经营分析☆ ◇605358 立昂微 更新日期：2026-05-23◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
半导体硅片、半导体功率器件芯片、化合物半导体射频芯片
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体(行业) 35.51亿 98.90 3.51亿 99.26 9.90
其他业务(行业) 3961.31万 1.10 263.28万 0.74 6.65
─────────────────────────────────────────────────
半导体硅片(产品) 23.85亿 66.40 1.34亿 37.94 5.64
半导体功率器件芯片(产品) 8.39亿 23.37 1.93亿 54.57 23.03
化合物半导体射频及光电芯片(产品) 3.27亿 9.12 2385.94万 6.74 7.29
其他业务(产品) 3961.31万 1.10 263.28万 0.74 6.65
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 32.68亿 91.00 3.28亿 92.63 10.04
境外(地区) 2.84亿 7.90 2345.27万 6.62 8.27
其他业务(地区) 3961.31万 1.10 263.28万 0.74 6.65
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 35.51亿 98.90 3.51亿 99.26 9.90
其他业务(销售模式) 3961.31万 1.10 263.28万 0.74 6.65
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体硅片(产品) 11.15亿 66.96 7366.04万 39.70 6.60
半导体功率器件芯片(产品) 4.18亿 25.09 1.06亿 57.09 25.35
化合物半导体射频和光电芯片(产品) 1.19亿 7.12 225.62万 1.22 1.90
其他业务(产品) 1387.67万 0.83 368.99万 1.99 26.59
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 15.12亿 90.78 1.76亿 94.92 11.65
外销(地区) 1.40亿 8.39 573.66万 3.09 4.11
其他业务(地区) 1387.67万 0.83 368.99万 1.99 26.59
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体(行业) 30.63亿 99.07 2.61亿 96.56 8.52
其他业务(行业) 2889.85万 0.93 929.44万 3.44 32.16
─────────────────────────────────────────────────
半导体硅片(产品) 19.06亿 61.62 -3463.44万 -12.81 -1.82
半导体功率器件芯片(产品) 8.62亿 27.89 2.57亿 95.04 29.80
化合物半导体射频芯片(产品) 2.95亿 9.55 3873.89万 14.33 13.11
其他业务(产品) 2889.85万 0.93 929.44万 3.44 32.16
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 28.66亿 92.69 2.57亿 95.00 8.96
境外(地区) 1.97亿 6.37 421.79万 1.56 2.14
其他业务(地区) 2889.85万 0.93 929.44万 3.44 32.16
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 30.63亿 99.07 2.61亿 96.56 8.52
其他业务(销售模式) 2889.85万 0.93 929.44万 3.44 32.16
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体硅片(产品) 8.71亿 59.69 927.00万 5.13 1.06
半导体功率器件芯片(产品) 4.48亿 30.72 1.40亿 77.64 31.28
化合物半导体射频芯片(产品) 1.28亿 8.80 2627.81万 14.55 20.47
