芯联集成申请监控SiON膜层中的氮含量的方法及相关产品专利，有效监控氮含量及时发现异常

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国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“监控SiON膜层中的氮含量的方法、装置、存储介质及计算机程序产品”的专利，公开号CN 120998817 A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本申请公开了一种监控SiON膜层中的氮含量的方法、装置、存储介质及计算机程序产品，该方法包括：在反应腔室内硅层的氧化过程中向所述反应腔室内通入N2O气体，以形成SiON膜层；实时获取所述反应腔室内温度随时间的变化曲线；基于所述变化曲线是否超出预设区间范围确定所述SiON膜层中的氮含量是否出现异常，或，基于所述变化曲线与预设曲线的拟合程度确定所述SiON膜层中的氮含量是否出现异常。根据本申请的监控SiON膜层中的氮含量的方法、装置、存储介质及计算机程序产品，可以有效监控SiON膜层中的氮含量，及时发现异常。

天眼查资料显示，芯联集成电路制造股份有限公司，成立于2018年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本704664.1万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1713次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息761条，此外企业还拥有行政许可43个。

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