中芯国际申请半导体结构的特征获取方法及系统专利，提高半导体结构特征尺寸的准确度

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的特征获取方法及系统”的专利，公开号CN121048550A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构的特征获取方法及系统，主要包括：对目标半导体结构进行第i次减薄后，采用二维图像获取装置获取目标半导体结构的第i二维扫描图像，采用厚度检测装置获取目标半导体结构的第i薄膜厚度；获取N个第i二维扫描图像和N个第i薄膜厚度；从N个第i二维扫描图像中，提取N个第i平面特征尺寸；根据N个第i平面特征尺寸和N个第i薄膜厚度，确定目标半导体结构的三维结构特征。本申请确定的目标半导体结构的三维结构特征，能够详细表示半导体结构特征尺寸，提高半导体结构特征尺寸的准确度。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

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