其他业务(产品) 1145.44万 0.79 483.66万 2.68 42.22
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 13.61亿 93.31 1.69亿 93.63 12.42
外销(地区) 8619.13万 5.91 667.14万 3.69 7.74
其他业务(地区) 1145.44万 0.79 483.66万 2.68 42.22
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售12.67亿元，占营业收入的35.28%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│芯联集成电路制造股份有限公司 │ 21002.97│ 5.85│
│合计 │ 126687.78│ 35.28│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购4.84亿元，占总采购额的21.71%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│林德气体（宁波）有限公司 │ 5067.66│ 2.27│
│合计 │ 48395.90│ 21.71│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-12-31
●发展回顾:
一、报告期内公司从事的业务情况
（一）业务概况
公司是国内极少数的半导体垂直一体化平台型企业，横跨半导体硅片、功率半导体、化合物半导体三大
细分行业，实现了横向多赛道覆盖与纵向关键环节的深度融合，形成了从前端核心材料到中后端高端芯片的
完整产业闭环。
公司三大业务板块——半导体硅片、半导体功率器件芯片、化合物半导体射频及光电芯片，如驱动公司
发展的“三驾马车”，各自聚焦细分领域，相互支撑、协同发展，已建立起行业领先的市场地位与核心竞争
力。三大板块并非孤立的业务单元，而是依托共同的技术底蕴、共享的制造平台与协同的客户资源，形成的
有机整体。这种复合型业务架构，共同构建了从硅片到芯片的一站式产品与解决方案平台，精准服务于能源
革命、智能计算与无线连接的时代需求，构筑起抵御行业周期波动的战略纵深。
报告期内，公司持续聚焦核心主业，深耕技术创新，优化产品结构，积极把握新能源、汽车电子、新一
代通信、卫星互联网、人工智能、机器人、无人机等高景气赛道的战略机遇，推动核心业务稳健发展，整体
经营质量与核心竞争力实现持续提升。
半导体硅片业务：公司主营6英寸、8英寸、12英寸半导体硅抛光片及硅外延片，产品覆盖轻掺、重掺、
N型、P型等多品类，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、模拟芯片、传感器等领域，下游覆盖新能
源汽车、储能、新一代通信、工业控制、人工智能、消费电子、AI服务器和数据中心等高端市场。轻掺硅片
具有高电阻率、低缺陷密度、晶体完整性优异的特点，主要作为逻辑芯片、存储芯片、模拟及射频芯片的基
础衬底，在产业链中处于芯片制造最前端，决定芯片性能、良率与可靠性，是高端制程不可或缺的核心材料
。重掺硅片通过高浓度掺杂实现超低电阻率，主要用于功率器件、高压器件、大电流芯片，能够显著提升器
件导通效率与散热能力。8英寸硅片主要面向功率器件、电源管理、汽车电子等成熟工艺平台，12英寸硅片
则面向先进制程与高端功率芯片。
公司半导体硅片业务重点发展8英寸、12英寸重掺硅片与轻掺硅片，其中12英寸硅片已覆盖14nm以上技
术节点逻辑电路和存储电路，以及客户所需技术节点的图像传感器件和功率器件。
半导体功率器件芯片业务：公司以特色工艺6英寸功率器件芯片为核心，形成SBD（肖特基二极管，沟槽
型和平面型）芯片、FRD（快恢复二极管）芯片、MOSFET（金属氧化层半导体场效晶体管）芯片、TVS（瞬态
抑制二极管）芯片等系列化产品布局。产品主要应用于新能源汽车、新能源逆变器、储能变流器、充电桩、
工业电源、AI服务器电源、白色家电等场景，是电能转换与功率控制的核心元器件。SBD基于金属-半导体势
垒结构，利用肖特基势垒实现低正向压降、超快开关速度，无反向恢复电荷，显著降低开关损耗。在产业链
中为功率转换核心芯片，是车载电源、新能源逆变器、快充适配器的关键整流器件，保障系统高效、低噪、
高可靠运行。FRD通过特殊掺杂与工艺优化反向恢复特性，兼具高耐压与快速关断能力，适配高频、高压功
率回路。作为功率回路核心续流/整流器件，广泛用于新能源汽车电机控制器、新能源逆变器、工业UPS，提
升系统效率与稳定性。MOSFET以栅极电压控制沟道导通，输入阻抗高、开关速度快、驱动简单，支持高频、
