天合光能申请钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及其制备方法专利，实现更好的场钝化效果

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金融界2024年3月5日消息，据国家知识产权局公告，天合光能股份有限公司申请一项名为“钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及其制备方法“，公开号CN117650196A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本申请涉及一种钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及其制备方法。包括：于半导体衬底上形成隧穿层；于隧穿层上形成本征半导体层；于本征半导体层上形成包含有掺杂剂的掺杂层；对掺杂层进行激活处理，以使掺杂层中的掺杂剂扩散入本征半导体层中形成掺杂半导体层；其中，隧穿层和掺杂半导体层构成钝化接触结构。如此，一方面，通过在本征半导体层上设置含有掺杂剂的掺杂层，可以提供充足的掺杂剂，有效填充晶界缺陷，并实现较高浓度的掺杂，从而实现更好的场钝化效果；另一方面，掺杂剂从本征半导体层表面进入，由于本征半导体层的缓冲作用，掺杂剂在扩散过程中对隧穿层的破坏更小，形成的针孔密度更低，从而使钝化性能更好。