械抛光（CMP）设备、量检测设备、MOCVD设备及其他设备，如今，公司已开发出54种高端半导
体设备，包括26种高能和低能等离子体刻蚀机设备，24种各类薄膜设备、化学机械抛光（CMP）设备和量检
测设备。刻蚀和薄膜设备的加工精度已经达到了原子级水平。
报告期内，公司主营业务未发生变化。
（三）主要经营模式
1、盈利模式
公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游集成电路、LED外延片
、先进封装、MEMS等半导体产品的制造公司销售等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备、化学机械抛光（CMP）
设备、MOCVD设备及其他设备、提供配件及服务实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导
体设备产品的销售，其他收入来源于设备相关配件销售及设备支持服务等。
2、研发模式
公司主要采取自主研发的模式。根据公司产品成熟度，公司的研发流程主要包括概念与可行性阶段、Al
pha阶段、Beta阶段、量产阶段。
公司按照刻蚀设备、薄膜沉积设备、化学机械抛光（CMP）设备、量检测设备、MOCVD设备等不同研发对
象和项目产品，组成了相对独立的研发团队。不同产品研发团队拥有各自独立的机械设计、工艺开发、产品
管理和技术支持团队，而在电气工程、平台工程、软件工程等方面则采用共享的方式进行研发支持。通过这
种矩阵管理的方法，实现了人才、营运等资源在不同的产品及技术服务之间灵活分配，实现共享经验知识，
优化资源使用效率，使公司能够快速响应不断变化的研发要求，进行持续的技术创新。
3、采购模式
为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。达到经营资质、研发和设计
能力、技术水平、质量管控能力、生产能力、产品价格、交货周期及付款周期等众多标准要求的供应商，被
纳入公司合格供应商名录，并定期审核。目前，公司已经与全球众多供应商建立了长期、稳定的合作关系。
4、生产模式
公司主要实行订单式生产为主，结合少量库存式生产为辅的生产方式。订单式生产是指公司在与客户签
订订单后，根据订单情况进行定制化设计及生产制造，以应对客户的差异化需求。库存式生产是指公司对设
备通用组件或成批量出货设备常用组件根据内部需求及生产计划进行预生产，主要为快速响应交期及平衡产
能。
5、营销及销售模式
公司采取直销为主的销售模式，因欧洲市场的客户较为分散，公司在该区域通过代理商模式进行销售。
公司设有全球业务部负责公司所有产品的销售管理，下设中国大陆、中国台湾、韩国、新加坡、美国等国家
或地区的区域销售和支持部门。
二、经营情况的讨论与分析
数码产业已成为国民经济发展的重要引擎，而作为数码产业的基石，加工集成电路和各种微观器件的半
导体设备产业，正成为备受关注的硬科技领域。作为国内外半导体高端设备的领先公司，中微公司迎来了快
速发展机遇。
中微公司的主打产品等离子体刻蚀设备和薄膜沉积设备是除光刻机以外的核心微观加工设备，具有制程
步骤最多、工艺过程开发难度最高的特点。微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工工艺的变化。存储器
件从平面2D到立体3D架构的转换，显著提升了等离子体刻蚀和薄膜沉积工艺的关键性，相应设备的需求量大
大增加。同时，光刻机由于波长的限制，更小的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜沉积设备的组合“二重模
板”和“四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重要性和市场空间持续提升，相关设备市场的年
平均增长速度远高于其他种类的设备，为中微公司带来了强劲增长动力。此外，随着半导体工艺节点持续缩
小，量检测设备需满足更高精度要求，推动该设备市场快速增长，已成为占半导体前道设备总市场约13%的
第四大设备门类。量检测设备主要涵盖光学量检测设备和电子束量检测设备。中微公司于2024年新发起设立
了超微公司，重点开发电子束量检测设备等，公司将通过多种方式扩大对多门类量检测设备的市场参与和产
品覆盖。
同时，公司于报告期内完成对众硅公司控股权的收购，完成了对化学机械抛光（CMP）设备的覆盖，实
现从“干法”向“干法+湿法”整体解决方案的关键跨越。这一整合不仅填补了上市公司在湿法设备领域的
空白，更显著提升了公司在先进制程中为客户提供系统级整体解决方案的能力。面对先进晶圆厂和先进存储
厂对工艺协同性、产线稳定性与整体效率日益严苛的要求，上市公司可为客户提供高度协同的成套设备解决
方案，大幅缩短工艺调试和验证周期，从而增强客户黏性，加速上市公司在主流产线的规模化渗透。
在集成电路产业飞速发展的浪潮中，中微公司站在先进制程工艺发展的最前沿，以高端半导体设备为核
