捷佳伟创申请一种硅片硼掺杂层的制备方法、硅片及装置系统专利，降低工艺时间和石英器件消耗从而降低成本

本文源自:金融界

金融界2025年6月11日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司申请一项名为“一种硅片硼掺杂层的制备方法、硅片及装置系统”的专利，公开号CN120129333A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明提出一种硅片硼掺杂层的制备方法、硅片及装置系统，方法包括步骤：对硅片进行预处理；将硅片通过PECVD的制备方式在硅片表面制备硼源层，硼源层具体为掺硼氧化硅层；或者沉积硼源；或者制备掺硼非晶硅层，在硼源掺杂层之前增加一层隧穿氧化层以及氧化硅层与掺硼非晶硅层中的一种或多种组合；将硅片送入温度为第二预设温度的退火设备中退火氧化，激活硅片表面的硼原子形成硼掺杂层。该方法利用PECVD工艺替代传统硼扩散工艺，能够减少对石英器件的损耗，在一定程度上降低制造成本。常规硼扩散制备硼掺杂层工艺时间在1.5小时以上，该方法所制备的硼掺杂层可以做到45min以内，与传统的高温扩散技术相比至少能够降低工艺时间和石英器件消耗，从而降低成本。

天眼查资料显示，深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司，成立于2007年，位于深圳市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本34817.5136万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目85次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息491条，此外企业还拥有行政许可68个。