中微半导体申请化学气相沉积设备专利，同时优化真空腔体内的流场均匀性和温场均匀性

本文源自:金融界

金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种化学气相沉积设备”的专利，公开号CN120158723A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种化学气相沉积设备，化学气相沉积设备的真空腔体内设有晶圆托盘、进气装置、加热器、上衬垫和限流环，晶圆托盘、上衬垫和限流环构成化学气相沉积设备的反应区域；上衬垫的下表面设有环形的凸出部，凸出部具有内侧面、底面、和外侧面，限流环的内侧壁设有向晶圆托盘方向延伸的支撑部，支撑部的顶面与凸出部的底面贴合，位于支撑部上方的内侧壁与凸出部的外侧面贴合。通过改变了上衬垫与限流环的配合方式，能够在实现增大贴合面的流阻，在减少工艺气体泄露的同时，扩大上衬垫边缘区域的受热面积，优化上衬垫的温度均匀性。因此，通过设置凸出部和支撑部能够同时优化真空腔体内的流场均匀性和温场均匀性。

天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本62236.3735万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了28家企业，参与招投标项目65次，财产线索方面有商标信息75条，专利信息1546条，此外企业还拥有行政许可72个。