心，坚持技术的创新、产品的差异化和知识产权保护的基本原则。凭借强有力的研发团队和深厚的客户关系
，公司不断开发出具有市场竞争力的设备并快速进入市场；同时，中微公司将整合产业链上下游和相关资源
作为另一发力点，积极考虑投资和并购，推动公司更快发展。目前公司的五十多种设备产品已经覆盖了超30
%前道集成电路设备产品，未来五年，公司将通过自主开发与外延并购，覆盖60%以上的集成电路高端设备市
场和70%以上的先进封装设备市场，在规模上成为全球领先的高端设备平台型公司。
近年来泛半导体产业的发展也非常迅猛。三五族化合物半导体器件，如照明和显示屏所用的发光二极管
、氮化镓和碳化硅功率器件等市场发展极快。这些器件所需的MOCVD设备是重要的关键设备。与集成电路需
要很多种设备、上千步循环的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要靠MOCVD设备实现，而且该设备的
大部分市场集中在中国大陆。
中微公司瞄准世界科技前沿，持续践行三维发展战略，聚焦集成电路关键设备领域，扩展在泛半导体关
键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会，推进公司实现高速、稳定、健康、安全发展。公司坚持以市场
和客户需求为导向，积极应对复杂形势，继续加大研发投入和业务开拓力度，推动以研发创新为驱动的高质
量增长策略，抓住重点客户扩产投资机会，推进订制化、精细化生产模式，公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备
、化学机械抛光（CMP）设备、量检测设备、MOCVD设备等设备产品研发、市场布局、新业务投资拓展等诸多
方面取得了较大的突破和进展，产品不断获得海内外客户的认可，为公司持续健康发展提供了有力支撑。
公司同时兼顾外延性发展，在聚焦公司核心业务集成电路设备的同时积极探索布局包括健康领域在内的
新业绩增长点，子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的标的公司在各自细分领域取得了卓有
成效的进展。
为更好地完善公司的产业链布局，进一步提升公司的产能规模和综合竞争实力，公司在上海临港新片区
建设中微临港产业化基地及中微临港总部和研发中心，在南昌高新区建设中微南昌产业化基地，在广州建设
华南总部研发及生产基地，在成都建设成都研发及生产基地暨西南总部项目。
报告期内公司持续提升综合竞争力，在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不断向国际先
进水平的方向努力，实现公司高速、稳定、健康、安全发展。
报告期内重点任务完成情况
报告期内，公司在研发创新、知识产权体系建设、生产经营、外延式生长等方面取得了积极成果：
1、产品研发及客户拓展方面
公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿。报告期内，公司继续保持较高的研发投入
，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良好，在部分关键客户市
场占有率稳步提升。2026年上半年公司研发投入约20.41亿元，同比增加约5.50亿元（增长约36.86%），202
6年上半年研发投入占公司营业收入比例约为30.51%。公司目前在研项目涵盖六大类设备，包含多个关键制
程工艺的核心设备开发。
公司积极参与有影响力的市场活动，不断强化公司技术和品牌优势。报告期内，公司发挥产品性能、技
术及销售服务竞争优势，持续深化同海内外客户的业务合作，以更好的市场形象和更专业的服务为客户提供
产品解决方案。在持续改善量产机台的运行时间和生产效率的同时，研发团队和客户紧密合作，进行更多的
关键制程工艺开发和验证，进一步提高产品的技术先进性和市场竞争力，拓宽机台的生产能力并赢得更多的
量产机会。
公司主要产品的进展情况如下：
（1）CCP刻蚀设备
公司CCP刻蚀设备中双反应台PrimoD-RIE、PrimoAD-RIE、PrimoAD-RIE-e，单反台PrimoHD-RIE等产品已
广泛应用于国内外一线客户的生产线。持续推进用于高深刻比刻蚀的PrimoUD-RIE设备的迭代，不断拓展应
用场景，有效提高了该系列设备的工艺覆盖范围。同时，公司积极开拓晶圆及先进封装及超透镜等领域，持
续推进产品在多个客户端的验证，顺利取得重复订单。
公司针对超高深宽比刻蚀工艺，开发了全新的PrimoXD-RIE。该设备采用全新腔体结构设计，适用于高
腐蚀性气体和超低温刻蚀工艺，刻蚀工艺显著减少碳氟气体使用，刻蚀效率较上一代产品提升明显。该设备
还具备国内首创镜像磁场等离子体调节功能及等离子体边缘鞘层主动调节功能，可以更有效地改善深孔的刻
蚀形貌，提高设备的生产稳定性。目前，PrimoXD-RIE的Alpha机已完成实验室马拉松测试，Beta机在客户端