高效功率控制。在产业链中为核心功率开关器件，覆盖新能源汽车OBC、车载DC-DC变换器、新能源组串逆变
器、服务器电源，是电能转换与系统控制的核心执行单元。TVS利用雪崩击穿或齐纳击穿特性，在纳秒级吸
收浪涌电压，保护后级电路免受过压损坏。作为电路保护核心器件，广泛用于汽车电子控制单元、通信设备
、消费电子接口，保障系统在静电、浪涌冲击下安全稳定，是保障系统安全运行的关键基础器件。
公司半导体功率器件芯片业务重点发展车规级功率器件芯片及高附加值产品，覆盖650V–1200V全电压
平台，在新能源与工业控制功率半导体领域形成稳定的市场竞争力。
化合物半导体射频及光电芯片业务：公司主要产品是HBT（异质结双极晶体管）、pHEMT（赝配高电子迁
移率晶体管）、VCSEL（垂直腔面发射激光器）及GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）芯片，广泛应用于轨道卫
星通信（高、中、低）、新一代通信、导航系统、车载激光雷达、智能驾驶、人形机器人、扫地机器人、无
人机、光通信及手机终端等高端场景。HBT基于砷化镓异质结，兼具高频率、高功率密度与线性度，适配射
频功率放大。作为射频功率核心器件，用于手机射频前端、卫星通信终端、无线基站，保障信号大功率、高
效率发射。pHEMT基于砷化镓/铝镓砷异质结构，利用二维电子气实现超高频率、低噪声、高增益，适配毫米
波与微波频段。在产业链中为射频前端核心放大器件，用于新一代通信基站、低轨卫星通信、雷达系统，实
现信号低噪放大与远距离传输。VCSEL以垂直谐振腔结构，实现单模/多模激光发射，具有低阈值、高调制速
率、易阵列集成特性。在产业链中为光电发射核心芯片，用于车载激光雷达、3D传感、数据中心光互联，是
智能驾驶、机器视觉的核心感知光源。GaN-on-SiC芯片是以碳化硅为衬底、氮化镓为有源层，结合GaN高频
、高功率与SiC高热导率优势，实现高压、高频、高温稳定工作。作为宽禁带射频/功率核心器件，突破硅基
器件性能极限，提升系统功率密度与能效，用于新一代通信基站功放、卫星通信、新能源汽车车载电源、工
业高频电源，是下一代射频与功率系统的核心升级方向。
公司化合物半导体射频及光电芯片业务以6英寸GaAs（砷化镓）射频芯片与VCSEL光电芯片为核心，构建
覆盖射频放大、信号发射与光电探测的完整产品体系，具备自主可控的6英寸晶圆制造工艺壁垒，高端产品
实现规模化突破。
（二）经营模式
公司采用“半导体硅片、半导体功率器件芯片、化合物半导体射频及光电芯片”三轮驱动、纵向一体化
协同的经营模式，构建完整产业链布局。该模式通过各板块梯次发展与协同驱动，实现短期盈利稳定与长期
增长动能结合，区别于单一业务或单一环节企业受行业周期与市场需求波动影响较大的局限。核心逻辑为：
依托盈利稳定的中小尺寸硅片产品支撑大尺寸硅片的研发与产业化投入，以具有行业领先水平的重掺硅片业
务为牵引带动轻掺硅片业务的技术创新和产能爬坡，持续巩固硅片板块全尺寸竞争优势；同时以成熟的半导
体硅片及半导体功率器件芯片业务为基础，为化合物半导体射频及光电芯片业务提供全方位支撑，带动射频
及光电芯片业务快速实现技术突破与产能放量，形成“成熟业务稳盈利、攻坚业务快突破、新兴业务高增长
”的梯次发展格局。
在此模式下，硅片板块为功率器件芯片板块提供核心衬底材料自主供应，降低原材料采购成本与供应链
风险，提升产品交付稳定性；功率器件芯片为硅片板块提供稳定的内部需求、高效的技术反馈和市场资源，
消化硅片产能的同时推动硅片产品向定制化、高端化升级，实现“材料与器件的双向赋能”；射频及光电芯
片业务的高成长性为公司打开长期成长空间，在卫星互联网、激光雷达、机器人、无人机等终端应用领域占
据先发优势。这种全产业链的协同效应是公司的核心价值。
（三）市场地位
公司三大业务板块，凭借产业链上下游整合优势、领先核心技术、优质客户资源及完善产能布局，成功
打造协同互补、梯次发展的全链条产业生态，各业务板块构建显著竞争壁垒，均居细分行业龙头地位，在行
业内具备较高知名度和品牌影响力。
在半导体硅片领域，公司是国产半导体硅片产业的先行者，是我国较早从事半导体硅片制造的企业之一
，在硅片领域拥有完整的自主知识产权，建立了完善的单晶炉热场设计理论和大直径硅单晶生长理论，具备
深厚的技术积累与市场基础。在12英寸大硅片方面持续推进研发攻关与产能建设，现已跻身第一梯队，成为
支撑国内半导体产业链自主可控的主流供应商。公司作为我国半导体硅片行业领先企业及重掺领域龙头企业
，也是国内少数能够同时规模化生产全尺寸半导体硅片的企业之一。2025年，公司全尺寸硅片出货量折合4.
