中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，第三凹槽对准精度提升

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN121054562A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成第一掩膜结构；以第一掩膜结构为掩膜刻蚀待刻蚀层，在第一掩膜结构内和待刻蚀层内形成初始第一凹槽和初始第二凹槽，初始第一凹槽的宽度大于初始第二凹槽的宽度；在初始第一凹槽的侧壁表面和底部表面、初始第二凹槽的侧壁表面和底部表面以及第一掩膜结构顶部表面形成掩膜材料层，掩膜材料层在初始第一凹槽底部具有第一厚度，在初始第二凹槽底部具有第二厚度，第二厚度大于第一厚度；回刻蚀掩膜材料层，直至暴露出初始第一凹槽底部的待刻蚀层，形成位于初始第一凹槽侧壁表面、初始第二凹槽侧壁表面和底部表面的第二掩膜结构；以第二掩膜结构为掩膜刻蚀初始第一凹槽底部的待刻蚀层，形成和初始第一凹槽相贯通的第三凹槽。所述形成方法形成的第三凹槽对准精度提升。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目53次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

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