验证顺利。针对更加先进的7纳米及以下的逻辑器件生产中所需要的更高选择比和均匀度的接触孔，通孔以
及金属掩膜大马士革工艺，开发的全新的高选择比高均匀度刻蚀设备，在实验室开展多个客户工艺开发，测
试与迭代工作稳步推进，预计2026年内，运付客户端进行工艺验证。
此外，公司持续开展先进射频技术的研究，探索新的反应方式，通过多维度技术攻关，持续夯实技术储
备，强化产品差异化竞争力。
（2）ICP刻蚀设备
报告期内，公司的ICP刻蚀设备包括PrimoTwin-Star、PrimoNanova、PrimoMenova等产品在涵盖逻辑、D
RAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产，并继续验证
更多ICP刻蚀工艺。
报告期内，公司低温高深宽比ICP刻蚀设备PrimoNanovaLUX-Cryo在客户的下一代产品的产线上稳定量产
。与此同时，为应对先进节点高深宽比挑战，公司研发的下一代高精度ICP刻蚀设备的PrimoAngnova在实验
室开展多个客户的工艺验证，全面满足客户的刻蚀需求，Beta机器在客户端认证顺利，并取得多个重复订单
。PrimoTwin-Star装机量快速增长，在海内外客户的逻辑芯片、功率器件、微型发光二极管Micro-LED、AR
和VR智能眼镜用的超透镜（Metalens）等特色器件的产线上实现量产。公司的PrimoMenova金属刻蚀设备，
在客户端认证顺利，已投
入量产。公司开发的高选择比气相刻蚀设备PrimoDomingo，在实验室的Alpha腔上开展多个工艺验证，
全面满足客户的刻蚀需求。
报告期内，公司ICP刻蚀设备类中的8英寸PrimoTSV2G200E和12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSV2G在晶圆级先
进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸的3D芯片的硅通
孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的验
证为公司PrimoTSV2G刻蚀设备拓展了新的市场。与此同时，公司针对更高金属污染和颗粒物控制要求等技术
需求的第三代硅通孔刻蚀机PrimoTSV3G，取得BVR和0.15sBosch工艺验证成功。
此外，报告期内，公司根据客户和市场技术发展需求，继续推进包括方波技术，ALE技术和ALD技术在IC
P等离子体刻蚀设备上的应用研发，为未来推出更多的ICP刻蚀设备做技术储备，以满足三维逻辑、三维DRAM
和更多堆叠的3DNAND存储等芯片制造对更先进ICP刻蚀设备的持续需求。
（3）薄膜沉积设备研发
公司开发的多款薄膜沉积产品已推向市场。中微公司钨系列薄膜沉积产品：CVD（化学气相沉积）钨设
备，HAR（高深宽比）钨设备和ALD（原子层沉积）钨设备，可覆盖存储器件所有钨应用；该系列设备均已通
过关键存储客户端现场验证，满足先进存储应用中所有金属互连应用（包含高深宽比金属互连应用）及三维
存储器件字线应用各项性能指标，并获得客户重复量产订单。同时，公司钨系列产品也可满足先进逻辑器件
中多道金属钨互连应用需求，已通过关键逻辑客户端现场验证，满足先进逻辑应用中各项性能指标，已获得
客户重复量产订单。此，公司钨系列产品也通过了特殊器件客户金属钨应用现场验证。基于公司钨系列产品
独特的性能优势，已顺利完成先进逻辑、先进存储和特殊器件的现场验证，未来将进一步扩大市场占有率。
同期，公司开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品PreformaUniflashALD氮化钛，ALD钛铝，ALD
氮化钽产品，已完成多个先进逻辑客户设备验证，可满足先进逻辑客户性能需求的同时，设备的薄膜均一性
，污染物控制和生产效率均达到世界先进水平。该系列设备已付运到多个先进逻辑客户端进行验证，已顺利
通过客户现场验证。其中，ALD氮化钛薄膜也可运用于先进存储器件中钨填充阻挡层和粘结层、先进存储及
先进封装中的电容器极板等关键应用场景，公司开发的ALD氮化钛设备可满足高深宽比及三维结构的台阶覆
盖率需求及各项性能指标，并已交付多个关键客户进行现场验证，有利于进一步扩大市场规模。
针对先进逻辑、先进存储器件的高选择比、低电阻金属-半导体接触层需求，公司推出了金属硅化物集
成系统PreformaUniflash，包含原位高选择性前清洁产品SA&SU，等离子体增强化学气相沉积金属钛SPTi，
和原子层沉积氮化钛ALDTiNM产品。该系列产品已交付多个先进逻辑、先进存储客户，现场验证顺利推进，
能够满足客户各项性能需求的同时，实现高生产效率。中微公司金属硅化物集成系统适配先进逻辑器件中的
源漏接触层，背部供电接触层及三维存储器件中的源漏接触层等关键应用场景，可以在小尺寸、高深宽比的