78亿平方英寸，约占全球硅片出货量的3.68%。拥有全球产能及市占率最大的6英寸硅片生产基地、国内单体
产能规模最大的8英寸硅片生产基地以及国内主要的12英寸硅片生产基地。重掺系列硅片在国内市场占据绝
对领先地位，其中8英寸在国内主要客户端的国产采购占比约40%，12英寸重掺砷、重掺磷低电阻产品在国内
客户端的国产采购占比超过50%，定价能力与国际巨头相当。重掺锑、超低阻重掺硼、砷烷外延等特殊规格
产品在国内实现独家供应。
在半导体功率器件芯片领域，公司作为国内特色工艺路线功率器件芯片制造者，依托自产硅片形成的全
链条协同优势，公司构建了特色工艺技术和突出的成本控制能力，实现了从材料到芯片的自主可控。公司车
规级产品比例不断提升，是博世、大陆集团、法格电子、台湾半导体、安世等国际顶级汽车电子厂商的合格
供应商，是比亚迪、长城、小米等国内主流车企的供应商；在新能源与工业领域，光伏用控制芯片全球市场
占有率超过30%；应用于新能源电控系统的FRD产品成功进入国内某重点逆变器制造厂商的供应链，实现了对
其原海外主流供应商的替代升级，成长为该客户的核心供应商。公司产品广泛应用于新能源汽车、储能及工
业控制场景，是绿色能源核心器件的赋能者。
在化合物半导体射频及光电芯片领域，公司是国内射频及光电芯片技术的重要突破者。作为国内较早建
成6英寸砷化镓射频芯片商业化产线的企业，公司长期专注于HBT、pHEMT、BiHEMT、VCSEL及GaN-on-SiC等先
进工艺的研发与量产，构建了布局完善、技术领先的高壁垒核心技术体系。公司是国内少数具备大规模量产
能力的化合物半导体射频及光电芯片制造平台，技术与产能均处于全球前列，尤其在VCSEL与GaN-on-SiC工
艺上实现了引领性突破：公司目前是中国大陆独家、全球唯二能够稳定量产二维可寻址VCSEL芯片的厂商，
该技术已成功应用于高端激光雷达领域；公司是国内唯一稳定供应星载0.15μmE/D-pHEMT双工艺射频芯片的
厂商，有效打破了国外垄断。此外，公司开发的6英寸GaN-on-SiC晶圆性能已达到国际先进水平，全方位巩
固了公司在该领域的核心竞争地位。
二、报告期内公司所处行业情况
2025年，全球半导体行业逐步走出周期底部，稳步进入复苏上行通道，行业整体景气度持续攀升。WSTS
（世界半导体贸易统计组织）数据显示，2025年全球半导体市场规模达7,280亿美元，同比增长15.40%，复
苏态势明确。国内半导体产业同步受益于国产替代进程加速与人工智能、新能源、智能驾驶等新兴应用场景
的双重驱动，呈现出“高端化、规模化、差异化”的鲜明发展特征，产业竞争力持续提升。
从各细分行业来看，公司所处三大核心领域均呈现差异化高景气发展态势，具体如下：
在半导体硅片领域，2025年全球市场呈现“量增价减”的复苏特征，行业景气度拐点正式显现。SEMI（
国际半导体产业协会）分析报告显示，2025年全球硅片出货量同比增长5.80%，达到129.73亿平方英寸，标
志着全球硅片出货量正式重回增长通道；但同期硅片销售额同比下滑1.2%至114亿美元，反映出行业价格环
境仍处于承压状态。这一“量价背离”态势的形成，主要源于两大因素：一方面，受人工智能应用快速渗透
驱动，逻辑芯片用先进外延片与高带宽内存（HBM）用抛光片需求持续强劲，直接拉动整体出货量增长；另
一方面，传统半导体应用领域需求依旧疲软，行业整体价格环境尚未得到根本改善，进而导致销售额出现下
滑。
在功率半导体领域，2025年全球市场在新能源汽车、储能、工业变频等绿色能源应用的强劲拉动下，保
