广立微申请监测半导体器件性能专利，提高半导体器件性能以及良率

本文源自:金融界

金融界2025年4月29日消息，国家知识产权局信息显示，广立微（上海）技术有限公司申请一项名为“一种监测半导体器件性能的方法、测试结构及测试系统”的专利，公开号CN119890068A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，一种监测半导体器件性能的方法、测试结构及测试系统，涉及一种监测半导体器件性能的方法，包括：在硅片上形成至少两种包含半导体结构的测试单元，包括至少一种具有第一结构集群的第一测试单元和至少一种具有第二结构的第二测试单元；对硅片进行激光退火工艺，测试第二结构的电性参数；基于不同第一结构密度下测得的第二结构的电性参数，评估激光退火工艺对第二结构性能的影响。本申请通过量测激光退火后不同第一结构密度对应的第二结构电性参数，评估激光退火工艺对不同材质、不同密度的半导体器件之间性能的影响；并通过改进半导体结构设计以及激光退火工艺条件，提高半导体器件的性能以及良率，降低生产成本。

天眼查资料显示，广立微（上海）技术有限公司，成立于2022年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，广立微（上海）技术有限公司共对外投资了1家企业，专利信息9条，此外企业还拥有行政许可4个。