青岛澳柯玛云联申请半导体器件制作方法专利，避免产生火山缺陷

本文源自:金融界

金融界2025年4月19日消息，国家知识产权局信息显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请一项名为“3620.半导体器件的制作方法”的专利，公开号CN119852174A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体器件的制作方法。所述制作方法中，在半导体基片的表面堆叠金属层以及氮化钛层后，先沉积钨层，再进行退火，使所述金属层与含硅导电区发生金属硅化反应，可以避免由于提前退火导致的氮化钛层致密性变差，确保氮化钛层在沉积钨层的工艺中对于工艺气体的阻隔效果，避免工艺气体中含有的氟或其它卤素侵蚀下层材料，从而可以有效地避免产生火山缺陷。所述制作方法拓宽了制作氮化钛层的工艺窗口，有助于提高器件良率，氮化钛层的厚度可以设置得较薄，有助于解决由于关键尺寸缩小而引起的钨填充以及钨层与含硅导电区连接电阻增大的问题。

天眼查资料显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司，成立于2020年，位于青岛市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司共对外投资了5家企业，专利信息22条，此外企业还拥有行政许可4个。