持高速增长态势。根据GlobalMarketInsights（全球市场洞察公司）数据，2025年全球功率半导体市场规模
达到557亿美元，其中新能源领域（含新能源汽车、储能）贡献了约40%的市场增长，成为行业增长的核心引
擎。中国报告大厅数据显示，2025年中国功率半导体器件市场规模达212亿美元，占全球市场份额的38.20%
，近五年复合年增长率达15.60%，市场增长潜力显著。其中，新能源汽车是功率半导体最主要的增长驱动力
，据行业测算，纯电动汽车所使用的功率半导体价值量约为传统燃油汽车的5至8倍。中国汽车工业协会发布
的数据显示，2025年我国汽车产销量均突破3,400万辆，再创历史新高，其中新能源汽车产销量均超1,600万
辆，国内新车销量占比突破50%，直接带动车规级功率器件需求爆发式增长。此外，国家能源局数据显示，2
025年全国光伏新增装机3.17亿千瓦，同比增长14%；全国光伏发电装机容量达到12亿千瓦，同比增长35%，
新能源领域的快速发展进一步释放了功率半导体的市场需求。
在化合物半导体领域，2025年市场在功率、射频及光电子三大核心应用领域持续积蓄增长动能，发展势
头迅猛。根据FortuneBusinessInsights（财富商业洞察）数据，2025年全球化合物半导体市场规模达到423
.60亿美元，行业增长空间广阔。其中，射频芯片领域受益于新一代通信基站建设持续推进、低轨卫星互联
网快速发展，需求保持稳步增长；光电芯片则依托智能驾驶（激光雷达）、AI终端（机器人视觉）等新兴场
景的爆发式增长，需求激增。QYResearch（恒州博智）数据显示，2025年全球化合物半导体射频芯片市场销
售额达到31.58亿美元；中商产业研究院分析数据显示，2025年中国射频前端芯片市场规模已突破1,150亿元
，同比增长约15%；中国激光雷达市场规模预计达240.70亿元，同比增长超70%，为化合物半导体产业发展提
供了强劲支撑。
总体来看，2025年公司所处行业整体呈现“复苏上行、国产加速、高端突破、协同发展”的发展特点，
既为公司发展提供了广阔的市场空间和政策机遇，也带来了技术快速迭代、国际市场竞争加剧等方面的挑战
。公司所处的半导体硅片、功率半导体、化合物半导体三大细分行业，均处于行业高景气发展阶段，充分受
益于下游新兴赛道需求爆发与国产替代红利，行业发展前景广阔，为公司核心业务的稳健发展奠定了坚实的
行业基础。
三、经营情况讨论与分析
2025年，公司紧抓行业复苏与国产替代机遇，聚焦高端研发、产能释放、成本控制及客户拓展，各业务
板块稳健发展，龙头地位持续夯实，技术与产能突破显著。公司已处于从“产能扩张期”向“业绩释放期”
的关键拐点，经营业绩稳步改善。
（一）经营成果概述
报告期内，公司实现营业收入359,091.90万元，同比增长16.12%，其中实现主营业务收入355,130.59万
元，同比增长15.93%，创出历史新高。从产品销售金额来看，半导体硅片业务收入267,868.04万元（含对母
公司的29,413.74万元），同比增长19.66%，其中12英寸硅片收入85,937.36万元，同比增长65.63%；半导体
功率器件芯片业务收入83,931.83万元，同比略有下降，其中FRD芯片收入17,841.78万元，同比增长96.18%
；化合物半导体射频及光电芯片业务收入32,744.47万元，同比增长10.84%，其中VCSEL芯片收入4,635.38万
元，同比增长723.30%，pHEMT芯片实现收入4,194.60万元，同比增长18.75%。从产品销量情况来看，各业务
