中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，能够进一步提高半导体结构的性能

本文源自:金融界

金融界2025年5月2日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN119907288A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；沟道结构层，位于所述基底顶部，所述沟道结构层包括一个或多个在纵向上间隔设置的二维材料沟道层；器件栅极结构，位于所述基底上且横跨所述沟道结构层，所述器件栅极结构环绕覆盖所述二维材料沟道层；源漏接触层，位于所述器件栅极结构两侧的沟道结构层中；内壁层，位于所述二维材料沟道层下方的器件栅极结构的侧壁和所述源漏接触层之间；层间介质层，位于所述源漏接触层的顶部，且所述层间介质层覆盖所述器件栅极结构的侧壁。半导体结构的沟道层材料为二维材料，沟道层采用二维材料能够提高电荷迁移的速率，从而能够进一步提高半导体结构的性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目117次，财产线索方面有商标信息149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。