澳柯玛云联申请半导体器件及 CMOS 器件制备方法专利，有效减小深阱离子注入对光刻胶层厚度要求

本文源自:金融界

金融界 2025 年 6 月 7 日消息，国家知识产权局信息显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请一项名为“半导体器件及 CMOS 器件的制备方法”的专利，公开号 CN120111950A，申请日期为 2023 年 12 月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件的制备方法，通过执行第二离子注入过程，以补偿第一离子注入过程时穿透第一图形化的光刻胶层在其覆盖的阱预形成区的离子注入损伤区注入的离子，即通过第二离子注入过程可补偿由于第一图形化的光刻胶层厚度减薄导致第一离子注入过程穿透第一图形化的光刻胶层引起的离子注入损伤区，使各个阱区离子注入的浓度不受影响，保证器件性能。采用本发明的制备方法可在保证各个阱区离子注入浓度不受影响的前提下有效减小深阱离子注入过程中对光刻胶层厚度的要求，采用相对较薄的光刻胶层，可有效避免较厚的光刻胶层曝光后整体形貌较差，造成离子注入剂量丢失等不良现象，使光刻胶层的工艺制程空间得以提升。

天眼查资料显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司，成立于2020年，位于青岛市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司共对外投资了5家企业，专利信息67条，此外企业还拥有行政许可4个。