京运通取得具有双层降氧的单晶炉外导流筒专利，使单晶硅棒的氧含量显著降低

本文源自:金融界

金融界2025年5月2日消息，国家知识产权局信息显示，乐山市京运通半导体材料有限公司取得一项名为“一种具有双层降氧的单晶炉外导流筒”的专利，授权公告号CN222795789U，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种具有双层降氧的单晶炉外导流筒，包括外导流筒，所述外导流筒的筒身外周设有外腔体，所述外腔体的底部与外导流筒的底部固连，所述外导流筒与外腔体组成气体流道，所述外腔体具有斜面，所述斜面设有多个第一排气孔，所述外导流筒的顶部水平向外延伸形成凸台，所述凸台上装配与气体流道连通的导气管组件。本实用新型增设上部SiO的带走路径，使单晶硅棒的氧含量显著降低，提高产品品质。

天眼查资料显示，乐山市京运通半导体材料有限公司，成立于2021年，位于乐山市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本160000万人民币。通过天眼查大数据分析，乐山市京运通半导体材料有限公司参与招投标项目7次，专利信息53条，此外企业还拥有行政许可98个。