板块呈现差异化增长与突破性发展态势，高端产品迭代升级与新场景应用拓展成为公司增长的核心引擎。20
25年，公司硅片总销量折合6英寸1,939.74万片（含对母公司的248.16万片），同比增长28.22%，其中12英
寸销量178.57万片（折合6英寸714.29万片），同比增长61.90%；半导体功率器件芯片销量193.37万片，同
比增长6.01%，其中FRD销量22.68万片，同比增长87.04%；化合物半导体射频及光电芯片销量4万片，同比基
本持平。
报告期内，公司实现EBITDA（息税折旧摊销前利润）111,971.85万元，同比增长75.86%；实现归属于上
市公司股东的净利润-14,244.42万元，同比减亏幅度达46.40%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损
益的净利润-18,279.28万元，同比减亏幅度达31.27%。
报告期内，公司实现归属于上市公司股东的净利润同比大幅减亏，主要得益于半导体硅片板块盈利能力
的复苏。随着产品结构持续向高端化迭代升级，半导体硅片业务折合6英寸的平均销售单价自2025年第一季
度起呈现逐季提升态势，加之产销规模的稳步扩张，尤其是12英寸硅片产销量实现大幅增长，硅片单位成本
亦随之同步下降。在销售价格提升和单位成本下降的双重驱动下，合并口径半导体硅片业务的主营毛利率从
2024年度的-1.82%上升至2025年度的5.64%，其中12英寸硅片负毛利率同比收窄显著，主营毛利率从-77.60%
大幅收窄至-33.16%。受此影响，硅片业务特别是12英寸硅片本期计提的存货跌价准备金额也大幅缩减。
2025年度公司净利润续亏的主要原因有：（1）随着公司扩产项目陆续转产，本报告期折旧摊销支出112
,787.31万元，同比增加18,880.05万元；（2）基于谨慎性原则，本报告期计提了12,545.81万元的存货跌价
准备；（3）报告期内公司计提了13,539.93万元的可转债利息费用；（4）2024年12月控股子公司金瑞泓微
电子收购联营企业嘉兴康晶持有的嘉兴金瑞泓41.30%股权导致利润减少4,625.35万元。
报告期内，经营活动产生的现金流量净额为83,864.40万元，与上年同期的81,096.60万元相比，增加2,
767.80万元，增长3.41%；投资活动产生的现金净流出84,567.33万元，与上年同期的210,773.48万元相比，
减少126,206.15万元，降幅59.88%，主要系本期购建固定资产支付的现金相比上年同期大幅减少所致；筹资
活动产生的现金净流出9,374.16万元，较上年同期减少120,164.75万元（上年同期为净流入110,790.59万元
），主要系本期收到的借款减少及偿还的借款增加共同影响所致。
报告期末，公司总资产1,922,470.11万元，较期初下降0.51%；总负债1,107,955.86万元，较期初增长0
.82%；归属于上市公司股东的净资产719,862.10万元，较期初下降1.90%。
（二）具体经营情况介绍
报告期内，公司聚焦核心目标，攻坚克难、精准发力，重点推进以下经营工作，各项工作取得明显成效
，核心成绩突出、领先优势凸显。
1、聚焦高端产品研发，技术突破成果斐然，筑牢核心技术壁垒
公司坚持创新驱动，持续优化研发体系，聚焦三大业务开展高端技术攻关，推动研发成果高效转化，为
业务扩张与产品升级提供了坚实支撑。