复杂结构中实现高质量填充，在金属薄膜沉积领域中扩展了全新的市场版图，将为中微公司的持续高速增长
提供更充足的空间。
公司的薄膜沉积设备采用独特的双腔设计，每个腔体可独立进行工艺调节，保证产品性能的同时，大大
提高了生产效率，降低了材料成本。此外，中微独立自主的IP设计，确保了更优化的产品性能，也保障了产
品未来的可持续发展。
EPI设备方面，公司的减压外延设备已在成熟制程客户端验证成功，也已付运多家先进制程客户端，部
分先进工艺已进入量产验证阶段；常压外延设备现已完成开发，进入晶圆验证阶段。
（4）MOCVD设备
报告期内，公司用于蓝光照明的PRISMOA7、用于深紫外LED的PRISMOHiT3、用于Mini-LED显示的PRISMOU
niMax等产品持续服务客户。截止2025年，公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中PRISMO
UniMax产品自2021年6月正式发布以来，凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广
泛认可，在Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先。
公司于2023年底付运Micro-LED应用的设备样机PreciomoUdx至国内领先客户开展生产验证。报告期内样
机验证进展顺利，其性能与可靠性已满足客户产线要求，并获得客户的重复订单。同时，公司正进一步推进
该新产品在Micro-LED市场的应用拓展与推广。
随着电动汽车、消费电子、人工智能、风力与光伏储能和轨道交通等应用的快速发展，市场对氮化镓和
碳化硅功率器件的需求呈现爆发式增长。公司已经建立了氮化镓LED外延装备的优势，在此基础上，进一步
研发了面向硅基氮化镓异质外延功率器件的专用设备。于2022年推出了用于氮化镓功率器件生产应用的MOCV
D设备PRISMOPD5，目前已交付客户进行生产验证，并取得了重复订单。除此之外，公司正开发新一代氮化镓
功率器件应用的MOCVD设备，将进一步提升设备性能，降低客户生产成本；报告期内，公司已付运新型氮化
镓功率器件应用MOCVD设备至领先客户端开展生产验证。
公司也启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发，报告期内，公司持续提升优化该设备的工艺
性能，并与多家行业领先客户开展技术对接和商务洽谈。目前，该新型8寸碳化硅外延设备已进入国内头部
企业进行生产验证，并取得了重复订单。
此外，公司紧跟市场发展趋势，积极拓展MOCVD设备的应用范围，进一步推进应用于红黄光LED的MOCVD
设备开发，实验室已实现了优良的LED波长均匀性能。报告期内，公司已付运红黄光LED应用的设备样机至国
内领先客户开展生产验证，目前样机验证进展顺利。针对光通讯等新兴应用需求，公司积极与行业领先客户
开展合作，于报告期内启动磷化铟（InP）材料体系专用MOCVD设备的开发，实验室已取得良好进展。下半年
将结合客户反馈意见，加快产品开发，尽早付运样机至客户端开展生产验证。
（5）先进封装相关设备
报告期内，公司用于2.5D、SoICWoW及高深宽比深槽电容刻蚀的PrimoTSV300E产品持续服务客户，并获
得重复订单。公司用于先进封装等离子体切割的PrimoMatrix即将发往国内头部客户产线验证。同时，先进
封装所用的第三代TSV刻蚀机研发顺利，获得优良的工艺结果，并且已得到多家客户订单，即将发往客户端
验证。此外，先进封装所用的TSVCuBSPVD集成设备开发顺利，报告期内得到了优良的工艺结果，正与多家领
先客户开展商务洽谈。同时，公司已启动UBMPVD集成设备研发，进一步完善先进封装平台化产品布局。
（6）气体净化设备
子公司中微惠创利用分子筛的吸附原理的化学反应器，开发制造了工业用大型净化设备。设备可根据客
户的要求灵活配置不同处理规模的系统，提供给客户可靠、稳定、安全和节能的净化解决方案。中微惠创与
德国DAS环境专家有限公司签订战略合作协议后，双方秉承协议内容按计划实施，在半导体行业尾气处理设
备领域展开紧密的合作，目前已经生产制造的净化设备顺利地应用在各个客户端，共同推动环保科技行业的
发展。此外，中微惠创还在积极探索新能源领域的相关研究。
（7）分布式生态工业互联网平台
子公司中微汇链基于多年来在中微公司沉淀的业务管理经验以及在高科技制造领域多家企业的数字化服
务实践经验，研发和推广数字化运营体系及产品，专注服务以集成电路为代表的高科技制造行业与行业内企
业。
汇链推出的“We”系列数字化产品为提升企业从研发、制造，到质量、售后的管理能力，助力企业融入
产业生态，为高科技制造产业打造企业间协同互信、资源共享的生态型平台We-Linkin。目前，中微汇链产
品已涵盖超80个场景应用、超900项微服务功能。
基于半导体产业数字化领域的战略布局，专注为中国半导体设备、核心零部件及特种材料领域的科创型
