广立微取得用于检测晶体管沟道断路测试结构专利，为采用电学参数测试方法监测单个沟道的工艺提供可行方案

本文源自:金融界

金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，广立微（上海）技术有限公司取得一项名为“一种用于检测晶体管沟道断路的测试结构”的专利，授权公告号CN222927498U，申请日期为2024年08月。

专利摘要显示，本实用新型提供一种用于检测晶体管沟道断路的测试结构，包括至少两个不同沟道数量的测试单元；测试单元包括一个或多个晶体管；晶体管包括沟道结构和栅极结构，沟道结构包括一个或多个相间隔的沟道；测试单元包括一个晶体管时，通过晶体管中位于栅极结构一侧的沟道结构的两端连出；测试单元包括多个晶体管时，将多个晶体管串联后通过首尾两个晶体管中位于栅极结构同一侧的沟道结构的两端连出。本实用新型提供的测试结构可以用于判断是否存在沟道损坏断路的情况，为采用电学参数测试方法监测单个沟道的工艺提供了可行的方案。

天眼查资料显示，广立微（上海）技术有限公司，成立于2022年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，广立微（上海）技术有限公司共对外投资了1家企业，专利信息11条，此外企业还拥有行政许可4个。