（1）半导体硅片业务：以重掺晶体生长配套外延沉积技术为核心根基，全速推进12英寸轻掺硅片的快
速上量和新客户拓展。公司12英寸轻掺硅片产品线坚持高端化、差异化发展路线，充分发挥深厚的外延工艺
技术积淀，着力构建多元化的产品矩阵，区别于传统轻掺硅片过度集中于特定应用领域的市场格局，已在逻
辑电路、BCD工艺、PMIC电源管理等非存储类应用领域形成全系列覆盖。其中，逻辑电路用轻掺硼外延片，B
CD工艺、PMIC电源用轻掺硼硅片等相较于常规轻掺硅片具有更高议价能力的核心产品已在客户端快速上量；
成功实现CIS器件应用领域28nm制程标志性突破，应用于安防监控、手机摄像及医疗检测的CIS外延产品快速
上量，特别是适配下一代更高像素CIS器件的渐变外延产品研发成功，国内外头部客户积极验证中。
在重掺硅片领域，公司持续巩固领先地位，同步加快重掺磷、重掺砷超低阻产品的迭代开发。其中12英
寸重掺砷、12英寸重掺磷衬底外延片等多款产品采用了全球领先的超重掺杂单晶生长技术，实现了极高浓度
及高均匀性掺杂，衬底电阻率可低至0.001Ω·cm量级，可显著降低功率器件的导通电阻和开关损耗，满足A
I服务器电源对高效率、高功率密度的苛刻工况要求。具有独创性的特色砷烷外延产品获得客户全方位认可
，出货量及市场占有率强势攀升；12英寸MCZ超低氧抛光片精准切入国内外高压IGBT市场并成功上量，广泛
应用于新能源汽车、智能电网等领域；全尺寸系列高质量埋层外延产品在客户端验证通过，应用于高频滤波
器的超高阻抛光片持续增量。
报告期内，公司面向多元化应用场景共开发21类具有差异化的新产品，其中：12英寸新产品131款，进
入量产112款；8英寸新产品124款，进入量产96款；6英寸新产品156款，进入量产136款。通过对晶体生长、
切片、抛光、外延全流程工艺的持续优化与流程再造，产品良率与生产效率实现倍增。以差异化的技术路径
和卓越的定制化产品性能，避开同质化竞争，不断夯实在高端硅片市场的领先地位。
（2）半导体功率器件芯片业务：全面启动车规级产品对标国际标杆工程，建立动态技术对标机制，集
中突破FRD结构优化、SJMOS导通损耗、IGBT开关特性等关键技术瓶颈，新一代高频低损耗、高可靠性FRD芯
片在新能源汽车与工业控制领域实现国产替代。自主搭建的设计代工开发平台获得产业链主流厂商认可，为
工业通信、电源管理芯片自主可控提供重要支撑。全年完成225款新品开发，其中FRD产品占比20%左右，某
重点客户应用于大型风光储能1200V项目的产品顺利实现量产；SBD、TVS、MOS各品类新品完成梯度开发与客
户验证，其中新能源控制芯片迭代款实现VR提升10%、VF下降2mV的性能优化，产品竞争力显著提升。
（3）化合物半导体射频及光电芯片业务：公司聚焦高频高增益技术路线，持续深化异质结外延等核心
工艺研发，同步推进低成本工艺与材料国产化替代。
在pHEMT芯片领域，公司攻克了器件跨导线性度与功率附加效率的耦合难题，开发的“多功能应用双0.1
5μmGaAspHEMT工艺（LP09-10）”已应用于千帆星座系统；优化后的LP09-20工艺击穿电压达15V以上，E-mo
de击穿性能提升两倍，并完成多轮迭代与材料国产化定型，公司pHEMT技术已覆盖卫星通信领域从低轨到高
轨不同应用场景的多元化器件，可满足不同轨道卫星通信对射频芯片的多样化需求。同时，可适配宇航级芯
片、高端专用通信等高可靠应用场景，满足特殊领域小批量、多批次、定制化的配套需求，积累了众多航天
领域的优质客户，形成较高技术壁垒和准入优势。
