合肥晶合集成电路取得半导体器件版图结构专利，提高半导体器件的产品良率

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“半导体器件版图结构”的专利，授权公告号CN 223567993 U，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，本实用新型提供了一种半导体器件版图结构，包括：包括半导体衬底、第一栅极、侧墙结构、第二栅极和第一栅极插塞，第一栅极位于半导体衬底上，侧墙结构位于半导体衬底上且位于第一栅极的侧面；第二栅极包括第一部分和第二部分，第一部分位于部分第一栅极和部分侧墙结构上，第二部分与第一部分一端的侧面连接，且第二部分位于侧墙结构一侧的半导体衬底上；第一栅极插塞位于第二部分上且位于侧墙结构的区域外。本实用新型能够使得第一栅极插塞的底部位于半导体衬底的平面上，避免第一栅极插塞的底部位于侧墙结构上，在制备第一栅极插塞时更容易控制刻蚀进程，不易刻蚀穿透第二栅极，从而提高了半导体器件的产品良率。

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