、高成长性企业，提供端到端的数字化运营整体解决方案。以“研发运营一体化、运营管理指标化”为核心
理念的产业数字合伙人，致力于帮助客户将技术创新高效、可靠地转化为市场成功与可持续增长。汇链科技
已成功服务超过50家半导体领域的科创企业，产业链数字化解决方案覆盖率85%。
中微汇链为国家“星火链网”半导体骨干节点技术建设单位、中国产业区块链企业50强，并被授予上海
市集成电路产业数字化转型“链主”培育服务企业；入选上海市专精特新企业；入选上海市质量管理数字化
转型十佳案例；并参与制定《区块链服务基于区块链的去中心化标识（DID）技术要求》、《区块链服务数
字孪生开发平台技术规范》等多项数字化领域团体标准。
2、生产基地建设
为更好地完善公司的产业链布局，进一步提升公司的产能规模和综合竞争实力，公司在上海临港新片区
建设中微临港产业化基地及中微临港总部和研发中心，在南昌高新区建设中微南昌产业化基地，在广州建设
华南总部研发及生产基地，在成都建设成都研发及生产基地暨西南总部项目。公司位于南昌的约14万平方米
的生产和研发基地已于2023年7月正式投入使用；公司在上海临港的约18万平方米的生产和研发基地已于202
4年8月正式投入使用，临港二期约20万平方米的生产和研发基地拟于2026年下半年开工建设；上海临港滴水
湖畔约10万平方米的总部大楼暨研发中心已于2026年8月1日举办落成典礼；位于广州的华南总部研发及生产
基地总体规划占地约130亩，一期项目占地约50亩，主体结构已于2026年7月封顶，计划2027年投产；成都研
发及生产基地暨西南总部一期项目占地约50亩，主体结构已于2026年8月封顶，预计2027年建成投产，为今
后的发展夯实基础。
3、供应保障方面
公司在需求预测、库存管理和供应商管理三方面建立了动态协调机制，使生产所需的零部件原材料能够
高效流转。公司持续开发关键零部件的供应商，非常重视零部件的国产化工作。公司建立了高效的库存管控
体系，设置合理的库存警戒线，以加快存货周转。随着智能工厂项目和精益管理的持续推进，人员效率和人
均产能将稳步提升，制造成本更富竞争力。同时，公司深入强化质量管理体系建设，增强员工质量意识，产
品质量缺陷数量呈逐年下降态势。
4、营运管理方面
公司在营运管理中采用关键指标管理，尤其在生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运行表现方面
设定了一系列的关键考核指标，覆盖了质量、效率、成本和安全等众多方面。公司定期跟踪各项指标的执行
情况，并根据统计结果和客户反馈，制定出关键指标的改进要求。
2026年，公司获得了多项殊荣，行业认可度不断提升，包括2025福布斯中国ESG50、气候灯塔制造优秀
案例奖、2026年ESG新标杆企业奖入选2026ESG投资价值Top100榜单等。报告期内，公司营运效率持续提高，
设备交付按时率保持在较高水准、物料成本控制等指标达到预期水平。
5、知识产权保障方面
公司高度重视科技创新和知识产权保护工作。报告期内，公司新增专利申请145项，其中发明专利113项
。截至2026年6月30日，公司已申请3837项专利，其中发明专利3097项；已获授权专利2418项，其中发明专
利1925项。公司鼓励创新，组织开展优秀专利奖项的评选活动，着重奖励在产品创新方面取得杰出成效的员
工。
公司深耕知识产权文化建设，以4月26日世界知识产权日为契机，在内部通过组织开展包括知识竞赛、
优秀专利评选、圆桌论坛、大咖开讲等系列活动，提高员工的知识产权保护意识，激发员工对科技创新的信
心和热情。
6、人才建设方面
公司视员工为最宝贵的资产，致力于为员工提供广阔的职业发展空间，构建专业线、管理线发展双通道
，并设计了针对不同发展阶段，包括从入职、成长到成熟，形式多样的职业规划，拓展人才发展渠道，无论
普通员工，还是高管团队均能获得充分的发展机会。同时，公司践行“五个十大”的公司文化，打造赋能型
、人性化、全员参与式的学习氛围，不断激发员工活力，助力员工实现自身职业理想，与企业共同成长发展
。报告期内，公司进一步拓宽人才吸引渠道，从国内外吸引了行业经验丰富的管理及技术人才，并从知名院
校中挑选了一批优秀的毕业生，公司2026年上半年新入职员工655人。公司注重激发组织和员工活力，组织
开展多项深入的专题培训、学习交流活动，涵盖工程技术、战略商务、运营管理、财会金融、人工智能和人
才发展六大学习板块，有力促进培养组织需要的技能，提升组织及人员竞争力，建立学习型组织文化氛围。
公司持续优化人才绩效评估体系及人才晋升机制，使得优势资源更进一步向高绩效员工倾斜。2026年4月23
日，公司向3049名激励对象授予700万股限制性股票。公司持续优化人才梯队，为业务可持续发展提供人才
保障。
7、外延式发展方面
公司不断践行外延式发展策略，公司下属的中微汇链、中微惠创、芯汇康在新业务拓展领域取得了良好
的进展，得到了市场和用户的认可。2025年度，公司参与设立智微资本；在2025年认购了上海智微攀峰创业
