扬杰科技取得提高短路耐压的SiCUMOSFET器件专利，抑制栅氧化层处的峰值电场

本文源自:金融界

金融界2025年6月12日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“提高短路耐压的SiCUMOSFET器件”的专利，授权公告号CN222967309U，申请日期为2024年08月。

专利摘要显示，提高短路耐压的SiCUMOSFET器件。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置为N+衬底层、N外延层、PW区和正面电极金属层；所述PW区通过多个栅极沟槽区的设置，被分隔成若干区域；每个区域的所述PW区上设有：P+区，从所述PW区的顶面中部向下延伸；N+区，从所述PW区的顶面，沿所述P+区的侧部向下延伸；欧姆接触合金，设置在所述P+区中源极沟槽区的内侧壁；所述栅极沟槽区的内侧壁和槽底分别设有栅氧层；所述栅氧层的底面低于PW区的底面；所述栅氧层上通过Poly层填充栅极沟槽区；本实用新型通过在源区引入沟槽结构，抑制了栅氧化层处的峰值电场，改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性问题。

天眼查资料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司，成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本54334.7787万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标项目183次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息740条，此外企业还拥有行政许可234个。