在HBT芯片领域，自主开发的第三代LH0Z新工艺采用ICP干法结合湿法刻蚀，实现0.5μmT-Base与Ledge
结构，显著降低寄生电容、提升性能与可靠性，可覆盖2GHz-10GHz的多频段应用，是目前全球最先进的HBT
工艺之一，已进入新一代通信/WiFi7手机射频前端及基站功放等高端市场；InGaPDHBT工艺亦达国际先进水
平，进入全球部分手机头部客户供应链。
在光电芯片领域，背发光透镜VCSEL工艺已完成开发并实现客户送样；二维可寻址大功率VCSEL技术达全
球领先水平；相关产品深度赋能车载激光雷达、智能视觉传感领域；同时前瞻性布局高速光通信技术，搭建
起850nm-1060nm波段的高速VCSEL技术能力，可支撑10Gbps-100Gbps的数通市场，同时微矩阵、背发光技术
也积累了深厚技术基础，具备向数据中心光互联、前沿硅光应用领域延伸拓展的技术实力。
在GaN-on-SiC领域，6英寸GaN-on-SiCHEMT工艺已完成开发并进入客户验证阶段。整体而言，公司形成
了多种类化合物射频芯片与高性能光电芯片双轮驱动的平台化能力，应用边界持续拓宽，多项工艺具备客户
送样与规模量产条件，为下一阶段增长储备了关键技术。
2、推进产能精准释放，规模效应凸显，成本控制成效显著
公司聚焦产能释放、效率提升与成本优化，通过精准排产与精益管理，推动既有产能充分释放，实现产
能向产出的高效转化。
（1）产能爬坡成效显著：各业务板块产能持续爬坡，其中12英寸重掺硅片产能爬坡迅速，目前稼动率
已超80%，接近满产。通过持续的设备改造、技术改进与工艺优化，12英寸及8英寸产线的关键环节在生产效
率和产品良率上均取得显著进步，各产线已逐步进入稳定、高效运转阶段。海宁基地砷化镓产线建成了年产
6万片生产能力，实现了商业化量产，为后续产能释放奠定坚实基础。
（2）生产效率持续提升：硅片板块引入BLM业务领先模型，助力硅片业务实现年销售额20%左右的增长
，其中12英寸重掺外延片年度销量翻倍，各类产品市场占有率稳步提升，产能转化效率显著提高。功率器件
芯片板块人均产出效率持续提升。射频及光电芯片板块对杭州基地的生产运营与管理体系进行系统性调整，
组建年轻化管理团队，推动晶圆入库与产品出货量在11月双双创下历史新高，顺利迈入稳定量产阶段，同时
工艺良率大幅提升。
（3）国产化与成本控制：公司通过订单全生命周期可视化管理与跨职能协同响应机制，贯通三大业务
链生产调度，提升产能利用率。依托全产业链优势，优化生产流程、推进精益生产，降低单位生产成本，各
业务板块成本管控亮点突出。硅片板块供应链持续推进多品类原辅料国产化替代及二供体系建设，针对石墨
件、石英坩埚、金刚线、研磨液等关键物料，通过招投标及国产化替代等举措有效降低成本，降本效果突出
。功率芯片板块在光刻胶等重要材料上完成了高比例的国产化切换，并通过技术改造与产能整合，有效降低
了特定工艺环节的物料消耗，提升了设备综合利用率。射频及光电芯片板块建立贵金属全流程管控体系，ME
S系统实现蒸发加金监控、点检片加工量追溯，有效降低贵金属损耗。
3、深化高端客户合作，客户结构持续优化，订单储备充足
公司深化高端客户战略合作，增强客户粘性，推动核心客户订单稳健增长，为业务可持续发展提供坚实
基础。
（1）半导体硅片业务：与中芯国际、华虹公司等头部晶圆厂深入合作，产品覆盖14nm以上技术节点，
批量供应高端硅片产品；与格科微建立深度战略合作关系，成为其CIS领域核心材料供应商，协
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