投资合伙企业（有限合伙）、持股49%的基础上，2026年拟以14.7亿元认购上海智微凌峰创业投资合伙企业
（有限合伙），支持智微资本继续深耕半导体产业链，与公司业务形成良好的协同效应。
8、内部治理方面
公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构，报告期内持续完善公司治理机制，强化风险管理
和内部控制，严格贯彻执行相关制度，切实保障公司和股东的合法权益，为企业持续健康发展提供坚实基础
。
9、信息披露及防范内幕交易方面
公司严格遵守法律法规和监管机构规定，严格执行公司信息披露管理制度，真实、准确、完整、及时、
公平地履行信息披露义务，通过上市公司公告、投资者交流会、业绩说明会、上证e互动、电话、邮件等诸
多渠道，与投资者保持有效沟通，并确保信息披露合规。报告期内，公司荣获SEMI“杰出半导体设备奖”、
证券时报“第十七届中国上市公司投资者关系管理天马奖”等多个奖项。
公司高度重视内幕交易防范，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、高级管
理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、高级管理人员及相关知情人员严格履行
保密义务并严格遵守买卖股票规定。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
公司主要从事半导体及泛半导体设备的研发、生产和销售，为全球半导体制造商及其相关的高科技新兴
产业公司提供加工设备和工艺技术解决方案，助力他们提升技术水平、提高生产效率、降低生产成本。公司
围绕这一目标，不断加强管理和研发能力，形成了优秀的技术和管理团队，持续研发创新并推出有技术和市
场竞争力的产品。
（一）突出的创始人及技术团队保证公司在高端半导体设备研发和运营的竞争优势
中微公司的创始团队及技术人员拥有国际领先半导体设备公司的从业经验，是国内具有国际化优势的半
导体设备研发和运营团队之一。
中微公司的创始人、董事长及总经理尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有超过40年的行业经验，是国
际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者之一。中微公司的其他联合创始人、核心技术人员和重要的
技术、工程人员，包括各专业领域的专家，其中很多是在国际半导体设备产业耕耘数十年，为行业发展做出
杰出贡献的资深技术和管理专家。他们在参与创立或后续加入中微公司后，不断创造新的技术、工艺和设计
，为公司产品和技术发展做出了不可替代的贡献。中微公司以合作共赢的团队精神和全员持股的激励制度，
吸引了来自世界各地具有丰富经验的半导体设备专家，形成了成熟的研发和工程技术团队。截至报告期末，
公司共有研发人员1908名，占员工总数的51.85%，涵盖了等离子体物理、射频及微波学、结构化学、微观分
子动力学、光谱及能谱学、真空机械传输等相关学科的专业人员。凭借研发团队多年的努力以及持续不断的
研发投入，公司成功研发了具有市场竞争力的半导体刻蚀设备、薄膜设备及MOCVD设备，积累了丰富的研发
和产业化密切结合的经验和雄厚的技术、专利储备。
公司成功打造了一支具有创造力和竞争力的技术和研发团队，有力地保障了公司产品和服务不断创新改
进。
（二）持续高水平的研发投入，依照产业发展提前布局
持续较高水平的研发投入是公司保持核心竞争力的关键。半导体制造对设备的可靠性、稳定性和一致性
提出了极高的要求，半导体设备行业技术门槛较高，行业新进入者需要经过较长时间的技术积累才能进入该
领域。
公司面向世界先进技术前沿，以国际先进的研发理念为依托，专注于高端微观加工设备的自主研发和创
新。公司始终保持大额的研发投入和较高的研发投入占比。公司具有一支技术精湛、勇于创新的国际化人才
研发队伍，形成了良好的企业创新文化，为公司持续创新和研发提供保障力量。
公司积累了深厚的技术储备和丰富的研发经验，这一优势保证了公司产品和服务的不断进步。公司拥有
多项自主知识产权和核心技术，截至2026年6月30日，公司已申请3837项专利，其中发明专利3097项；已获
授权专利2418项，其中发明专利1925项。
在逻辑集成电路制造环节，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线上并
用于3纳米及以下器件中若干关键步骤的加工；同时，公司根据先进集成电路厂商的需求持续进行设备开发
和工艺优化。在3DNAND芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已应用于128层及以上的量产，同时公司根
据存储器件客户的需求正在开发极高深宽比的刻蚀设备和工艺；公司也根据逻辑器件客户的需求，正在开发
