兴福电子获得发明专利授权：“一种选择性蚀刻氮化硅及氧化硅和氮化钛的蚀刻液”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示兴福电子（688545）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种选择性蚀刻氮化硅及氧化硅和氮化钛的蚀刻液”，专利申请号为CN202411696140.7，授权日为2026年5月12日。

专利摘要：本发明涉及一种选择性蚀刻氮化硅和氧化硅、氮化钛的蚀刻液，该蚀刻液包括磷酸、表面活性剂、蚀刻抑制剂和超纯水。本发明所述的蚀刻液和处理条件，对于氮化硅和氧化硅、氮化钛的蚀刻具有较高的蚀刻选择性和稳定的蚀刻速率。表面活性剂能够改善蚀刻液中溶剂的溶解性，降低溶液中固液相界面的张力，促进相间物质的传递速率，从而提高氮化硅和氧化硅的选择比，最终是选择比＞100；蚀刻抑制剂能够与金属以配位键的形式在氮化钛表面形成一层薄膜，大幅降低了蚀刻液对氮化钛的蚀刻速率，使得蚀刻选择比>20。本发明的蚀刻液可以在较高的氮化硅蚀刻速率的条件下，抑制氮化钛的蚀刻速率，可以确保满足氮化硅和氧化硅、氮化钛高选择比的要求。

今年以来兴福电子新获得专利授权11个，较去年同期减少了21.43%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了9291.33万元，同比增20.79%。

通过天眼查大数据分析，湖北兴福电子材料股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目232次；财产线索方面有商标信息7条，专利信息532条，著作权信息6条；此外企业还拥有行政许可287个。

数据来源：天眼查APP

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