中微半导体申请一种下电极组件等相关专利，提高了等离子体处理设备的一致性和简约性

本文源自:金融界

金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种下电极组件，其安装方法及等离子体处理装置”的专利，公开号CN120221369A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明提供了一种下电极组件，用于承载待处理基片，包括一承载基座，及环绕所述承载基座的边缘环组件，所述边缘环组件包括：聚焦环，环绕所述基片和承载基座设置；插入环，位于所述聚焦环下方，环绕所述承载基座设置；所述边缘环组件与所述承载基座之间设置第一弹性环，所述第一弹性环靠近所述承载基座的一侧和/或靠近所述边缘环组件的一侧设置若干凸起。本发明设置的弹性环结构可以保障下电极组件在较大工作温度区间范围内安全使用，与现有技术中不同工作温度区间需要更换不同厚度的弹性环相比，本发明的技术方案提高了等离子体处理设备的一致性和简约性。

天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本62236.3735万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目66次，财产线索方面有商标信息76条，专利信息1486条，此外企业还拥有行政许可72个。