更先进刻蚀应用的设备。公司的MOCVD设备PrismoA7、PrismoUniMax能分别实现单腔34片4英寸和41片4英寸
外延片加工能力。公司的PrismoA7与PrismoUniMax设备技术实力突出，已在全球氮化镓基LEDMOCVD市场中占
据领先地位。公司和诸多一流的LED外延片厂商公司紧密合作，实现了产业深度融合。公司开发的12英寸低
压薄膜沉积设备可以用于先进逻辑电路接触孔填充工艺，以及128层及以上3DNAND的多个工艺的制程要求，
同时公司还致力于更先进逻辑电路的接触孔填充设备和更多层数的存储器件接触孔和金属互联填充设备的开
发和工艺验证。
公司高端设备产品和技术处于世界先进水平，产品研发提前布局，符合行业发展趋势。
（三）持续优化营销和服务网络，在产品认证和使用过程与客户形成深度的绑定合作关系积极打造中微
特色的服务优势
经过多年的努力，公司凭借在刻蚀设备及MOCVD设备领域的技术和服务优势，产品已成功进入了海内外
半导体制造企业，形成了较强的客户资源优势。
半导体设备制造商的售后服务尤为关键，关系到设备能否在客户生产线上正常、稳定地运行。随着半导
体制造环节向亚洲转移，相较于国际竞争对手，公司在地域上更接近主流客户，能提供快捷的技术支持和客
户维护。
公司良好的产品性能表现以及专业售后服务能力已在业内树立了良好的品牌形象。
（四）持续拓展泛半导体设备产品，扩大产品覆盖优势
公司的设备产品覆盖集成电路、MEMS、LED、平板显示等不同的下游半导体应用市场，具有不同的周期
性，多产品覆盖能够一定程度平抑各细分市场波动对公司业绩带来的影响。
（五）建立全球化采购体系，持续提升公司生产交付的服务水平
公司对于零部件供应商的选择十分慎重，对供应商的工艺经验、技术水平、商业信用进行严格考核，并
对零部件进行严格测试。公司建立了全球化的采购体系，与全球供应商建立了稳定的合作关系。同时，公司
注重零部件的本土化，在国内培育了众多的本土零部件供应企业，有力地保障了公司产品零部件供应和服务
水平的持续提升。
（六）充分发挥员工主观能动性，打造“总能量”和“净能量”最大化的企业文化
公司高度重视企业管理文化建设，经过20多年的实践发展，总结出了一套科创企业发展和成熟必须要遵
循的客观规律和经验法则，形成了以“产品开发十大原则”、“战略销售十大准则”、“营运管理十大章法
”、“领导能力十大要点”和“精神文化十大作风”为核心的企业管理与发展的哲学。中微一直秉承“自强
不息，厚德载物”和“攀登勇者，志在巅峰”的企业精神，不断攀登新的发展高峰，力争使中微成为总能量
最大化和净能量也最大化的强大而成功的企业。
(三)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司特别重视核心技术的创新。在开发、设计和制造刻蚀设备、薄膜沉积设备和MOCVD等设备的过程中
，公司始终强调创新和差异化并保持高强度的研发投入。通过核心技术的创新，公司的产品已达到国际先进
水平。
1、刻蚀设备技术
报告期内，公司紧跟技术发展趋势和客户需求，坚持自主创新，致力于产品的差异化，持续强化刻蚀设
备的技术领先优势。公司在过去的20多年着力开发了一个完整系列的20多种等离子体刻蚀设备，并积累了大
量的芯片生产线量产数据和客户验证数据。公司CCP和ICP刻蚀机的单、双反应台并举策略的优势凸显。同时
，公司大力投入先进芯片制造技术中关键刻蚀设备的研发和验证，目前针对逻辑和存储芯片制造中最关键刻
蚀工艺的设备已经在客户的产线上展开验证。
公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段
关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。其中CCP方面，公司用于关键刻蚀工
艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长，60比1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备，量产指标稳
步提升，下一代超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场；ICP方面，适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀
设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展，加工的精度和重复性已达到单原子水平。
此外，公司和国内外特殊器件制造客户合作，在先进封装、功率器件、电源管理、微机电系统等领域不
断拓展应用，持续获得订单。公司通过与国际领先客户合作，积极参与新兴器件制造技术的研发，在虚拟现
实技术和医疗诊断有广泛应用前景的超透镜（Metalens）和基于12英寸晶圆的微机电系统制造等方面都取得
可喜的进展，公司设备已经在相应的生产线上进行最新技术的量产。
在不断扩大刻蚀应用市场占有率和提升产品性能的同时，公司致力于建立完整的供应商体系，非常注重
与本土供应商的合作，力争实现以点带面，合作共赢，共同突破。在带动一批本土供应商成长的同时也极大
地助力公司的高速，稳定，健康和安全发展。近年来，公司继续加大供应商本土化和多元化的投入，在合作
的深度和广度上进一步加强，为降本增效和供应链安全提供更加坚实的保障。
2、薄膜沉积设备技术
公司已经实现多种薄膜沉积设备的高效研发与交付。公司完全自主设计开发的双台机钨系列设备，生产
效率达到业界领先水平，在保证较低的化学品消耗的同时，具有优秀的阶梯覆盖率和填充能力，能够满足先
进存储器件关键字线应用、接触孔填充应用及其他多个关键应用，同时也可满足先进逻辑应用中钨接触孔应
用需求，中微独创的接触孔填充方案能够在60比1深宽比的深孔结构中获得国际领先的填充效果。此外，中
微开发的金属钨系列在生产稳定性上也表现出了突出性能，其中原子层沉积金属钨产品晶圆间薄膜均一性达
到了小于1%的水平。公司自主开发的金属栅系列产品，继承中微独特的双反应台设计，通过中微专利的多级
匀气混气设计，基于模型算法的加热系统设计和可实现高效原子层沉积反应的反应腔流导设计等，具备高输
出效率的同时，产品性能达到国际先进水平，可满足先进逻辑关键金属栅应用需求。公司针对先进逻辑、先
进存储器件推出的金属硅化物集成系统，集成了高选择比前清洁腔室，可以提高器件性能，适配先进节点需
求。中微金属硅化物集成系统采用独特的高频脉冲系统设计，模拟优化的中微专利流场设计，以及控制优化
的多区控温系统设计，可以在小尺寸、高深宽比的复杂结构中实现高质量填充，适配先进逻辑器件中的源漏
接触层，背部供电接触层及三维存储器件中的源漏接触层等关键应用需求。
EPI设备方面，公司的减压外延设备已在成熟制程客户端验证成功，也已付运多家先进制程客户端，部
分先进工艺已进入量产验证阶段；常压外延设备现已完成开发，进入晶圆验证阶段。
3、MOCVD设备技术
公司用于蓝光LED的PRISMOD-Blue、PRISMOA7两款MOCVD设备能分别实现单腔14片4英寸和单腔34片4英寸
外延片加工能力。公司的PRISMOA7设备已在全球氮化镓基LEDMOCVD市场中占据领先地位。
用于制造深紫外光LED的高温MOCVD设备PRISMOHiT3，其反应腔最高工艺温度可达1400度，单炉可生长18
片2英寸外延晶片，并可延伸到生长4英寸晶片，已在行业领先客户端用于深紫外LED的生产验证并获得重复
订单。
用于Mini-LED生产的MOCVD设备PRISMOUniMax，具有行业领先的高产能和高灵活性的特点，在同一系统
中可配备多达4个反应腔，每个反应腔都可实现独立控制。PRISMOUniMax配置了785mm大直径石墨托盘，可实
现同时加工164片4英寸或72片6英寸外延晶片，有效提高产能并降低生产成本；创新的多区辅助加热调节系
统，能精确控制托盘局部区域温度，有助于更大程度上提升LED波长均匀性。PRISMOUniMax已在领先客户端
开始进行规模化生产，助力公司在全球氮化镓基LEDMOCVD市场中持续占据领先地位。
用于硅基氮化镓功率器件用MOCVD设备PRISMOPD5，具有高灵活性的特点，在同一系统中可配备多达4个
反应腔，每个反应腔都可实现独立控制，仅通过更换石墨托盘即可实现6英寸与8英寸工艺的便捷切换，PRIS
MOPD5设备已在客户生产线上验证通过并获得重复订单。
用于Micro-LED生产的MOCVD设备PreciomoUdx，具有高度生产灵活性，在同一系统中最多可配置两个反
应腔，每个反应腔可以独立控制，可同时加工18片6英寸或者12片8英寸高性能氮化镓基蓝绿光Micro-LED外
延晶片。系统配置了自主开发的基于模型的温控系统，具有优异的波长均匀性和产出稳定性等优势；设备集
成了腔内原位清洁功能，实现长周期免维护连续运行，结合业界领先的片盒到片盒自动化生产模式，有效降
低了Micro-LED外延片的颗粒缺陷数。PreciomoUdx已在领先客户生产线上验证通过并获得重复订单。
五、报告期内主要经营情况
2026年上半年公司营业收入约66.91亿元，较上年同期增加约17.31亿元，同比增长约34.89%。
〖免责条款〗
1、本公司力求但不保证提供的任何信息的真实性、准确性、完整性及原创性等，投资者使
用前请自行予以核实，如有错漏请以中国证监会指定上市公司信息披露媒体为准，本公司
不对因上述信息全部或部分内容而引致的盈亏承担任何责任。
2、本公司无法保证该项服务能满足用户的要求，也不担保服务不会受中断，对服务的及时
性、安全性以及出错发生都不作担保。
3、本公司提供的任何信息仅供投资者参考，不作为投资决策的依据，本公司不对投资者依
据上述信息进行投资决策所产生的收益和损失承担任何责任。投资有风险，应谨慎至上。
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